新型压电晶体Li2B4O7的性能、生长和应用

无机材料学报

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新型压电晶体Li₂B₄O₇的性能、生长和应用

徐家跃; 范世(马岂）

中国科学院上海硅酸盐研究所;上海 200050

收稿日期:1996-09-04 修回日期:1900-01-01 出版日期:1997-10-20 网络出版日期:1997-10-20

Growth,Properties and Application of New Piezoelectric Crystal Li₂B₄O₇

XU Jiayue; FAN Shiji

Shanghai Institute of Ceramics Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050 China

Received:1996-09-04 Revised:1900-01-01 Published:1997-10-20 Online:1997-10-20

摘要/Abstract

摘要： 本文详细介绍了我们在Li₂B₄O₇晶体增润下降法生长方面的研究进展，报道了φ3″、φ4″无芯区、无孪晶、无云层、无开裂和无散射的Li₂B₄O₇晶体的生长条件与缺陷消除，包括高纯原料的制备与成型、缓慢的生长速率、微凸和平的固液界面形状和适当的自退火工序．同时还简要介绍了该晶体的基本性能，综述了近年来的研究进展以及该晶体在SAW器件方面的应用．

关键词: 四硼酸锂晶体（LBO）, 性能, 生长, 应用

Abstract: Research progress on Li₂B₄O₇ crystals grown by inodihed Bridgman techimque (Fan s process)in our lab are intruduced in detail. The features of Li₂B₄O₇ growth such as (1) the criticalrequirement of stoichiometric purity for raw material, (2) very low growth rate, (3) a convex orplane solid-liquid interface and (4) a suitable proccdure of self- anmeaimg are discussed. 3" and4" Li₂B₄O₇ boules with core-free, twin-free, no striation, no crack and no scattering particlehave been grown stably by the BR techniq. Properties of the crystal and its application in SAW devices are also reviewed.

Key words: lithium tetraborate crystal, property, growth, application

徐家跃,范世(马岂）. 新型压电晶体Li₂B₄O₇的性能、生长和应用[J]. 无机材料学报.

XU Jiayue,FAN Shiji. Growth,Properties and Application of New Piezoelectric Crystal Li₂B₄O₇[J]. Journal of Inorganic Materials.

参考文献

1 Sastry B S R, et al. J. American Ceramic Society, 1959, 42: 216.
2 Krogh-Moe J. Acta Cryst., 1962, 15: 190.
3 Garrett J D, Iyer M N, et al. J. Crystal Growth, 1977, 41: 226.
4 Whatmore R W, Shorrocks N M, et al. Electronic Letters, 1981, 17: 11.
5 Adachi M. Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24 (Suppl.24--1): 72.
6 Fan Shiji, et al. J. Crystal Growth, 1990, 99: 811.
7 Katsumata T, Ohshima K, et al. J. Crystal Growth, 1992, 125: 270.
8 Zaretskii V V, et al. Materials Science Forum, 1990, 62--64: 11.
9 Paul G L, Taylor W. J. Phys. C: Solid State Phys., 1982, 15: 1753.
10 Abe H, Saitou H, et al. Proc. IEEE Ultrasonics Symp., 1987. 91.
11 Fan Shiji, et al. Frontiers of Materials Research: Electronic and Optical Materials, Elsevier Science Publishers, 1991. 575.
12 Fan Shiji. Proc. IEEE Frequency Control Symp. 1993. 353.
13 徐家跃, 徐一斌, 范世(马岂), 王文. 无机材料学报, 1993, 8 (4): 417.
14 Bhalla A S, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24(Suppl. 24--2): 727.
15 Katsumata T, et al. J. Crystal Growth, 1992, 121: 737.
16 Yamashita H, et al. J. Amer. Cera. Soc., 1991, 74 (7): 1668.
17 Uno T. Jpn. J. Appl. Phys., 1988, 27(Suppl. 27--1): 120.
18 Gualtieri J G, et al. Proc. IEEE Freq. Control Symp., 1992. 724.
19 Anzai Y, Terashima K, Kimura S. J. Crystal Growth, 1993, 134: 235.
20 Fan Shiji, et al. Proc. IEEE Frequency Control Symp., 1996.
21 Fan Shiji, et al. Proc. opf Inter. Confer. on Electronic Components and Mater., 1992. 206.
22 Xu Yibing, Fan Shiji. J. Crystal Growth, 1993, 133: 95.
23 徐一斌, 范世(马岂). 人工晶体学报, 1993, 22 (4): 316.
24 Fan Shiji, et al. Proc. IEEE Frequency Control Symp., 1995. 667.
25 Xu Jiayue, Fan Shiji, et al. to be published.
26 徐一斌, 范世(马岂). 人工晶体学报, 1994, 23 (1): 67.
27 Sun Renying, et al. Proc. IEEE Frequency Control Symp., 1992. 132.
28 Fan Shiji, et al. Proc. IEEE Frequency Control Symp., 1994. 78.
29 Fukuta K, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1983, 22(Suppl.22--2): 140.
30 Shiosaki T, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1985, 24(Suppl. 24--1): 25.
31 清水康敬. 电子情报通信学会论文志(日文), 1993, 76: 129.
32 《新型压电晶体四硼酸锂科技成果鉴定会》资料, 中国科学院上海硅?酸盐所, 1990.
33 Ebata Y, et al. Jpn. J. Appl. Phys., 1987, 26(Suppl.26--1): 123.
34 Adachi M, et al. 1994 IEEE Inter. Freq. Control Symp., 1996. 296.
35 Sato T, Abe H. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1994. 287.
36 Ballato A, et al. Proc. IEEE Ultrason. Symp., 1991. 459.
37 Emin C, et al. Proc. 37th Annual Freq. Control Symp., 1983. 136.
38 王继林. 超声电子学器件与应用论文集, 1990, 68.

[1]	魏相霞, 张晓飞, 徐凯龙, 陈张伟. 增材制造柔性压电材料的现状与展望[J]. 无机材料学报, 2024, 39(9): 965-978.
[2]	黄洁, 汪刘应, 王滨, 刘顾, 王伟超, 葛超群. 基于微纳结构设计的电磁性能调控研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(8): 853-870.
[3]	黄建锋, 梁瑞虹, 周志勇. W/Cr共掺杂对CaBi₂Nb₂O₉陶瓷晶体结构及电学性能的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(8): 887-894.
[4]	赵志翰, 郭鹏, 魏菁, 崔丽, 刘山泽, 张文龙, 陈仁德, 汪爱英. Ti-DLC薄膜压阻性能及载流子输运行为研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(8): 879-886.
[5]	范武刚, 曹雄, 周响, 李玲, 赵冠楠, 张兆泉. 8YSZ陶瓷在模拟压水堆水环境中的耐腐蚀性能[J]. 无机材料学报, 2024, 39(7): 803-809.
[6]	张育育, 吴轶城, 孙佳, 付前刚. 聚合物转化SiHfCN陶瓷的制备及其吸波性能[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 681-690.
[7]	王伟明, 王为得, 粟毅, 马青松, 姚冬旭, 曾宇平. 以非氧化物为烧结助剂制备高导热氮化硅陶瓷的研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 634-646.
[8]	孙海洋, 季伟, 王为民, 傅正义. TiB-Ti周期序构复合材料设计、制备及性能研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 662-670.
[9]	蔡飞燕, 倪德伟, 董绍明. 高熵碳化物超高温陶瓷的研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 591-608.
[10]	刘国昂, 王海龙, 方成, 黄飞龙, 杨欢. B₄C含量对(Ti_0.25Zr_0.25Hf_0.25Ta_0.25)B₂-B₄C陶瓷力学性能及抗氧化性能的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 697-706.
[11]	粟毅, 史扬帆, 贾成兰, 迟蓬涛, 高扬, 马青松, 陈思安. 浆料浸渍辅助PIP工艺制备C/HfC-SiC复合材料的微观结构及性能研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 726-732.
[12]	郑斌, 康凯, 张青, 叶昉, 解静, 贾研, 孙国栋, 成来飞. 前驱体转化陶瓷法制备Ti₃SiC₂陶瓷及其热稳定性研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 733-740.
[13]	吕朝阳, 徐勇, 杨久延, 涂广升, 涂兵田, 王皓. MgF₂助剂对MgAl_1.9Ga_0.1O₄透明陶瓷的制备与光学性能的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(5): 531-538.
[14]	王伟华, 张磊宁, 丁峰, 代兵, 韩杰才, 朱嘉琦, 贾怡, 杨宇. 铱衬底上金刚石外延形核与生长: 第一性原理计算[J]. 无机材料学报, 2024, 39(4): 416-422.
[15]	石睿健, 雷俊伟, 张祎, 谢爱文, 左如忠. 具有优异储能性能与充放电特性的类线性NaNbO₃基无铅弛豫反铁电陶瓷[J]. 无机材料学报, 2024, 39(4): 423-431.

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Growth,Properties and Application of New Piezoelectric Crystal Li₂B₄O₇

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