Ruddlesden-Popper结构杂化非常规铁电体的研究进展
张碧辉, 刘小强, 陈湘明
无机材料学报
2025, 40 ( 6):
587-608.
DOI:10.15541/jim20240521
杂化非常规铁电性(Hybrid Improper Ferroelectricity, HIF)指的是在含钙钛矿结构单元的化合物中, 通过阴离子八面体面内旋转和面外倾侧耦合而产生的二阶铁电序。HIF有望在强磁电耦合多铁性材料中获得重要应用, 并极大地拓展铁电体物理学的内涵和外延。本文总结了Ruddlesden-Popper(R-P)结构HIF的实验研究进展, 建立了双层R-P结构铁电体的居里温度(TC)和许容因子(τ)之间的线性关系, 并阐述其HIF物理起源。基于HIF的内禀电控磁性, 在双层R-P铁氧体中观察到室温极性相和弱铁磁相共存, 这一发现具有重要的科学意义。此外, 在A位离子有序三层R-P氧化物中报道的铁电性显著拓宽了HIF的研究广度和深度。尽管R-P结构的HIF的研究已取得显著进展, 但在新材料体系和单相多铁性材料探索方面仍需进一步努力。

View image in article
图2
(a)常规铁电相变和(b)非常规铁电相变的能量变化[23]
正文中引用本图/表的段落
其中, $F(\eta )$表示系统的自由能, η代表原子极性位移, α与$\beta $为系数, 与温度T相关的系数α会随着极化变成非零数值而改变符号。如图2所示, 黑线表示T>TC的自由能, 自由能最小值在η=0处, 表明此时为顺电相; 而红线则表示T<TC的自由能, 自由能最小值在η≠0处, 表明此时为铁电相; 黑线与红线之间的三条线则表示两者之间的过渡态。当T>TC时, α在顺电相中大于零, 反映了力常数的稳定性; 当T<TC时, 晶体因离子位移而形成的结构畸变被冻结, 进而产生自发极化, 此时自由能出现极小值。离子可沿两个相反方向位移, 并且对应产生的铁电极化大小相等、方向相反, 自发极化和自由能之间的关系图呈双势阱曲线, 如图2(a)所示[23]。在常规铁电体中, 自发极化在电场下的翻转就是在这两个自由能极小值之间实现的。
与常规铁电体不同, 非常规铁电性的自发极化失稳是由布里渊区中心和边界模相互耦合引发的。因此, 自发极化是由其它初级序参量耦合产生的次级序参量, 不能完整描述晶体的对称性变化。非常规铁电体的自由能曲线是一个具有非零最小值的单势阱曲线, 如图2(b)所示, 其自发极化的翻转可通过改变初级序参量实现[23]。
最近, Yi等[123]首次在具有双层R-P结构的La2SrSc2O7陶瓷中观察到了室温铁电性, 实验结果和DFT计算均表明, A位离子无序与铁电性的出现密切相关(图12(a))。基于室温NPD拟合发现, La3+和Sr2+离子在氧八面体层间的A位占位率约为50%/50%, 而在AO层和ABO3层间A位占位率则为75%/25%, 这说明A位离子的无序分布。利用PUND法测得电滞回线, 发现其室温铁电性(铁电极化强度~0.2 μC/cm2, 矫顽场~200 kV/cm)。DFT计算表明, 当A位离子完全有序时, 其基态为非极性的P42/mnm相; 而引入A位离子无序可使极性相A21am具有更低的能量。在此基础上, 本课题组[121]制备了具有A位离子无序双层R-P结构的单相致密La2Sr(Sc1?xFex)2O7(0≤x≤0.15, 当x≥0.2时出现了钙钛矿和La2O3等杂相)陶瓷, 并深入研究了其晶体结构、铁电、介电和磁学性能。XRD的Rietveld精修结果显示, x≤0.10时, 材料在室温下是极性相, 空间群为A21am, 这与前人研究结果相符; 而当x=0.15时, 材料在室温下为非极性相, 空间群为Amam。PUND测试表明, 当x≤0.10时, 陶瓷具有室温铁电性(图12(b))。铁电极化强度和矫顽场随着Fe3+离子含量的增加而减小, 这与氧八面体旋转角和倾侧角的减小一致[121]。介电温谱测量结果显示, La2SrSc2O7陶瓷在升温和降温过程中存在热滞, 说明存在从铁电相到顺电相的二级相变。从介电温谱上获得La2Sr(Sc1?xFex)2O7陶瓷成分的TC(图12(c))也与τ存在线性关系, 但与A2+3B4+2O7陶瓷的关系明显不同, 这是由于钪酸盐陶瓷中存在较大的层间褶皱。La2Sr(Sc1?xFex)2O7(x=0.15)陶瓷在2~300 K之间的零场冷?场冷中未存在长程磁有序(图12(d)), 而在100~200 K的温度范围内拟合该陶瓷零场冷过程中的温度依赖磁化率, 发现负的Weiss温度, 表明该陶瓷中存在短程反铁磁耦合(图12(d)插图)。在2 K时, 等温M(磁化强度)?H(磁场强度)曲线高磁场下的非线性行为表明材料中可能存在短程磁有序, 而在50和100 K则不存在非线性行为(图12(e))。该研究探索了La2Sr(Sc1?xFex)2O7陶瓷氧化物的铁电性能及随Fe3+置换量的变化规律, 并且提供了一种将短程磁有序引入HIF的有效方法。
本文的其它图/表
-
图1
(a)基于R-P结构的HIF的多功能特性总结; (b)基于Web of Science数据库总结的近年发表的R-P氧化物文章数量
-
图3
R-P结构A′2AB2O7从(a)顺电相到(b)铁电相的对称模分解及(c)铁电相中每层沿a轴的反铁畸变位移(X)及总的铁电极化强度(Ptotal)示意图[25]
-
图4
(a) A3B2O7 R-P型氧化物的铁电a−a−c+结构; (b) A3B2O7的氧八面体倾转的第一性原理振幅和诱导极性模式(按ABO3结构τ递增排列)[26]
-
图5
(a, b) (Ca,Sr)3Ti2O7单晶的a0a0c+和a−a−c0两个氧八面体倾转模式的示意图; (c, d) Ca2.46Sr0.54Ti2O7单晶的(c) (001)解理表面照片和(d)室温环形差分干涉衬度照片; (e) Ca3−xSrxTi2O7(x=0, 0.54, 0.85)单晶沿[110]方向的电滞回线; (f) IP-PFM的配置示意图[49]
-
表1
双层R-P结构Ca3Ti2O7基氧化物的铁电性能相关参数[43-44,49,64,70 -73,79 -81]
-
图6
双层R-P结构Ca3Ti2O7基化合物的铁电性能对比[40]
-
图7
(a)室温下利用g=100衍射斑点得到的DF-TEM照片, 红蓝箭头代表沿[100]的铁电极化方向; (b)利用g=220衍射斑点得到的DF-TEM照片; (c) Ca3[Mn0.5(Fe0.5Nb0.5)0.5]2O7陶瓷室温下的PFM测试结果; (d)改变交流电压条件下的一次与二次谐波压电响应图; (e, f)不同直流偏压下的(e)振幅蝴蝶曲线及(f)相位迟滞回线[45]
-
图8
双层R-P结构Sr基氧化物(Sr3Sn2O7单晶[112]、(Sr,Ba)3Sn2O7陶瓷[84]、(Sr,Ca)3Sn2O7陶瓷[85]、(Sr,Ba)3Zr2O7陶瓷[86]、Sr3(Sn,Zr)2O7陶瓷[113])的铁电性能对比
-
图9
(a)根据空间群对称性分析得到Sr3Sn2O7随温度变化的四个相结构[118]; (b)研究建立的Sr3Sn2O7的相图[118]; (c)根据300 K条件下的NPD精修结果计算的晶体结构分层极化(左图), [010]面的晶体结构示意图(右图), 其中Sr、Zr和O原子分别为灰色、蓝色和红色[119]; (d) Sr3Hf2O7中原子和分层极化对宏观极化的贡献, Sr1−O表示钙钛矿层之间的SrO层, Sr2−O表示岩盐层和钙钛矿层之间的SrO层[120]
-
图10
双层R-P结构的铁电体的TC与τ的关系[40]
-
图11
Li2Sr(Nb1−xTax)2O7氧化物的介电常数与温度的依赖关系以及铁电相变模型[65]
-
图12
(a) La2SrSc2O7陶瓷的晶体结构示意图, 室温下的P−E电滞回线和不同A位离子有序度下的DFT计算能量对比[123]; (b) La2Sr(Sc1−xFex)2O7陶瓷在400 kV/cm电场和2 Hz频率下的P−E曲线[121]; (c) La2Sr(Sc1−xFex)2O7陶瓷在150~600 K温度范围内的介电常数的温度依赖性[121]; (d) La2Sr(Sc1−xFex)2O7(x=0.15)陶瓷直流磁化率的温度依赖性, 插图是Curie−Weiss拟合结果[121]; (e) La2Sr(Sc1−xFex)2O7(x=0.15)在不同温度下磁化的等温磁场依赖性[121]
-
图13
双层R-P材料(Ca3Ti2O7陶瓷[80]、Sr3Sn2O7陶瓷[84]、Sr3Zr2O7陶瓷[86]、Li2CaTa2O7陶瓷[26]、Li2SrNb2O7陶瓷[130])铁电性能的对比
-
图14
(a) (1−x)(CaySr1−y)1.15Tb1.85Fe2O7-xCa3Ti2O7(0≤x≤0.3, y=0.60)的相图; (b)铁电极化与饱和磁化强度随成分的变化; (c)当温度为60和100 K时, 线性磁电耦合系数随成分的变化[136]
-
图15
(a)单层R-P结构氧化物的晶体结构[143]; (b) HRTiO4和NaRTiO4的插层结构示意图[139]; (c) AASmTiO4和(d) AAEuTiO4的SHG信号随温度升高的变化曲线, 其中AA为Na(黄色圆圈)和K(紫色圆圈)[141]
-
图16
(a) 390 kV/cm条件下采用PUND法测得的Li2La2Ti3O10陶瓷的P−E电滞回线和J−E电流密度曲线[149]; (b)基于DFT计算的三层R-P结构Li2La2Ti3O10的不同对称性相对于0 K时能量最低Pc相的能量[149]; (c) PUND法测得的Li2Nd2Ti3O10陶瓷的室温P−E电滞回线[150]; (d) Li2La2Ti3O10(LLTO)和Li2Nd2Ti3O10(LNTO)陶瓷的氧八面体畸变角度θT和θR[150]; (e)基于Rietveld精修的Li2La2Ti3O10陶瓷晶体结构示意图(绿色、棕色和红色球分别代表Li+、La3+和O2−离子, 而Ti4+离子位于氧八面体的中心)[149]; (f)通过玻恩有效电荷方法计算的Li2La2Ti3O10中每一层对应的极化贡献[149]
|