中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究

无机材料学报

中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究

江向平; 廖军; 魏晓勇; 张望重; 李国荣; 陈大任; 殷庆瑞

中国科学院上海硅酸盐所无机功能材料开放实验室, 上海 200050

收稿日期:1999-04-15 修回日期:1999-06-01 出版日期:2000-04-20 网络出版日期:2000-04-20

Piezoelectric Properties of PZN-PZT Ceramics Sintered at Middle Temperatures

JIANG Xiang-Ping; LIAO Jun; WEI Xiao-Yong; ZHANG Wang-Zhong; LI Cuo-Rong; CHEN Da-Ren; YIN Qing-Rui

Laboratory of Functional Inorganic Materials; Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050; China

Received:1999-04-15 Revised:1999-06-01 Published:2000-04-20 Online:2000-04-20

摘要/Abstract

摘要： 在多层压电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ａｇ／Ｐｄ内电极的共烧结，本文对中温１１００～１１４０℃范围烧成的ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷的电性能进行了研究，结果表明，保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响，随保温时间的延长，ｄ_３３从４２０×１０^－１２Ｃ／Ｎ增加到５６０×１０^－１２Ｃ／Ｎ，　ε^Ｔ_３３从２１８０增加到２９００。

关键词: 中温烧结, PZN-PZT, 压电性能, 介电性能

Abstract: In order to realize the co-sintering with Ag/Pd electrodes in multilayer devices, PZNPZT piezoelectric ceramics were prepared by a conventional technique in the sintering temperature range from 1100℃ to 1140℃ and their piezoelectric and dielectric properties were carefully studied. The results show that soaking time is the most important factor concerning with piezoelectric and dielectric properties, d₃₃increases from 420× 10^-12C/N to 560× 10^-12C/N and ε^T₃₃ increases from 2100 to 2900 with the increase of soaking time.

Key words: middle temperature sintering, PZN-PZT, piezoelectric property, dielectric property

中图分类号:

TM282

江向平,廖军,魏晓勇,张望重,李国荣,陈大任,殷庆瑞. 中温烧结PZN-PZT系陶瓷的压电性能研究[J]. 无机材料学报.

JIANG Xiang-Ping,LIAO Jun,WEI Xiao-Yong,ZHANG Wang-Zhong,LI Cuo-Rong,CHEN Da-Ren,YIN Qing-Rui. Piezoelectric Properties of PZN-PZT Ceramics Sintered at Middle Temperatures[J]. Journal of Inorganic Materials.

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