导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

无机材料学报

导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征

陈志钢; 唐一文; 贾志杰; 张丽莎; 李家麟; 余颖

华中师范大学物理科学与技术学院纳米科技研究院, 武汉 430079

收稿日期:2004-01-17 修回日期:2004-03-11 出版日期:2005-03-20 网络出版日期:2005-03-20

Electrodeposition and Characterization of Cu₂O Thin Films on Transparent Conducting Glass

CHEN Zhi-Gang; TANG Yi-Wen; JIA Zhi-Jie; ZHANG Li-Sha; LI Jia-Lin; YU Ying

College of Physical Science and Technology; Central China Normal University; Wuhan 430079; China

Received:2004-01-17 Revised:2004-03-11 Published:2005-03-20 Online:2005-03-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对在导电玻片上电沉积Cu₂O薄膜的影响,并对所制备的Cu₂O薄膜分别用台阶仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺条件为:电势-0.22--0.45V(vs SCE),温度为60℃,pH值为5.5-6.0,(CH₃COO)₂Cu浓度为 0.015-0.04mol／L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60℃沉积的Cu₂O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.

关键词: 氧化亚铜, 电沉积, 膜, 表征

Abstract: Electrochemical behavior of cuprous oxide was investigated by using the catholic reduction electrochemical method. The effects of some technological factors on Cu₂O thin films electrodeposited
on transparent conducting glass were also studied. Cu₂O thin films were characterized by Talystep, X-ray diffraction (XRD) , scanning electron microscope (SEM) and X-ray photoelectron spectroscope
(XPS). The optimum technological conditions were obtained as follows: the applied potential was -0.22～-0.45V (vs SCE) , bath temperature was 60℃, bath pH was 5.5～6.0 and concentration of (CH₃COO)₂Cu
was in the range 0.015～0.040mol/L. The results showed that with the increase of bath temperature, the grain size of Cu₂O film increased from 0.2μm to 0.4μm and it started to have (111) preferred
orientation at 60℃. The film had high purity and was porous.

Key words: cuprous oxide, electrodeposition, film, characterization

中图分类号:

O614
TB43

陈志钢,唐一文,贾志杰,张丽莎,李家麟,余颖. 导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征[J]. 无机材料学报.

CHEN Zhi-Gang,TANG Yi-Wen,JIA Zhi-Jie,ZHANG Li-Sha,LI Jia-Lin,YU Ying. Electrodeposition and Characterization of Cu₂O Thin Films on Transparent Conducting Glass[J]. Journal of Inorganic Materials.

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