磁场在晶体生长中的应用研究进展

无机材料学报

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磁场在晶体生长中的应用研究进展

梁歆桉; 金蔚青; 潘志雷

中国科学院上海硅酸盐研究所; 上海 200050

收稿日期:1998-12-22 修回日期:1999-02-03 出版日期:1999-12-20 网络出版日期:1999-12-20

Progress of Magnetic Field Application in Crystal Growth

LIANG Xin-An; JIN Wei-Qing; PAN Zhi-Lei

Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050; China

Received:1998-12-22 Revised:1999-02-03 Published:1999-12-20 Online:1999-12-20

摘要/Abstract

摘要： 综述了磁场影响晶体生长的两种机制，磁场的产生和构型，在半导体材料硅、砷化镓、磷化铟晶体生长中的应用，在蛋白质及氧化物晶体生长方面的新进展．

关键词: 磁场, 晶体生长, 蛋白质, 氧化物, 半导体

Abstract: Two kinds fundamental theories of magnetic field on crystal growth were introduced.New progress of magnetic field application to protein and oxide crystal growth was reviewed. The generation of transverse, axial, configured magnetic field and rotating field was described. Forsilicon, gallium arsenide, indium phosphide, the effect of magnetic field was reviewed.

Key words: magnetic field, crystal growth, protein, oxide, semiconductor material

中图分类号:

O782

梁歆桉,金蔚青,潘志雷. 磁场在晶体生长中的应用研究进展[J]. 无机材料学报.

LIANG Xin-An,JIN Wei-Qing,PAN Zhi-Lei. Progress of Magnetic Field Application in Crystal Growth[J]. Journal of Inorganic Materials.

参考文献

[1] Utech H P, Flemings M C. J. Appl. Phys., 1966, 37: 2021--2024.
[2] Chedzey A, Hurle D T J. Nature, 1966, 210: 933--934.
[3] Wakayama Nobuko I, Mitsuo Ataka, Haruo Abe. J. Cryst. Growth, 1997, 178: 653--656.
[4] Croll A, Szofran F R, Dold P, et al. J. Cryst. Growth, 1998, 183: 554--563.
[5] Kim K M, Smetana P. J. Appl. Phys., 1985, 58: 2731--2375.
[6] Witt A F, Herman C J, Gatos H C. J. Mater. Sci., 1970, 5: 822--827.
[7] Series R W. J. Cryst. Growth, 1989, 97: 92--98.
[8] Hirata H, Hoshikawa K. J. Cryst. Growth, 1989, 96: 747--755.
[9] Dold P, Benz K W. Cryst. Res. Technol., 1997, 32 (1): 51--56.
[10] Wakayama Nobuko I. J. Cryst. Growth, 1998, 191: 199--205.
[11] 金蔚青，袁晖，潘志雷等(JIN Wei-Qing, et al). 无机材料学报(Journal of Inorganic Materials), 1999, 14 (1): 155--1608.
[12] Miyazawa Yasuto, Morita Shoji, Sekiwa Hideyuki. J. Cryst. Growth, 1996, 166: 286--290.
[13] Hoshikawa K. Japan. J. Appl. Phys., 1982, 21: L545--547.
[14] Hirta H, Inuoe N. Japan. J. Appl. Phys., 1984, 23 (8): L527--530.
[15] Hoshikawa H, Kohda H, Hirata H. Japan. J. Appl. Phys., 1984, 23: L37--39.
[16] Thomas R N, Hobgood H M, Ravishankar P S, et al. J. Cryst. Growth, 1990, 99: 643--653.
[17] Ravishankar P S, Braggins T T, Thomas R W. J. Cryst. Growth, 1990, 104: 617--628.
[18] Hurle D T J, Series R W. J. Cryst. Growth, 1985, 73: 1--9.
[19] Dold P, Croll A, Benz K W. J. Cryst. Growth, 1998, 183: 545.
[20] Suzuki T, Isawa N, Okubo Y, et al. In: Huff H R, Krigler R J, Takeishi Y ed. Semiconductor silicon 1981. Pennington NJ: Electrochem Soc. Inc., 1981. 90--100.
[21] Hoshi K, Isaswa N, Suzuki T, et al. J. Electrochem. Soc., 1985, 132: 693--700.
[22] Sabhapathy P, Salcudean M E. J. Cryst. Growth, 1991, 113: 164--180.
[23] Terashima K, Fukuda T. J. Cryst. Growth, 1983, 63: 423--425.
[24] Terashima K, Yahata A, Fukuda T. J. Appl. Phys., 1986, 59: 982--984.
[25] Series R W, Hurle D T J. J. Cryst. Growth, 1991, 112: 305--328.
[26] Kimura T, Katsumta T, Nakajima M, et al. J. Cryst. Growth, 1986, 79: 264--270.
[27] Park Young Ju, Min Suk ki, Hahn Seung Ho, et al. J. Cryst. Growth, 1995, 154: 10--18.
[28] Miyairi H, Inada T, Eguchi M, et al. J. Cryst. Growth, 1986, 79: 291--295.
[29] Satoh T, Hashimoto I, Sakaguchi Y. In: Hakone, Kukimoto H, Niyazowa S, ed. Semi-insulating III-IV Materials 1986. Tokyo:ohmsha/Amsterdam:NorthHolland, 1986. 326--331.
[30] Mosel Hofmann D, Muller G. In: Grosmann G, Ledebo L. ed. Semi-insulating III-IV materials 1988. Bristol: Hilger, 1988. 429--435.

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Progress of Magnetic Field Application in Crystal Growth

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[1]	杨鑫, 韩春秋, 曹玥晗, 贺桢, 周莹. 金属氧化物电催化硝酸盐还原合成氨研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(9): 979-991.
[2]	潘建隆, 马官军, 宋乐美, 郇宇, 魏涛. 燃料还原法原位制备高稳定性/催化活性SOFC钴基钙钛矿阳极[J]. 无机材料学报, 2024, 39(8): 911-919.
[3]	陈乾, 苏海军, 姜浩, 申仲琳, 余明辉, 张卓. 超高温氧化物陶瓷激光增材制造及组织性能调控研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(7): 741-753.
[4]	叶梓滨, 邹高昌, 吴琪雯, 颜晓敏, 周明扬, 刘江. 阳极支撑型锥管串接式直接碳固体氧化物燃料电池组的制备及性能[J]. 无机材料学报, 2024, 39(7): 819-827.
[5]	王伟明, 王为得, 粟毅, 马青松, 姚冬旭, 曾宇平. 以非氧化物为烧结助剂制备高导热氮化硅陶瓷的研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(6): 634-646.
[6]	张琨, 王宇, 朱腾龙, 孙凯华, 韩敏芳, 钟秦. LaNi_0.6Fe_0.4O₃阴极接触材料导电特性调控及其对SOFC电化学性能的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(4): 367-373.
[7]	杨博, 吕功煊, 马建泰. 镍铁氢氧化物-磷化钴复合电极电催化分解水研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(4): 374-382.
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[9]	陈正鹏, 金芳军, 李明飞, 董江波, 许仁辞, 徐韩昭, 熊凯, 饶睦敏, 陈创庭, 李晓伟, 凌意瀚. 双钙钛矿Sr₂CoFeO₅₊_δ阴极材料的制备及其中温固体氧化物燃料电池性能研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(3): 337-344.
[10]	蔡豪, 汪琦航, 邹朝勇. 镁离子调控无定形碳酸钙制备一水碳酸钙结晶过程[J]. 无机材料学报, 2024, 39(11): 1275-1282.
[11]	谢天, 宋二红. 弹性应变对C、H、O在过渡金属氧化物表面吸附的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(11): 1292-1300.
[12]	薛顶喜, 伊炳尧, 李国君, 马帅, 刘克勤. 功能梯度阳极固体氧化物燃料电池热应力数值模拟研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(11): 1189-1196.
[13]	孟雨婷, 王雪梅, 章淑娴, 陈志炜, 裴艳中. Bi₂Te₃基热电材料的单带和双带传输特性转变[J]. 无机材料学报, 2024, 39(11): 1283-1291.
[14]	郝永鑫, 秦娟, 孙军, 杨金凤, 李清连, 黄贵军, 许京军. 坩埚底角形状对提拉法生长同成分铌酸锂晶体的影响[J]. 无机材料学报, 2024, 39(10): 1167-1174.
[15]	王艳莉, 钱心怡, 沈春银, 詹亮. 石墨烯基介孔锰铈氧化物催化剂: 制备和低温催化还原NO[J]. 无机材料学报, 2024, 39(1): 81-89.