V5+取代对 Mg4(SbNb1-xVx)O9陶瓷介电性能的影响

doi:10.3724/SP.J.1077.2008.00877

无机材料学报

V⁵⁺取代对 Mg₄(SbNb_1-xV_x)O₉陶瓷介电性能的影响

姚国光¹, 刘鹏²

1. 西安邮电学院应用数理系, 西安 710121; 2. 陕西师范大学物理与信息技术学院, 西安 710062

收稿日期:2007-12-03 修回日期:2008-01-18 出版日期:2008-09-20 网络出版日期:2008-09-20

Effects of V⁵⁺ Substitution on the Dielectric Properties of Mg(SbNb_1-xV ^_xO₉ Ceramics

YAO Guo-Guang¹, LIU Peng²

1. Department of Applied Mathematics and Physics, Xian Institute of Posts and Telecommunications, Xi’an 710021, China; 2. College of Physics and Information Technology, Shaanxi Normal University, Xi'an 710062, China

Received:2007-12-03 Revised:2008-01-18 Published:2008-09-20 Online:2008-09-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了不同V⁵⁺含量Mg₄(SbNb_1-xV_x)O₉[MSNV, 0.05≤ x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能. 结果表明: 一定量V⁵⁺取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度. 在所有组成范围内, XRD显示了单一刚玉型结构. 随V⁵⁺含量的增加, 样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小, 样品的谐振频率温度系数τ_f逐渐减小, 这是由于V⁵⁺的取代使得B位键价增强所致. 在x=0.15, 1250℃烧结, 可获得ε_r=9.98, Q·f=20248GHz (8GHz), τ_f=-23.3×10-6·K^-1的新型微波介质陶瓷.

关键词: 微波介质陶瓷, Mg₄(SbNb_1-xV_x)O9, 介电性能

Abstract: The effects of V⁵⁺ substitution on the sintering characters, microstructure and microwave dielectric properties of Mg₄(SbNb_1-xV_xO₉ ceramics were investigated. Results show that a small amount of V⁵⁺ substitution for Nb⁵⁺ can lower the sintering temperature of Mg₄(Nb_2-xSb_x)O₉ drastically. In all composition range investigated, the sintered ceramics show single phase with corundum structure. With increasing of V⁵⁺ content, the dielectric constant (ε) and quality factor (Q·f) increase and thereafter decrease, respectively, the temperature coefficient of resonant frequencies τ f decreases which is due to the strengthened B site-bond valence caused by V⁵⁺ substitution. The ceramics with x=0.15 sintered at 1250℃ has a relative dielectric constant ε_r of 9.98, a quality factor Q·f value of 20248GHz (at 8GHz) and a temperature coefficient of resonant frequencies τ f value of --23.3×10-6K^-1.

Key words: microwave dielectric ceramics, Mg₄(SbNb_1-xV_x)O₉, dielectric properties

中图分类号:

TQ174

姚国光,刘鹏. V⁵⁺取代对 Mg₄(SbNb_1-xV_x)O₉陶瓷介电性能的影响[J]. 无机材料学报, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2008.00877.

YAO Guo-Guang,LIU Peng. Effects of V⁵⁺ Substitution on the Dielectric Properties of Mg(SbNb_1-xV ^_xO₉ Ceramics[J]. Journal of Inorganic Materials, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2008.00877.

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V⁵⁺取代对 Mg₄(SbNb_1-xV_x)O₉陶瓷介电性能的影响

Effects of V⁵⁺ Substitution on the Dielectric Properties of Mg(SbNb_1-xV ^_xO₉ Ceramics

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