SiC单晶的性质、生长及应用

无机材料学报

SiC单晶的性质、生长及应用

王世忠; 徐良瑛; 束碧云; 肖兵; 庄击勇; 施尔畏

中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

收稿日期:1998-09-03 修回日期:1998-09-15 出版日期:1999-08-20 网络出版日期:1999-08-20

Physical Properties, Bulk Growth, and Applications of SiC Single Crystal

WANG Shi-Zhong, XU Liang-Ying, SHU Bi-Yun, XIAO Bing, ZHUANG Ji-Yong, SHI Er-We

Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050 China

Received:1998-09-03 Revised:1998-09-15 Published:1999-08-20 Online:1999-08-20

摘要/Abstract

摘要： 本文综述了ＳｉＣ单晶的物理性质、晶体结构、制备过程以及应用等详细地介绍了大尺寸ＳｉＣ单晶的ＰＶＴ法制备和该过程中的关键要素，分析了ＰＶＴ法制备的ＳｉＣ单晶中所存在的缺陷及其成因

关键词: 碳化硅, 单晶, 生长, 物理性质, 半导体器件

Abstract: This article reviewed on the physical properties, the crystal structure, the growth methods, and the applications of the SiC single crystal The preparation of the SiC single crystal by sublimation method was introduced in detail The defects of SiC single crystal caused in the PVT process were discussed

Key words: silicon carbide, crystal, growth, physical property, semiconductor device

中图分类号:

TQ163
O78

王世忠,徐良瑛,束碧云,肖兵,庄击勇,施尔畏. SiC单晶的性质、生长及应用[J]. 无机材料学报.

WANG Shi-Zhong,XU Liang-Ying,SHU Bi-Yun,XIAO Bing,ZHUANG Ji-Yong,SHI Er-We. Physical Properties, Bulk Growth, and Applications of SiC Single Crystal[J]. Journal of Inorganic Materials.

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