超硬材料的合成是目前材料科学研究领域的热门课题之一。近年来，由于碳基和硼基超硬材料的理论设计和发现，引起了人们在实验和理论上对硬度与金刚石接近，甚至超过金刚石的材料研究兴趣。在Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬材料中，除了金刚石和立方氮化硼（ｃ－ＢＮ）以外，β－Ｃ_３Ｎ４、立方氮碳化硼以及富勒烯等材料，也正日益受到国际材料界的重视。本文就Ｂ－Ｃ－Ｎ系超硬料的最新研究进展做一综述。

研究ＫＴｉＯＡｓＯ₄晶体的生长缺陷，对于改善它的性能和应用前景，有很大的意义．本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射Ｘ射线形貌术研究了ＫＴｉＯＡｓＯ_４晶体的缺陷，实验结果表明，两种腐蚀剂对于显示ＫＴＡ晶体的表面缺陷效果显著，ＫＴＡ晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物．讨论了这些缺陷形成的原因。

本文基于负离子配位多面体生长基元模型，分析确定了两种晶型锑白的不同结构基元：ＳｂＯ_３配位四面体与ＳｂＯ_３＋３Ｅ星状四面体；详细探讨了水解法制锑白时水解介质等条件对其晶型结构影响的机理，得到了水解法制锑白时控制晶型结构的规律．

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型，建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶格结构之间的定量关系；同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献，计算了ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体的零场分裂参量Ｄ，计算结果与实验符合甚好．证明了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位的存在；同时得到包围 Ｃｒ^３＋离子的 Ｆ^－离子向中心 Ｃｒ^３＋离子分别移动Ｘ_１＝０．００２９１ｎｍ，Ｘ_２＝０．００１ｎｍ，Ｘ_３＝０．００２６ｎｍ．ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体基态的ＺＦＳ主要来自Ｃｄ^２＋空位，但晶格畸变的贡献是不能忽略的．

通过热力学数据的预报与计算，对ＺｒＯ_２－Ｔｉ体系的相间热力学稳定性进行了分析，并确定了材料合成的热力学条件．在此基础上常压烧结合成了不同组分配比的ＺｒＯ_２－Ｔｉ系复合材料，并采用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ等方法对材料的显微结构进行了表征．ＺｒＯ
－Ｔｉ系均质复合材料由α－Ｔｉ相，四方ＺｒＯ_２相和少量的单斜ＺｒＯ_２相组成．ＸＲＤ和ＴＥＭ分析表明，组元Ｔｉ和ＺｒＯ_２之间没有发生明显的化学反应，具有良好的化学相容性．

本文研究了热压烧结制备纳米Ｙ－ＴＺＰ材料的过程．研究结果表明：热压烧结纳米Ｙ－ＴＺＰ材料有一些新的特点，主要是纳米Ｙ－ＴＺＰ材料在热压烧结时，由于软团聚未能有效地破碎；造成烧结过程中团聚体内部首先致密化，与基体之间产生张力，导致裂纹状大气孔的出现．同时因石墨模具的限制，热压时的外压不足以克服塑性滑移产生所需的“阈值”，因此大气孔无法“压碎”，使材料的烧结密度比相同温度下无压烧结还低．针对热压烧结纳米Ｙ－ＴＺＰ材料的局限性，采用热煅压烧结，可在１１００℃的低温下获得致密的纳米Ｙ－ＴＺＰ材料，晶粒大小仅８５ｎｍ左右。

采用氮化反应烧结工艺制备β－Ｓｉａｌｏｎ／刚玉复相耐火材料．结果表明，在低于１４５０～１６００℃下的流动氮气气氛中直接氨化反应一定比例的ＡＩ、Ｓｉ、Ａｌ_２Ｏ_３微粉，以及刚玉细粉和颗粒，可以制备不同Ｚ值的β－赛隆（Ｓｉ_６-ｚＡｌ_ｚＯ_ｚＮ_８-ｚ）／刚玉复相材料．但是，最终产物中的β－赛隆相的Ｚ值与设计值存在偏差，这可能与反应过程有关。不同Ｚ值的β－赛隆／刚玉复相材料均显示良好的抗渣铁侵蚀性．同时抗碱试验表明；当预设计Ｚ值为１．５～２．５时具有良好的抗碱性能，而当预设计Ｚ值等于４时，抗碱性下降，这可能与复相材料中Ｓｉａｌｏｎ含量及其Ｚ值有关．

采用（ＣａＹ）Ｆ_３为助烧结剂，低温烧结（１６５０℃， ６ｈ）制备出热导率为２０８Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡＩＮ陶瓷，在烧结过程中，热导率随保温时间的变化服从方程：λ（ｔ）＝λ∞－△λ（０）·ｅ^－ｔ／ｒ·用ＳＥＭ、 ＳＴｈＭ、 ＴＥＭ和 ＨＲＥＭ对 ＡＩＮ陶瓷的显微结构及其对热导率的影响进行了研究，结果表明，晶粒尺寸对ＡＩＮ陶瓷热导率的影响可以忽略，而分隔在ＡＩＮ晶粒之间的晶界相会降低热导率。

采用ＳＨＳ工艺，在１００ＭＰａ高压氮气下，制备了致密的ＡＩＮ－ＴｉＣ陶瓷，相对密度达９５％，抗弯强度达２４０ＭＰａ．研究表明，ＡＩ－Ｎ_２－ＴｉＣ体系ＳＨＳ过程中，当反应温度升至６６０℃时，ＡＩ熔化．高温下熔融ＡＩ在ＴｉＣ表面发生漫流现象，在ＳＨＳ反应区发生液相烧结，从而使反应区孔隙率显著下降，当开气孔闭合时在气相等静压作用下形成致密产物．随着ＴｉＣ含量增加，液相烧结作用增强，产物致密度显著提高，抗弯强度及断裂韧性提高．ＡＩ－Ｎ_２－ＴｉＣ体系的ＳＨＳ致密化主要发生在燃烧波蔓延方向，具有明显的方向性．

针对铝合金直接氮化生长ＡＩＮ过程中的晶体生长过程进行分析，通过Ｘ－ｒａｙ衍射和ＳＥＭ观察，获得了不同生长阶段ＡＩＮ晶体的生长特征，研究了铝合金直接氨化生长氮化铝的反应机制．提出了一种气－液－固－固）晶体生长机制，简称ＶＬＳＳ机制，并着重对ＶＬＳＳ机制的实现条件、实现过程以及与传统的ＶＬＳ晶体生长机制的相同点和差异进行了讨论．

合成了一种二氧化锰电池正极材料．用改进的碱性条件下合成晶型良好的纳米δ－ＭｎＯ_２，合成出了含 Ｍｇ^２＋的钡镁锰矿（Ｔｏｄｏｒｏｋｉｔｅ），经 ＸＲＤ、 ＴＥＭ测试表明其为粒度均匀的纳米大隧道（３×３）ＭｎＯ_２，并在碱性和中性电液中对样品进行恒流放电，循环伏安等电化学性能测试，结果表明循环稳定性良好。

本文采用直接敷铜工艺， １０７０℃流动氮气氛下保温３ｈ制得剥离强度达１１．５Ｋｇ／ｃｍ^２的直接敷铜Ａｌ_２Ｏ_３基板．界面产物ＣｕＡＩＯ_２的形成是获得较高结合强度的关键．敷接温度下，在界面上产生了能很好润湿Ａｌ_２Ｏ_３表面的Ｃｕ［Ｏ］共晶液体，并反应生成了连续的ＣｕＡＩＯ_２层降温时，共晶液体从Ｃｕ侧开始固化并淀析出Ｃu_２Ｏ颗粒．当固化前沿与ＣｕＡＩＯ_２层相遇时，液相参与的界面反应停止．冷却至室温，即可获得Ｃｕ和Ａｌ_２Ｏ_３基板之间的牢固结合．

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了含Ｔｉ多孔粘土材料，并利用ＸＲＤ、ＩＲ、ＤＴＡ等方法对其实验条件进行初步探讨．结果表明，ｓｏｌ－ｇｅｌ法比ＴｉＣｌ_４水解法更容易形成大孔结构，在［Ｔｉ］＝０．８２ｍｏｌ·Ｌ^－１、［Ｔｉ］／±＝２０ｍｍｏｌ·ｇ^－１的条件下，可得到层间开孔达２．９３ｕｍ、比表面３５１．０ｍ~２·ｇ^－１的含Ｔｉ多孔粘土材料，材料在８６０℃之前具有较好的热稳定性．

在铁磷模拟ＨＬＷ熔体和硼硅酸盐熔体ＤＷＰＦ内测量了六种耐火材料的动态腐蚀速度，测量在 １０００～１３００℃之间进行，在铁磷熔体中，致密氧化铝和氧化铬耐火材料有最低的熔线腐蚀速度，二氧化硅、锆英石和ＡＺＳ耐火材料的腐蚀速度比较高．同时，氧化铝和氧化铬耐火材料在铁磷熔体中的腐蚀速度小于它们在硼硅酸盐熔体ＤＷＰＦ中的腐蚀速度．对氧化铬耐火材料来说，其在三种含有模拟ＨＬＷ废料的铁磷熔体中的熔线腐蚀速度＜０．１ｍｍ／ｄａｙ．可以认为商品制造的致密氧化铝和氧化铬耐火材料是可以用来熔化很多铁磷ＨＬＷ废料的，甚至可以熔化含有１６ｗｔ％氧化钠的ＨＬＷ废料．

采用化学共沉淀法成功地制备出适用于彩电显象管内荧光体着色的Ｃｏ_ｘＲ_１－ｘＡｌ_２Ｏ_４（Ｒ＝Ｚｎ、 Ｍｇ， ｘ＝０．８～１．０）钴蓝颜料： ４５０ｎｍ波长处反射率最大提高１８．２％， ６００ｎｍ处反射率最大降低５％。通过对该颜料反射率的影响因素，如掺杂离子类型、掺杂浓度和Ｃｏ^２＋离子浓度的探讨，结论如下：Ｚｎ^２＋、Ｍｇ^２＋改变钴蓝颜料反射性能的作用机理为晶格畸变引起Ｃｏ^２＋３ｄ轨道电子能级分裂程度的变化；对于掺杂离子Ｚｎ^２＋、Ｍｇ^２＋，ｘ下限值分别约为０．８５和０．８．

研究了当燃烧波蔓延通过（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）（ｘ＝０、１０、２０、 ４０ｗｔ％）两层混合粉料时，稀释剂Ｃｕ含量和生坯压制压力ｐ的变化对燃烧波形态和传播速度的 影响．经实验测定，当ｐ＝６０ＭＰａ时；燃烧波在（３Ｔｉ－２ＢＮ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－１０ｗｔ％Ｃｕ）、（３Ｔｉ－２ＢＮ－ ２０ｗｔ％Ｃｕ）、（Ｔｉ－２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物中的传播速度分别为４．９６ｍｍ／ｓ、４．４３ｍｍ／ｓ、 ２．１７ｍｍ／ｓ、 １８．５２ｍｍ／ｓ，燃烧波不能蔓延通过（３Ｔｉ－２ＢＮ－４０ｗｔ％Ｃｕ）单层混合物。对于（Ｔｉ－ ２Ｂ－６０ｗｔ％Ｃｕ）／（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ）层状混合物，从一端点火以后，燃烧波形态随（３Ｔｉ－２ＢＮ－ｘ·Ｃｕ） 层金属含量的增加由弯向（３Ｔｉ－２ＢＮ－Ｕ·Ｃｕ）层的弧形改变为切向该层的楔形．此外，还研究了 生坯压制压力ｐ＝１２、 ２４、 ８４、 １０８ＭＰａ时，不同生坯密度对燃烧波形态和传播速度的影响 规律．

研究了热压法制备０．３ＰＺＮ－０．７ＰＺＴ系压电陶瓷过程中，铅含量以及热压和退火工艺对材料性能的影响．实验结果表明，适当降低铅含量、提高退火温度和退火时间可得到性能优良的压电陶瓷．制得的压电陶瓷密度接近理论密度，电性能指标为： ｄ_３３＝７１５ ｐＣ／Ｎ， Ｋ_ｐ＝０．６５， ｔｇδ＝２．９％， ε_ｒ＝３４５７， Ｑ_ｍ＝５０．１．

采用偏光显微镜观察了６７Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３－３３ＰｂＴｉＯ_３固溶体铁电单晶在室温时 ９０°铁电畴结构．铁电畴结构与晶体质量有关，在正交偏光显微镜下光学透明晶体中存在着尺 寸为２～３ｍｍ的均匀大畴，不同极化方向的大畴重叠形成雾状区，使晶体表现出光学质量宏观 不均匀．在光学质量差的雾状晶体中则存在着 ０．１ｍｍ宽的｛１１０｝型带状孪生畴，使晶体形成 表面浮凸，带状畴内还存在着９０°亚畴．并对这些畴的形成作了讨论．

在研制由钨青铜型压电陶瓷分立驱动器组装成特种圆环状压电驱动器中，发现组装后横向位移模圆环驱动器的位移量呈现异常的变化；它的位移量比分立器件的增加可达～３０％．对组成、器件制备等进行了大量实验，分析认为；分立器件在组装后处于严重的压应力中，它对逆压电效应的影响是上述结果的原因．它的主要机制是在压应力下通过９０°畴重新取向或钨青铜结构中基本组元－氧八面体的畸变使自发极化偏离于原压应力方向，一旦施加电场则造成位移量的大大增加．

在不同烧结气氛下制备了Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料，借助于ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＸＲＦ和阻温测试分析仪，研究了烧结气氛对Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料结构和性能的影响．研究结果表明，低氧分压气氛可促进Ｙ和ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料的烧结，晶粒长大，而且这二种掺杂钛酸钡材料都是ｎ型半导体．经过氩气气氛烧结的Ｙ掺杂钛酸钡材料ＰＴＣＲ效应较弱；而对在氩气气氛中烧结的０．３ｍｏｌ％ＹＦ_３掺杂钛酸钡材料却观察到了较好的ＰＴＣＲ效应，这种效应的产生可能与Ｆ元素取代Ｏ位而导致材料的价控半导有关．

主要研究了ＢＮ对ＰＴＣＲ陶瓷材料低温烧结的作用．对Ｌａ掺杂ＢａＴｉＯ_３ＰＴＣＲ陶瓷，在１１００℃的低温下烧结可以得到室温电阻率为１５０Ω·ｃｍ、升阻比为４．９个数量级的样品．对居里温度为３６０℃的高居里点（Ｂａ_０．４Ｐｂ_０．６）ＴｉＯ_３ ＰＴＣＲ陶瓷材料，选用 Ｎｂ_２Ｏ_５为半导化剂，ＢＮ和ＡＳＴ为助烧剂时，可以在１０００℃左右的超低温下烧成．同时，对ＢＮ助烧剂的液相烧结机制进行了初步的探讨．

研究了β－Ａｌ_２Ｏ_３粉体材料的制备工艺与性质，这种粉体材料可以采用慢速升温、分 阶段保温的工艺，煅烧Ｌｉ_２ＣＯ_３、Ｎａ_２ＣＯ_３和Ａｌ_２Ｏ_３的均匀混合物不经球磨直接制得．根据使用要求与生产条件，混合物可用干混、半湿混－过筛或喷雾干燥法来制备．粉体材料主要由β／β~＂－Ａｌ_２Ｏ_３组成，β~＂相的相对含量＞７０％，加入适当的粘结剂与溶剂，可将其制成大气环境 中金属管道外的固体电解质涂层．涂层中粉体的化学与电化学性能稳定，其阴极极化曲线有明显的平坦区，可用于阴极保护技术．

以液相浸渍法在天然鳞片石墨（ＮＦＧ）表面包覆酚醛树脂后进行热处理，制备了酚醛树脂炭包覆石墨材料．将这种材料作为锂离子电池的负极材料，运用恒电流充、放电法，粉末微电极循环伏安法考察了其在１Ｍ　ＬｉＰＦ_６／ＥＣ＋ＤＥＣ（１：１）电解液中的充、放电性能，并分析了工艺条件中不同热处理温度（ＨＴＴ）对其充、放电性能的影响．实验结果表明，经ＨＴＴ＝９００℃热处理的酚醛树脂炭包覆石墨材料的第三次稳定放电容量（Ｄ_３）为 ２１３．７５ｍＡｈ／ｇ，第三次充、放电效率（η_３）为８８．６９％；并且循环寿命较长，可作为高性能锂离子电池的负极材料．

本文利用射频磁控溅射工艺制备了ＳｉＣＮ薄膜，研究了基本工艺参数如溅射功率、Ｎ分压对薄膜沉积和光学性能的影响．研究结果表明：溅射制备的薄膜中形成了复杂的网络结构，膜中三元素Ｓｉ、Ｃ和Ｎ两两之间形成了共价键．Ｎ分压的提高降低了薄膜的沉积速率．Ｎ流量的提高使光学带隙增大．溅射功率的提高使薄膜的沉积速率提高，但使得光学带隙减小．

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法合成了ＺｒＯ_２薄膜，并通过在ＺｒＯ_２薄膜中复合ＣｄＳ纳米粒子成功地制备了ＺｒＯ_２：ＣｄＳ薄膜．制得的ＺｒＯ_２薄膜透明并具有较好的光透射性，而ＺｒＯ_２的含量及膜厚是影响其光透射性的主要因素．分散在ＺｒＯ_２：ＣｄＳ薄膜中的ＣｄＳ纳米粒子为六方相结构，并具有较好的分散性，其平均尺寸为４～６ｎｍ．实验结果表明：ＺｒＯ_２颗粒的晶化会对薄膜的光学性能及表面形貌产生影响，但ＣｄＳ的形成可以抑制薄膜表面ＺｒＯ_２颗粒的晶化，从而得到较为平滑的薄膜．

利用溶胶－凝胶法制得了　 Ｅｕ^３＋掺杂ＳｉＯ_２气凝胶薄膜，并对其发光及跃迁性质进行了研究．使用原子力显微镜对样品的型貌结构做了观测，采用ＸＲＤ和ＩＲ对所得样品的结构进行了研究，测量了样品的激发－发射光谱、吸收光谱和时间分辨光谱．通过Ｊｕｄｄ－Ｏｆｅｌｔ理论计算了Ｅｕ^３＋的^５Ｄ_０的辐射跃迁几率，并根据时间分辨光谱研究了^５Ｄ_１的无辐射跃迁几率及弛豫性质．虽然结果与掺Ｅｕ^３＋的体硅玻璃没有很大差别，但可通过此简易低温的方法制得掺稀土离子的良好薄膜，这对得到具有轻质玻璃性质的发光薄膜展示了广阔应用前景．

为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨论了溅射参数（溅射功率、 Ａｒ／Ｏ_２比、衬底温度）以及退火条件对氧化铱薄膜的结晶、取向和形态的影响．

采用连续压入法以及球滚接触疲劳法评定不同界面共混工艺所制Ｃｒ－Ｎ镀层膜基结合 强度，并对两种方法试验结果进行分析对比．试验结果表明，在其它参数相同条件下，随着氮离 子轰击能量从１０、２０ｋｅＶ提高到４０ｋｅＶ，动反冲共混界面结合强度则有明显降低的趋势，Ｐ_ｃ 值测量值分别为６５０、７００、３３０Ｎ．当轰击能量为２０、１０ｋｅＶ时，Ｃｒ－Ｎ镀层在△Ｔ_ｒｚ＝４４２ＭＰａ 时，循环疲劳周次达到５．０×１０^６时，镀层未剥落，表现出很高的动态结合强度，而４０ｋｅＶ动反 冲共混界面在△Ｔ_ｒｚ＝４４２ＭＰａ时，循环疲劳周次仅为９．０×１０^５．较低能量（１０、２０ｋｅＶ）氮离子 动态共混界面具有更理想的膜层一基体结合强度．两种方法测试结果具有一致性．当膜层－基 体结合力较高时；压入法评定膜层－基体结合强度更简便、适用．

使用坩埚下降法成功生长了尺寸为φ１０ｍｍ×５０ｍｍ、四方钨青铜结构、透明铌酸钾锂晶体，讨论了引起晶体开裂的主要原因，研究了该晶体的光透过性能和介电性能，室温下该晶体的介电常数ε_３３＝１２７，ε_１１＝３７６，居里温度为３８０℃．

本文利用红外吸收光谱（ＩＲ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）对赤泥黑色玻璃及其晶化过程的结构进行了研究．结果表明：赤泥黑色玻璃晶化析出主晶相为钙铁透辉石，次晶相为钙黄长石．玻璃网络中主要有 ＳｉＯ_４、 ＡｌＯ_４及 Ｆｅ^３＋Ｏ_４四面体结构单元，玻璃结构中具有和钙铁透辉石结构类似的近程排列，这个近程排列具有析出主晶相（钙铁透辉石）的先驱结构．随核化时间延长及晶化温度提高，红外最强吸收带朝低波数方向移动，吸收带强度随晶化温度的提高而明显增大．随Ｆｅ_２Ｏ_３含量增加，网络无序度增大，玻璃红外吸收谱带也向低波数方向移动．

在研究了 ＡｌＮ－型体 １５Ｒ， １２Ｈ和 ２１Ｒ的形成特性的基础上［１］；本工作测定了它们的力学性能，并利用ＳＥＭ观察了显微结构．结果表明，尽管ＡＩＮ－多型体的力学性能较差，但是具有适当烧结添加剂的ＡＩＮ－多型体的抗折强度在室温至１２５０℃的范围内能保持不变，甚至提高５０％；尤其是１５Ｒ和１２Ｈ．ＡＩＮ－多型体的硬度随其组份向ＡｌＮ方向靠近而增加，即２１Ｒ的硬度最高（１２．７～１４．４ＧＰａ），１５Ｒ的硬度为最低（１．５～１２．８ＧＰａ）．ＡＩＮ－多型体的强度和断裂韧性与ＡｌＮ－多型体的类型之间没有这种明显的联系，它们的变化范围分别在３１３～３６６ＭＰａ和３．８～４．８ ＭＰａ·ｍ^１／２之间．本文依据 ＡＩＮ－多型体的结构特征及断裂形貌对它们的力学性能进行了讨论．

采用醇盐的乙醇溶液，在７０℃下水解与结晶分步进行，制备了纳米锐钛矿相二氧化钛胶体及粉体．以ＸＲＤ、ＢＥＴ、ＴＥＭ、ＨＲＥＭ、ＴＧ－ＤＴＡ等方法对胶体及粉体进行了表征．高分辨透射电子显微镜分析表明，所得胶体中二氧化钛晶形发育完整，２２０℃处理后粒子平均粒径为９ｎｍ，比表面积 １７１ｍ^２／ｇ．

贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向是其具有独特力学性能的重要原因．本文采用Ｘ射线衍射方法对我国主要育珠贝（蚌）的贝壳珍珠层中文石晶体的择优取向进行了较系统的研究，结果表明：海水马氏珍珠贝、大珠母贝及企鹅珍珠贝贝壳珍珠层中文石晶体ｃ轴垂直珍珠层面定向排列；淡水三角帆蚌壳珍珠层文石晶体有两种明显择优取向，一种ｃ轴垂直珍珠层层面，另一种ｃ轴与层面斜交，其（０１２）面网方向与层面平行．