设计了一套模拟实验，以获得关于晶体形态和界面非稳定性的差异的可靠数据，如高温溶液生长的骸晶和枝蔓晶．这些实验是在高温实时观察装置（ＨＩＴＩＳＯＴ）内进行的．高温溶液晶体生长实验是在环形铂金丝炉圈内进行的．炉圈直径为２ｍｍ．铂金丝既起加热又起支撑熔体的作用．选用ＫＮｂＯ_３和Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７的混合物进行晶体生长实验．在只存在扩散机制的快速生长过程中，会形成不同的晶体不完整性，如晶面凹坑、骸晶和枝蔓晶．采用淬火实验以分辨不同的ＫＮｂＯ_３晶体形态，并用扫描电镜研究Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７溶体中ＫＮｂＯ_３晶体生长的形貌．在一般情况下，当晶体在气液界面附近液相区成核时，会产生晶体界面非稳定性．导致晶体形状不稳定的溶液层的厚度为６０μｍ．通过扫描电镜观察，发现晶体在这一溶液层中由多面体晶变为枝蔓晶．骸晶和枝蔓晶的各向异性反映了ＫＮｂＯ_３的立方特性，也反映了界面非稳定性是沿［１１０］晶棱扩大的，［１１０］晶棱方向的分支证实了晶体生长形状的各向异性·形成界面非稳定性的临界尺寸为１０μｍ．与此相反，中持稳定的晶面形状是通过６０μｍ厚度以下的溶液内的晶体生长来实现的．晶体生长过程是由高温实时观察装置进行实时观察和记录的，并能观察到晶体固液

从微观动力学角度研究了晶粒的成核机理，认为晶粒的成核机理主要包括生长基元的形成，生长基元之间的氧桥合作用和Ｏ桥转变为ＯＨ桥．并从成核速度角度分析了影响晶粒粒度的主要原因，揭示了影响晶粒粒度的内部原因为生长基元的生成能、晶体的晶格能．由此总结出不同结构类型的氧化物粉体的晶粒粒度的相对大小．即具有ＣａＦ_２或ＴｉＯ_２结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有α－Ａｌ_２Ｏ_３结构的氧化物粉体的晶粒粒度小，具有α－Ａｌ_２Ｏ₃结构的氧化物粉体的晶粒粒度比具有六方ＺｎＳ结构的氧化物粉体的晶粒粒度小．合理地解释了由水热法制得的氧化物粉体的晶粒粒度差别较大的原因以及溶液的ｐＨ值、反应温度对晶粒粒度的影响．

热挤压法成型的卤化银多晶光纤，经不同温度热处理后；光纤的显微结构发生了变化．扫描电镜形貌分析结果显示；热处理温度Ｔ≤１７０℃，显微结构未发生变化，晶粒尺寸１～２μｍ． Ｔ＝２００℃时，晶粒尺寸１０～２００μｍ； Ｔ＝２５０℃时，晶粒尺寸２０～３０μｍ ；Ｔ＝３００℃时，晶粒尺寸３０～４０μｍ．光纤显微硬度测量结果也显示，热处理温度＞１７０℃后，光纤的显微硬度随热处理温度的升高而降低，在２００℃附近硬度降至最低值．

在微波场作用下，首次快速合成了球形亚超细尺寸的 ＣａＳ： Ｍｎ^２＋，Ｅｕ^２＋深红色荧光 体，ＳＥＭ照片显示其粒径为２５０～４００ｎｍ，并可观察到纳米粒子的团聚现象，呈现零维纳米材 料的特性．实验结果证实，Ｍｎ^２＋与Ｅｕ^２＋离子间存在着能量传递过程，因而Ｍｎ^２＋对Ｅｕ^２＋ 的发光具有明显的敏化和增强作用．

采用溶胶－凝胶工艺制备了不同晶粒大小的、掺铅（５ｍｏｌ％）钛酸钡（ＢＰＴ）纳米晶．用ＴＥＭ、ＸＲＤ和ＤＳＣ研究了ＢＰＴ样品的晶粒大小、结构及其相变特性．结果表明，纳米晶ＢＰＴ随着晶粒尺寸的减小，由铁电四方相向顺电立方相过度，并且相变变得弥散．其顺电－铁电相变随着晶粒尺寸的减小而消失．另一方面，随着晶粒尺寸的增加，其铁电四方－铁电正交相交消失，即抑制了其正交相的形成．

用溶胶－凝胶法制备纳米级α－ＭｎＯ_２，并对实验条件进行了讨论．对所得的样品进行了ＸＲＤ、ＩＣＰ、ＴＥＭ、化学分析、恒流放电、循环伏安等一系列测试，并与国际一号样（Ｉ．Ｃ．ＮＯ．１电解二氧化锰）相比较．虽然纳米级α－ＭｎＯ_２的单独放电性能并不好，但是当纳米级α－ＭｎＯ_２以一定比例与Ｉ．Ｃ．Ｎｏ．１号样混合时，在浅度和深度放电区内的放电容量都比Ｉ．Ｃ．Ｎｏ．１高．

对ＦＥ－ＡＦＥ相界附近ＰＺＳＴ陶瓷结构、性能及场诱相变临界参数随组份和温度的变化进行了研究，在相变临界温度ＴＦＥ－ＡＦＥ以下，被电场诱导出的铁电态在撤去电场后以亚稳态形式存在；随着温度升高，亚稳铁电态在此温度转变为反铁电态．随着Ｔｉ含量的增加，样品由四方反铁电相穿越相界转变为三方铁电相，介电常数峰值ε_ｍａｘ增大；同时亚稳铁电态→反铁电态相变温度Ｔ_{ＦＥ－ＡＦＥ}上升，电场诱导的 ＡＦＥ→ＦＥ相变临界参数 Ｅ_{ＡＦＥ－ＦＥ}、E_{ＦＥ－ＡＦＥ}减小．实验中发现Ｅ_{ＡＦＥ－ＦＥ}和ΔＥ分别与Ｔ_{ＦＥ－ＡＦＥ}和Ｔ_ｃ相关，随着Ｔ_{ＥＦ－ＡＦＥ}的升高和Ｔ_ｃ的降低，Ｅ_{ＡＦＥ－ＦＥ}和ΔＥ相应减小．

系统研究了（１－ｘ）Ｎａ_１／２Ｂｉ_１／２ＴｉＯ_３－ｘＢａＴｉＯ_３（ｘ＝０．０２、０．０４、０．０６、０．０８、０．１０）无铅压电陶瓷系统的相界、材料压电性能，弛豫特性及相变．这个系统的陶瓷材料具有Ｋ_ｔ／Ｋ_ｐ较大，频率常数比较高等特点．Ｘ－ｒａｙ衍射结构分析发现此系统的相界在０．０４＜ｘ＜０．０６之间；材料的一些主要性能在相界附近达到极值．利用介电系数－温度曲线，并结合热激电流曲线对此系统的弛豫性进行研究和分析；初步研究了各配方组成的铁电－顺电的相变过程，发现在一定的组成范围内，材料在由铁电相向顺电相的转变过程中经历了一个过渡相区．

采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ_２厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究ＳｎＯ_２气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明，随保温时间延长，试样的电阻－电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零，说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究．在新加工的样品中发现了六个内耗峰，分别位于７０℃（Ｐ_１峰）、 ９０℃（Ｐ_２峰）、２００℃（Ｐ_３峰）、２６０℃（Ｐ_４峰）、４３０℃（Ｐ_５峰）和５１０℃（Ｐ_６峰）处．对引起Ｐ_３、Ｐ_１、Ｐ_２和Ｐ_４峰的物理机制进行了详细探讨．分析结果表明，Ｐ_３峰的本质是一定化的 Ｄｅｂｙｅ弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为１．０１４Ｖ和 ２．４×１０^－１４ｓ．它源于氧空位与畴壁的相互作用． Ｐ_１、 Ｐ_２和 Ｐ_４峰与试样的切割加工密切相关，可归结为点缺陷与位错的交互作用．

探讨了添加 ＺｒＯ_２对 ＣｅＯ_２／Ｓｍ_２Ｏ₃体系电导率和力学性能的影响，并用 ＸＲＤ、ＳＥＭ等对材料的微观性能进行了试验分析．结果发现，添加 ＺｒＯ_２使材料的电导率降低，主要是因为ＺｒＯ_２的固清使得ＣｅＯ_２电解质材料的晶格常数减小，活化能增加造成的；添加 ＺｒＯ_２可提高材料的断裂强度，使材料断裂以穿晶断裂为主，其原因可能是ＺｒＯ_２的固溶强化了晶界；添加 ＺｒＯ_２促进了致密烧结，使晶界结合紧密．实验确定，外加 ２．５ｍｏｌ％ ＺｒＯ_２的 ＣｅＯ_２电解质具有适中的强度和电导率，可以作为电解质材料应用．

用两步合成法制备了（１－ｘ）Ｐｈ（Ｎｉ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３－ｘＰｂＴｉＯ_３（ｘ＝０．３０～０．４０）陶瓷，对其相 结构和介电性能进行了研究．ＸＲＤ分析表明，准同型相界在ＰＴ含量ｘ＝０．３４～０．３８范围内． 介电性能研究结果表明；组成在准同型相界处的试样，其介电常数呈现最大值．同时还发现， 准同型相界处的陶瓷出现介电双峰，其中一个为弛豫型铁电相向顺电相转变的相变峰；另一个 介电峰处于１３０～１５０℃的高温区，可能是由镍离子变价、相结构变化等缺陷引起的松弛极化 产生的．

在温和条件下，以３－氨丙基三乙氧基硅烷为偶联剂，修饰介孔分子筛 ＭＣＭ－４１（Ｓｉ／Ａｌ＝３５），成功地将有机官能团引入到介孔分子筛孔道中，制备了一种无机一有机复合材料ＭＣＭ－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２，以 ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、ＤＴＡ－ＴＧＡ、 Ｎ_２吸附－脱附和 ＨＲＥＭ表征了复合材料；结果表明：有机基团－（ＣＨ_２）_３ＮＨ_２不仅进人孔道、修饰了ＭＣＭ－４１的孔壁，而且使介孔分子筛ＭＣＭ－４１保持了有序的孔道结构．

多孔Ｌａ_０．６Ｓｒ_０．４Ｃｏ_０．２Ｆｅ_０．８Ｏ_３－δ陶瓷具有一定的强度、良好的透气和电传导性能，可用于中温 ＳＯＦＣ阴极支撑体和氧分离膜活性支撑体．本文用固相反应法制备了多孔Ｌａ_０．６Ｓｒ_０．４Ｃｏ_０．２Ｆｅ_０．８Ｏ_３－δ陶瓷．考察了烧结条件、成型压力和有机添加剂量对孔隙率和孔径的影响．研究发现气体渗透率随孔隙率线性增长，电导率随孔隙率的增大而下降，并满足关系式σ＝σ_０（１— Ｐ）^３．１．

测定了２－膦酸丁烷－１；２，４－三羧酸（ＰＢＴＣＡ）的电离特性，并通过Ｚｅｔａ电位、粒径分布、沉降、比表面积等手段研究其在Ａｌ_２Ｏ_３表面的吸附及其对电动特性和稳定性的影响．结果表明；ＰＢＴＣＡ在Ａｌ_２Ｏ_３表面发生化学吸附，并能显著提高颗粒表面的带电量，从而改善浆料的稳定性．ＦＴＩＲ研究表明；羧基及磷酸基均参与了ＰＢＴＣＡ在Ａｌ_２Ｏ_３表面的化学吸附，从而提高了吸附强度．通过对沉积物表面ＳＥＭ照片的灰度分析发现，其表面形貌具有分形特征，且悬浮液的稳定性越好，沉积物表面的分维值Ｄ_ｆ越大．

直接凝固注模成型（ＤＣＣ）是一种新的近净尺寸陶瓷成型工艺；它是通过可控制反应速率的酶催化反应来实现浆料原位固化的．本文将悬浮体流变学与陶瓷浆料的成型工艺学有机结合，通过陶瓷浆料的动态弛豫实验，研究了Ｓｉ_３Ｎ_４浆料ＤＣＣ成型的凝固动力学．结果表明：“凝固时间”可以成功地描述陶瓷浆料的凝固过程，动态弛豫实验为陶瓷浆料的凝固动力学提供了一条简便可行的研究方法．在Ｓｉ_３Ｎ_４浆料ＤＣＣ成型工艺条件优化的基础上，制备出了气孔分布均匀的Ｓｉ_３Ｎ_４坯体．

研究了Ｓｉ_３Ｎ_４粉末粒度、相组成、ＡＩＮ粉末的粒度及分阶段烧结工艺对气压烧结α／β－ｓｉａｌｏｎ的致密化、产物相组成和力学性能影响．采用三阶段保温烧结（１７００℃，１ｈ，１８００℃，１ｈ及１９５０℃，１．５ｈ）减少了Ｓｉ_３Ｎ_４与液相在高温反应促进了材料致密．适当的烧结工艺下及用适当的埋粉；细ＡｌＮ原料有利于材料致密．细Ｓｉ_３Ｎ_４原料（０．３μｍ）中氧杂质增加导致复合材料中α－ｓｉａｌｏｎ相减少．实验中采用β－Ｓｉ_３Ｎ_４原料时，产物中没有发现α－ｓｉａｌｏｎ．当Ａｌ_２Ｏ_３添加量发生较小变动时（如从３．７ｍｏｌ％变为５．１ｍｏｌ％），产物显微形貌发生明显变化．当以ＹＡＧ代替等量的Ａｌ_２Ｏ_３和Ｙ_２Ｏ_３作为添加剂时，产物中含有更丰富的长柱状β－ｓｉａｌｏｎ晶粒，１３００～１９００℃相动力学过程研究表明：ＹＡＧ延缓α－ｓｉａｌｏｎ的生成．较少的α－ｓｉａｌｏｎ空间限制及较多的液相促进β－ｓｉａｌｏｎ晶粒的生长．

使用溶胶－凝胶法在硬质合金粉末表面涂覆了一层氧化铝陶瓷，涂层粉末经热压烧结后，制得一种新型的涂层刀具材料．这种刀具材料的耐磨性与陶瓷材料接近，并且具有较高的强度和韧性，在切削高硬度材料时表现出良好性能，具有广阔的应用前景．

本文研究了影响自燃烧工艺的几个工艺条件，如溶液ＰＨ值、溶液中水含量、加热温度等因素对凝胶化的影响；利用差热热重分析仪和Ｘ射线衍射仪分析了干凝胶的热历程及产物的物相结构．结果表明，自燃烧粉末的晶化峰温为 ５０９℃，在 ８００℃ 煅烧２ｈ即可得到晶化的一次颗粒＜５０ｎｍ的ＢａＮｄ_２Ｔｉ_５Ｏ_１４粉末，并分析了产生温度差异的原因。

利用差热分析和ＸＲＤ分析确定了Ｔｉ与Ｂ_４Ｃ发生化学反应的温度和１６００℃保温０．５ｈ后的物相组成，通过Ｔｉ－Ｂ_４Ｃ扩散偶对反应机理进行了研究，实验结果表明在反应过程中扩散路径是：Ｔｉ／ＴｉＣ／ＴｉＢ／ＴｉＢ_２／Ｂ_４Ｃ，在扩散偶中Ｔｉ与Ｂ_４Ｃ作为反应相始终存在，生成物中 ＴｉＢ_２， ＴｉＢ和 ＴｉＣ三相同时存在，而对于粉料烧结后只有 ＴｉＢ_２和ＴｉＣ两相．

以ＳｉＣ作为磨粒较全面地研究了Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的磨损性能：冲蚀磨损和磨粒磨损性能．Ｓｉａｌｏｎ陶瓷在冲蚀磨损实验中表现出了脆性冲蚀的特征，在高角冲蚀下，冲蚀磨损率随着冲蚀角度的增大而迅速增加，并在冲蚀角为９０°附近达到最大．ＳＥＭ分析表明Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的冲蚀磨损机理主要是显微切削和表面颗粒拔出脱落．在Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的磨粒磨损实验中，较高载荷作用下，磨损量与时间之间有指数变化关系；较低载荷作用下，磨损初期有一个短暂的磨损量基本不变的孕育阶段，随后进入快磨损阶段，本文对该孕育现象进行了探讨．对磨损表面的ＳＥＭ分析发现；Ｓｉａｌｏｎ陶瓷的磨粒磨损机理主要是犁耕和表面断裂脱落．

采用等离子喷涂方法，在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基体上成功地制备了ＨＡ／Ｔｉ复合涂层，并对复合涂层的微观结构、相组成和力学性能进行了研究．结果表明，ＨＡ和Ｔｉ两相均匀地分布于复合涂层中．ＨＡ／Ｔｉ复合涂层的结合强度明显高于纯 ＨＡ涂层，这主要是由于 ＨＡ／Ｔｉ的复合缓和了涂层与基体之间的热膨胀系数失配．ＨＡ／Ｔｉ复合涂层在模拟体液中浸泡一段时间后，结合强度没有明显降低．ＨＡ／Ｔｉ复合涂层的断裂韧性和硬度均高于 ＨＡ涂层．

旋转 ＣＶＩ是在 ＣＶＩ原理基础上发展的一种制备 Ｃ／ＳｉＣ复合材料的新工艺，通过石墨衬底的旋转，使预制体的制备与基体的沉积同步进行，能有效消除一般ＣＶＩ工艺过程中存在的“瓶颈”效应．在自制的旋转 ＣＶＩ设备上实验，探索了旋转 ＣＶＩ工艺参数中 ＣＨ_３ＳｉＣｌ_３（ＭＴＳ）的流量与浓度、沉积温度和Ｃ布缠绕线速度对ＳｉＣ基体沉积速度，以及沉积温度对基体结构的影响．并在低压（５ｋＰａ）、高温 （１１００℃）、 ４００ ｍＬ·ｍｉｎ^－１ Ｈ_２、 ２００ ｍＬ·ｍｉｎ^－１Ａｒ、 ＭＴＳ４０℃与Ｃ布以１．１～３．５ｍｍ·ｍｉｎ^－１的线速度连续旋转的沉积条件下，实现了单丝纤维间微观孔隙、纤维束之间以及Ｃ布层间宏观孔隙的致密化同步完成．

降低陶瓷材料表面电荷的积累一直是俄歇分析技术能否成功应用于该类材料必须解决的首要问题. 通过实验认为：陶瓷材料试样减薄法可以用来降低表面电荷.采用这种方法，样品可分析区域大小仅依赖于电子束斑尺寸. 因而，用Microlab 310--F热场发射扫描俄歇微探针分析仪能在几十纳米的微区内，获取结构信息和除氢氦外的化学成分信息，突破了陶瓷材料在低电压、低电流下约几十微米的分析范围. 在此基础上，挑选了掺Dy的α-Sialon ，掺Y、La的α-Si₃N₄与以Al₂O₃为基体加入SiC晶须, 并通氮气氛处理的三种高性能陶瓷作为实验对象，分析和研究它们的晶粒、界面的成份、化学态和结构.发现α-Si₃N₄和α-Sialon陶瓷中的Si(LVV, KLL)峰位都会向低能端漂移,峰位分别为: 84eV 和1613eV. Si--N--O的结合态又使Si(LVV)峰继续漂移到80eV左右. 掺Y、La的α-Si₃N₄的玻璃相区, Si至少以两种或者两种以上的化学态存在.掺Dy的α-Sialon陶瓷的局部区域内有四种组分不同的固溶相及三种组分不同的晶间相. 另外, 在SiC与SiC-BN-C纤维补强复合陶瓷材料的断裂面，观察到从SiC基体拔出的纤维表面的大部分是残留的C层与C-BN交界层.

本文报道了氟化物激光晶体Ｎｄ^３＋： ＬｉＹＦ_４的坩埚下降法生长工艺．采用经氟化处理的无水氟化物原料，按照 ＬｉＦ： ＹＦ_３＝ ５１．５： ４８．５的比例配料，控制炉体温度于 ９２０～９６０℃，晶体生长速度为 ０．４～０．８ ｍｍ／ｈ，通过密闭条件下的坩埚下降法生长出尺寸为φ ４２５ｍｍ×８０ｍｍ的完整单晶．

通过氨气和五羰基铁之间的气－液化学反应，制备出了稳定的氨化铁磁性液体．较为详细地研究了原料的配比、反应温度、表面活性剂的种类及用量等实验参数对产品性能的影响．利用ＸＲＤ、ＴＥＭ和振动样品磁强计（ＶＳＭ）等技术对产品的化学组成、固体粒子的粒径、晶型及磁性能进行了测定．制备的磁性液体具有较高的饱和磁化强度，达到０．１３４Ｔ．

由０．２ｍｏｌ·Ｌ^－１Ｆｅ^３＋采用微波诱导加热制备了纳米尺寸的准立方形和纺锤形α－Ｆｅ_２Ｏ_３粒子，与常规加热方式比较微波加热制得的α－Ｆｅ_２Ｏ_３粒子粒径小且分布均匀，实验证明无机离子加 Ｈ^＋、ＯＨ^－和 Ｎａ^＋等的加入可明显加速反应速率．

以ＴｉＣｌ_４为原料，制备了金红石相透明的氧化钛胶体（ｄ＝３ｎｍ）和粉体（ｄ＝６．８ｎｍ）．用紫外－可见光谱、反射光谱和导数吸收谱研究了金红石相氧化钛纳米晶的量子尺寸效应．实验观测到的量子尺寸效应比锐钛矿相氧化钛显著；也大于有效质量近似和紧束缚近似的预测值．

直接敷铜Ａｌ_２Ｏ_３基板已被广泛应用于大功率场合．本文通过Ｃｕ箔表面预氧化生成Ｃｕ_２Ｏ的方法引入氧，１０７０℃在Ｃｕ箱和Ａｌ_２Ｏ_３基板界面上所产生的Ｃｕ－Ｃｕ_２Ｏ共晶液体促进了二者的牢固结合．流动氮气氛下保温１ｈ，观察到了明显的界面产物层．ＳＥＭ和ＸＲＤ的分析表明，界面产物相为ＣｕＡｌＯ_２．

本文研究了准同型相界处铌镁酸铅－钛酸铅（ＰＭＮＴ）陶瓷材料的介电压电性能，合适的组份和烧结，可使ＰＭＮＴ陶瓷材料具有较好的压电性能，ｄ_３３达５４０ｐＣ／Ｎ，ｋ_ｔ达０．５０以上．观察了不同烧结工艺下陶瓷材料的微观结构，烧结时间过长不仅使晶粒尺寸变大，亦可造成晶粒快速生长．对化学组成和微观结构与压电性能之间的关系进行了讨论．

采用镍过渡层研究了铜基片上金刚石薄膜的化学气相沉积．镍过渡层与铜基底间在高温退火条件下形成的铜镍共晶体明显地增强了金刚石薄膜与铜基片之间的结合力．用扫描电子显微镜和激光Ｒａｍａｎ谱研究了薄膜的形貌和质量；采用高温氢等离子体退火工艺在基片表面形成的铜镍碳氢共晶体上抑制了无定形碳和石墨的形成，有利于金刚石薄膜的生长．金刚石薄膜的均匀性受到共晶体的均匀性的影响．

利用吸收和荧光光谱研究了ＺｒＯ_２：ＣｄＳ薄膜的光物理特性．实验观察到了随颗粒尺寸的减小ＣｄＳ的吸收带边的蓝移现象．研究了不同激发条件下的荧光光谱，发现了薄膜中ＣｄＳ的微弱的荧光发射．并且分析了介质效应对ＣｄＳ光学特性的影响．

采用等离子喷涂技术，在钛合金基体表面制备羟基磷灰石涂层．使用ＸＲＤ和ＳＥＭ等测试手段，对获得的涂层进行了表征．结果表明，等离子喷涂过程中，同时发生羟基磷灰石的非晶化与热分解现象．热分解产物为ＣａＯ及α－Ｃａ_３（ＰＯ_４）_２．非晶化是高温羟基磷灰石液滴急剧冷却的结果．羟基磷灰石材料的热力学不稳定性，是发生热分解的主要原因．等离子喷涂获得具有一定粗糙度的羟基磷灰石涂层．涂层的显微结构中；存在气孔以及微裂纹．它们是等离子喷涂工艺的显微结构特征．羟基磷灰石涂层内部存在着烧结现象．涂层与金属基体之间的热传递性能变差，是导致烧结的主要原因．

通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ_６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ_６０分子全部分解，这一研究结果对解释Ｃ_６０分子促进金刚石成核将起到重要作用．