简要回顾了激光非线性复合功能晶体(即自倍频晶体)的发展过程,从结构、生长和性能等方面对现已研制发展的Nd:Mg:LiNbO₃(NMLN)、Nd_xY_1-xAl₃(BO₃)₄(NYAB)、Cr:KTP、LaBGe_^O5:Nd³⁺、β’-Gd₂(MoO₄)₃:Nd³⁺(GMO:Nd³⁺)、掺Nd³⁺或Yb³⁺的ReCa₄O(BO₃)₃(ReCOB;Re=Gd、Y)(即 Nd:GdCOB、Yb:GdCOB、Nd:YCOB、Yb:YCOB)、Yb:BaCaBO₃F 等几种主要类型的自倍频晶体的研究现状进行了总结,并对该类晶体的发展做了展望.

回顾了用有机硅聚合物制备陶瓷历史，综述了工艺及材料性能，其中碳化硅、氮化硅等纤维，碳化硅、氮化硅、二氧化硅等薄膜已进入实用阶段；重点介绍了在高温１４００～２０００℃下长期稳定存在的块体材料研究进展和趋势．

利用差热分析、热膨胀曲线与Ｘ射线衍射等方法研究了含ＴｉＯ_２和ＺｒＯ_２的 ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２玻璃的析晶过程．７８０℃时玻璃中析出的镁铝钛酸盐促使玻璃在８００℃析出Ｍｇ－透辉石，随后在 ９３０℃Ｍｇ－透辉石和镁铝钛酸盐开始向假蓝宝石、金红石和Ｚｒ／Ｔｉ固溶体转变；１０３０℃假蓝宝石开始转变为β－石英固溶体，而在１１２５℃以上温度，β－石英固溶体转化为α－堇青石、方石英和顽火辉石，同时金红石和Ｚｒ／Ｔｉ固溶体向锆英石和钛酸镁转变．依据玻璃析晶序列，选择在９３０～１０５０℃间温度下对玻璃进行热处理，制得以假蓝宝石为主晶相的微晶玻璃．此微晶玻璃具有细小均匀的晶粒结构，具有高的弹性模量（１２０ＧＰａ）和良好的表面性能，是适宜的硬盘基板材料．

研究了用固相法制备的高密度发光材料γ－Ｂｉ_２ＷＯ_６：Ｐｒ^３＋的结构、光致发光光谱、激发谱和γ－Ｂｉ_２ＷＯ_６的漫反射谱．由实验测得它的晶格参数为α＝５．４５Ａ，ｂ＝１６．４２Ａ，ｃ＝５．４３Ａ，密度Ｄ_ｘ＝９．５３ｇ／ｃｍ^３．它的光致发光光谱主发射峰位于６００、６０８、６１１、６２９ｎｍ，分别来自于Ｐｒ^３＋的^１Ｄ_２→^３Ｈ_４、^２Ｐ_ｏ→^３Ｈ_６、^３Ｐ_ｏ→^３Ｈ_６、^３Ｐ_ｏ→^３Ｆ_２跃迁的发射．其激发谱由位于约２２５～４３０ｎｍ范围内、最大值约在３７２ｎｍ的主激发带和４５０ｎｍ的激发峰组成；主激发带来自于基质，可能是基质的带间吸收、Ｗ－Ｏ间电荷迁移吸收和缺陷能级的吸收；４５０ｎｍ的激发峰来自于 Ｐｒ^３＋的^３Ｈ_４→^３Ｐ_２跃迁吸收．ＢＷＯ：Ｐｒ^３＋的最佳掺杂浓度为 ０．８ｍｏｌ％左右．

在用固相反应法合成电解质材料Ｌａ_０．９Ｓｒ_０．１Ｇａ_０．８Ｍｇ_０．２Ｏ_３－δ（ＬＳＧＭ）的基础上，研制出中温固体氧化物燃料电池ＬＳＧＭ＋ＮｉＯ阳极基底；考察了阳极基底孔隙率、孔径分布及电导率随组成变化的规律；研究了阳极基底组成、微观结构、制备工艺等对负载型ＬＳＧＭ电解质薄膜成膜过程及质量的影响和负载型电解质薄膜在还原气氛中的结构稳定性；采用湿化学物理方法及等静压烧结工艺成功地制备出了厚度为２０～５０μｍ的负载型致密ＬＳＧＭ电解质薄膜．研究表明；ＮｉＯ含量为６０％的阳极基底具有适宜的烧结收缩率、孔隙率与孔径分布，且比表面积与比孔容积均较大，适合作为ＳＯＦＣ的阳极．随着ＮｉＯ含量的增加，还原后阳极基底的电导率有所增大．其中低ＮｉＯ含量的阳极基底在还原后的初生态，其电导率在交变信号的诱导下发生弛豫现象而迅速增大，并由离子导电性转变为金属导电性．而高ＮｉＯ含量的阳极基底，其还原后的电导率随测量时间的延长变化很小，并从一开始就表现出金属导电的性质．采用无约束烧结程序制备的负载型ＬＳＧＭ电解质薄膜，表面为粗大的片状晶粒，还原后在晶界处产生裂纹．而采用等静压烧结程序制备的负载型ＬＳＧＭ电解质薄膜，表面为细小、形状规则的晶粒, 晶界结合紧密, 且还原后晶界无裂纹出现.

使用传统的水解方法制备了氢氧化镍胶体，在３００℃下进行热处理后得到具有特殊材料微结构以及表面特性的超细氧化镍材料，电化学方法证明该材料制备的电极具有典型的电容性能，“准电容”比容量达到２４０Ｆ／ｇ以上，优于普通的双电层电容器活性炭电容材料比容量，本文首次提出了电容器的正负极采用不同材料的新技术，有效的解决了电容器工作电位范围相对较窄的不足，并且明显的改善了电容器的大功率放电特性，是一种极具有发展潜力的储能器件．

ＬｉＮｉ_０．８Ｃｏ_０．２Ｏ_２是很有希望取代ＬｉＣｏＯ_２的新一代锤离子电池正极材料．采用控制结晶法合成球形 α－Ｎｉ_０．8
Ｃｏ_０．２（ＯＨ）_２为前驱体，与 ＬｉＯＨ·Ｈ_２Ｏ混合，在７００℃通Ｏ_２热处理４ｈ合成锂离子电池正极材料ＬｉＮｉ_０．８Ｃｏ_０.２Ｏ_２粉末．Ｘ光衍射分析表明合成的ＬｉＮｉ_０．８Ｃｏ_０．２Ｏ_２粉末结晶良好，具有规整的α－ＮａＦｅＯ_２层状结构．扫描电镜分析表明粉末颗粒呈球形，粒径约８μｍ．粉末的流动性好，堆积密度高．充放电测试表明，合成的 ＬｉＮｉ_０．８Ｃｏ_０．２Ｏ_２正极材料具有优良的电化学性能：首次充电比容量为１９７ｍＡｈ·ｇ^－１，放电比容量为１７４ｍＡｈ·ｇ^－１，１０次充放电循环后保持初始放电比容量的９６．６％．

用“三电极”法测量 Ｐｔ／ＺｒＯ_２电极的过电位，利用反应级数分析和多步骤反应理论寻找电极的极化机制，发现Ｐｔ／ＺｒＯ_２电极在４００～６００℃温度范围内的极化机制为自由电子由电极材料铂向ＺｒＯ_２表层的传输过慢．

研究了不同煅烧温度下，锐钛矿相、混晶和金红石相二氧化钛纳米晶的粒径、比表面积和吸收光谱的变化．经相同的温度煅烧后，金红石相二氧化钛纳米晶的生长速率和比表面积下降速率均大大高于锐钛矿相，表明高温反应或煅烧难以获得金红石相纳米晶．真空热处理的金红石相二氧化钛纳米晶可以保持较高的比表面积和较小的粒径，但易导致非化学配比、晶格缺陷并降低了粉体的性能．

采用十二烷基胺（ＤＤＡ）做模板合成了二氧化钛颗粒，并在氮气流中以不同温度碳化制出了掺碳的二氧化钛．掺碳二氧化钛的结构由透射电子显微镜（ＴＥＭ）、氮气吸附－脱附等温线、ＸＲＤ、ＸＰＳ等表征．掺碳二氧化钛颗粒的电镜照片显示颗粒中存在不规则孔，粒径大小为１３０～２００ｎｍ；氮气吸附－脱附等温线表明这些符合Ⅳ型等温线的颗粒存在介孔；ＸＲＤ显示在６７３Ｋ和８７３Ｋ碳化的二氧化钛是锐钛型结构；ＸＰＳ分析显示碳主要分布在粒子的表面．ＤＤＡ和二氧化钛的摩尔比在０．０４９～０．０９２，并在６７３Ｋ碳化的掺碳二氧化钛粉末分散在石蜡油中形成无水电流变液，因为在粒子表面的碳有合适的电导率，所以表现出很强的电流变效应．

研究了ＴｉＯ_２气凝胶形成过程中制备条件和凝胶化过程对块状ＴｉＯ_２气凝胶宏观性质的影响，结果表明所得气凝胶是由粒度约为４～６ｎｍ的ＴｉＯ_２非晶态微粒连结而成的具有均匀网络结构的多孔性超轻量级块状材料，通过严格控制制备过程中凝胶化过程的条件及状态，可以获得不同密度不同品质的ＴｉＯ_２气凝胶．

对以ＴｉＣｌ_４和ＢａＣｌ_２为原料，以ＮＨ_４ＨＣＯ^３＋ＮＨ_３·Ｈ_２Ｏ作沉淀剂，制备钛酸钡粉末的过程进行了详细的热力学分析，找出了合成钛酸钡的条件和范围，详细地讨论了反应方式和前躯体洗涤条件．实验研究了反应物钡钛比，终点ｐＨ值，煅烧温度，以及分散剂对产物理化性能的影响．结果表明：在ＮＨ_４ＨＣＯ_３／ＢａＣｌ_２＝１．２，ＴｉＣｌ_４／ＢａＣｌ_２＝１－１．０１，充分搅拌反应１ｈ，煅烧温度９２０℃，煅烧时间２ｈ条件下，可以制得较理想的产物．在反应体系中加入适量分散剂可以明显降低产物的粒径．

采用Ｈ_２＋Ｈ_２Ｏ还原法，通过控制Ｈ_２Ｏ／Ｈ_２比可改善粉体晶粒链状结构的晶间界面结构，采用ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＶＳＭ等方法测试粉体的晶体结构、粒子形貌和磁性能．结果为金属磁粉的矫顽力提高；粒子形状均匀，表面平滑，毛刺少；４６０℃时Ｈ_２＋Ｈ_２Ｏ还原金属磁粉的矫顽力为１５２０Ｏｅ，比传统氢还原工艺矫顽力１４４０Ｏｅ提高５．６％．采用流化床反应器，具有温度均匀，气固接触充分，可防止颗粒烧结等优点，工业应用前景广阔．

采用高分子表面修饰－共沸蒸馏工艺成功地制备了纳米氧化锆微粒；合成过程中高 分子的空间位阻作用阻碍了前驱体颗粒的长大，通过与正丁醇的共沸蒸馏有效地脱除了前驱体 内的水分，在颗粒表面形成了正丁醇分子的包裹结构，在随后的干燥过程中避免了颗粒间形成 强化学键，获得了平均粒径在２０ｎｍ的无团聚的纳米微粒．纳米氧化锆微粒加入到润滑脂中能 明显改善后者的耐磨性能．

放电等离子烧结ＴｉＢ２过程中真空室气压Ｐａ有二个峰值，本文对Ｐａ第二峰进行了研究．研究结果表明：Ｐａ第二峰是烧结过程中化学反应导致的气相沉积所致．原始粉末和烧结工艺对Ｐａ第二峰有影响，而Ｐａ第二峰也影响烧结材料的微观结构．

直接凝固注模成型是一种新颖的原位凝固成型工艺，特别适合于复杂形状陶瓷部件的成型．通过粉体的表面改性、浆料ｐＨ值的调节以及引入高效分散剂等途径制备出了低粘度高固含量的氮化硅浆料，通过直接凝固注模成型可以获得适当的素坯密度和强度．坯体气孔分布均匀，为较窄的单峰分布，断口光滑平整，坯体各部位密度具有很好的均匀性．在相对较低的烧结温度下（１７５０℃），成型坯体经过无压烧结可达到理论密度的９８％，基本实现致密化．烧结体结构均匀，晶粒均匀生长，发育良好．经１８００℃烧结２ｈ后，抗折强度达７５８．４ ＭＰａ，断裂韧性为６．３ＭＰａ·ｍ^１／２．

报道了化学气相浸渍（ＣＶＩ）工艺制备的ＳｉＣ（ｆ）／ＳｉＣ复相陶瓷中纤维表面涂层对复合材料力学性能和显微结构的影响．ＳＥＭ观察表明：Ｃ或 ＢＮ表面涂层改变了ＳｉＣ（ｆ）／ＳｉＣ复相陶瓷中纤维与基体间的强界面结合，使断裂过程中的界面解离和纤维拔出大大增加，与此同时材料的断裂韧性和断裂功明显提高．说明Ｃ或ＢＮ纤维表面涂层能够大大地改善ＳｉＣ（ｆ）／ＳｉＣ复相陶瓷的脆性断裂行为模式．高分辨电镜的观察证实在ＣＶＩ过程初期，纤维表面首先发生石墨界面相的沉积．该界面相具有明显的层状晶格条纹，而纤维表面Ｃ涂层为无定型态．

采用有机泡沫浸渍工艺制备了碳化硅基网眼多孔陶瓷．研究了真空脱气处理对浆料流变特性和烧结体的力学性能及显微结构的影响．结果表明；脱气处理改善了浆料的流变特性，使浆料在有机泡沫体上的涂覆量增加和结构均匀性得到改善；压汞仪测试数据和ＳＥＭ观察表明脱气处理明显地消除了孔筋内的孔径为１００μｍ左右的大气孔；经脱气处理后，材料的抗弯强度从２．３４ＭＰａ提高到３１８ＭＰａ．脱气处理对网眼陶瓷强度的改善主要来自两方面的贡献：一是相对密度的增加，二是孔筋中大气孔的消除，但后者是最主要的贡献，这个结果与目前建立的开孔陶瓷泡沫的力学模型吻合得很好．

采用一种以醇盐水解法为基础的生长硅溶胶的方法，制备了粒径为２００ｎｍ的单分散二氧化硅球形颗粒，并将其作为核心，利用常温连续进料的钛酸丁酯水解的多步法，在二氧化硅核心外经多次包覆形成厚层二氧化钛；在正硅酸乙酯的水解和陈化环境下，将上述ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２复合颗粒外再包覆一薄层二氧化硅，形成一种高折射率，可用于组装光子晶体的ＳｉＯ_２／ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２多层复合微球．对该复合微球用重力沉降法、透射电镜法（ＴＥＭ）、Ｘ射线能谱分析法（ＥＤＳ）进行了表征．其中，重力沉降法是一种将Ｓｔｏｋｅｓ公式为基础推导的复合颗粒的粒径与沉降速度关系式所得的一系列数据进行拟合外延，来测定复合颗粒的粒径及包覆厚度的方法．

以天然矿物钛铁矿（ＦｅＴｉＯ_３）、Ｃ（石墨）为原料，采用原位碳热还原法，实现合成与烧结一体化，真空烧结制备了ＴｉＣ／Ｆｅ复合材料，探索了一条低成本合成高性能ＴｉＣ／Ｆｅ复合材料的新途径．对反应的热力学过程进行理论分析和实验研究，探讨了产物的合成条件．研究表明，ＴｉＣ的反应形成机理是：首先，ＦｅＴｉＯ_３被Ｃ还原生成Ｔｉ_ｘＯ_ｙ和α－Ｆｅ；然后，Ｃ继续与Ｔｉ_ｘＯ_ｙ反应，将氧一步一步还原出来，直至生成ＴｉＣ；ＴｉＣ颗粒长大的过程是，先形成富Ｔｉ缺Ｃ的ＴｉＣ_ｘ，然后ＴｉＣ_ｘ继续与Ｃ反应形成接近化学计量比的ＴｉＣ．烧结温度范围在１５００～１６００℃之间，随温度的升高，产物的硬度和密度稍有提高．Ｍｏ的加入可以改善金属相对ＴｉＣ的润湿性．产物中有少量游离碳存在．

以六甲基二硅胺烷（（Ｍｅ_３Ｓｉ）_２ＮＨ）（Ｍｅ：ＣＨ_３）为原料，用双反应室激光气相合成纳米粉体装置制备了纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体．研究了纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体在不同基体中８．２～１２．４ＧＨｚ的微波介电特性，纳米粉体介电常数的实部（ε’）和虚部（ε”）随频率增大而减小，介电损耗（ｔｇδ＝ε”／ε’）较高·纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体中的ＳｉＣ微晶固溶了大量的Ｎ原子，在纳米Ｓｉ／Ｃ／Ｎ复相粉体中形成大量的带电缺陷；极化弛豫是吸收电磁波的主要原因．

通过ＳＥＭ、Ｒａｍａｎ光谱、ＸＲＤ在ＰＤＣ样品横断面上测试了ＰＤＣ材料的组成和结构；通过ＥＤＸ、ＥＤＷ在ＰＤＣ样品纵断面上测试了ＰＤＣ界面结构及粘结元素Ｃｏ、Ｗ的分布；通过剪切和淬火压溃试验测试了ＰＤＣ界面结合强度和界面耐热性能．测试结果表明，φ２５ｍｍＰＤＣ复合材料的抗弯强度σｂ１１６０ＭＰａ；界面结合强度τ２．６７ＧＰａ ；耐热温度７４２℃；平均磨耗比 Ｑ为１２．３×１０４；其中心点相对边缘点的耐磨性降幅为１９．２％．

使用ＸＲＤ、ＥＭＰＡ和 ＳＥＭ等对 ９００～１１５０℃高温处理后的ＳｉＣ／Ｆｅ－２０Ｃｒ合金界面反应区的显微结构和反应动力学进行了研究．界面反应区分为ＳｉＣ反应区和金属反应区两部分：ＳｉＣ反应区由组成为Ｆｅ_３Ｓｉ、Ｃｒ_３Ｓｉ和Ｃｒ_７Ｃ_３的白亮基体和其间随机分布的细小石墨颗粒构成；金后反应区则是一个由（Ｃｒ；Ｆｅ）_７Ｃ_３构成的均匀组织。ＳｉＣ／Ｆｅ－２０Ｃｒ合金界面反应为扩散控制，反应动力学方程为 Ｋ＝１．９×１０^－４ｅｘｐ（(－２３５×１０^３)／ＲＴ）ｍ^２·ｓ^－１．金属反应区介于ＳｉＣ反应区和合金之间，阻挡合金中的Ｆｅ原子通过它向ＳｉＣ反应区中扩散，抑制界面反应，这种作用随合金中Ｃｒ含量的增加而加强．

铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．

统考察了不同晶种调节剂及其含量对晶种生长的影响，其中包括Ｄ－山梨醇，甘露醇，乳糖，葡萄糖，果糖．在此基础上，进一步将合成的晶种应用于磷酸钙骨水泥（简称ＣＰＣ）的原位增强中，使水化产物晶体之间定向生长和排列，从而达到对ＣＰＣ进行增强的目的．晶体各向间的表面能不同或表面结构存在差异导致晶体生长速率不同是原位增强的热力学基础．实验结果表明，该方法可使ＣＰＣ的抗压强度达到７６．１ＭＰａ，径向抗张强度达到２４．５ＭＰａ．

依据介观物理学的基本概念、半经典电子输运理论和碳纳米管的电子结构，对非掺杂直状金属型单层碳纳米管（ＳＷＮＴｓ）的电导特性进行理论研究，计算表明；ＳＷＮＴｓ的电导是量子化的．

以二茂铁作为催化剂来源、以苯作为碳源、氢气和氩气分别作为载气和稀释气体，在１１００℃连续地合成了碳纳米管．碳纳米管的生成分二个过程：催化生长和表面无定形碳的生成．所得到的碳纳米管的内径为３～６ｎｍ，而外径约为２０～７０ｎｍ碳纳米管的外径随气体流速的增加而变细，在较细的碳纳米管中观察到了由催化生长而成的具有光滑薄壁的原始碳纳米管．生成的碳纳米管的长度达数十微米、直径较均匀，其端部大多为圆形，但也观察到其他的形状的端部．

采用微弧氧化在钛合金表层生成了含钙和磷的氧化钛薄膜，探讨了电解液组分及电压对薄膜形态、相组成及钙／磷原子比的影响．结果表明；薄膜由锐钛矿 ＴｉＯ_２和金红石ＴｉＯ_２构成，呈内层致密、外层多孔的形态，且膜中钙／磷原子比由内至外逐渐增大；随电压增大，膜中非晶量增多、孔洞尺寸及钙／磷原子比增大，但有微裂纹呈现；增大电解液钙／磷配比可提高膜中钙／磷原子比．

用固相反应法合成了纳米α－Ｆｅ_２Ｏ_３粒子。采用ＸＲＤ、ＴＥＭ、Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ对合成样品进行表征，结果表明此方法合成的粒子为α－Ｆｅ_２Ｏ_３．其粒子呈花生型，粒子直径为２０～４０ｎｍ左右．

合成了一种以有机磷化合物为主的复合添加剂，应用到碱法制备α-ＦｅＯＯＨ过程中，发现反应的氧化速度有明显的提高、对α－ＦｅＯＯＨ形貌有明显的影响．实验发现，在Ｒ＝５．０时，复合添加剂用量为１．０×１０^－３ｇ／Ｌ其晶形较佳．α－ＦｅＯＯＨ经脱水、还原、氧化制得γ－Ｆｅ_２Ｏ_３磁粉其性能优良，主要指标完全达到高性能磁记录材料的要求．

介质（Ａｇ／ＡｇＩ）镀层空芯玻璃光纤是一种较好的传输红外激光的柔性光纤材料．采用液相化学沉积法成功地制备了内径分别为１．０、０．５３、０．３２ｍｍ，长度为１．５ｍ的介质（Ａｇ／ＡｇＩ）镀层玻璃空芯光纤．利用傅里叶红外光谱仪和 ＬＪＬ－３５Ａ ＣＯ_２激光器分别测试了介质（Ａｇ／ＡｇＩ）镀层玻璃空芯光纤的传输损耗，测试结果表明：介质（Ａｇ／ＡｇＩ）镀层空芯玻璃光纤在２．５～２０μｍ波长范围内有较低的损耗值；随着光纤内径（α）的增大，空芯光纤的传输损耗（α）降低，这与Ｍｉｇａｇｉ理论（α　∝１／α^３）相符合．另外，由于光纤的注入端头发热致使介质（Ａｇ／ＡｇＩ）镀层空芯玻璃光纤的传输损耗随注入功率的增加而增大．

利用醋酸铅分别与８－羟基喹啉、柠檬酸、草酸在低加热条件下进行固－固相配位反应，首先合成了不同的前驱配合物，进而经不同的热分解历程得到了纳米量级β－ＰｂＯ粉体（黄色）．利用元素分析、热重／差热分析对固相配位反应的可行性作了讨论．借助Ｘ射线衍射、透射电镜测试对合成的纳米粉体的物理性质作了表征．

采用传统的电子陶瓷生产工艺，制备出一种Ｂ_２Ｏ_３－Ｐ_２Ｏ_５－ＳｉＯ_２系瓷料．该体系材料加入少量助烧剂可在９００℃，空气气氛中烧结，获得低介电常数陶瓷．得到烧结体的介电常数ε≤５、介电损耗ｔａｎδ≤３×１０^－３（１ＭＨｚ）；有望用于超高频叠层片式电感领域．

通过在氧化铝中添加微量氧化钛和氧化镁，利用无压烧结工艺，制备了具有明显各 向异性晶粒的氧化铝块材．研究了氧化钛、氧化镁的添加量和烧结温度对材料显微结构和致密 度的影响．与单纯添加氧化钛的氧化铝材料相比，氧化镁的加入细化了氧化铝的晶粒．因此， 可以通过调整氧化镁的加入量，在保持氧化铝晶粒各向异性形貌的同时，调整晶粒的尺寸，最 终得到比较均匀的显微结构．

研究了多级喷雾碳化法制备纳米碳酸钙的工艺，并详细讨论了雾化、碳化条件及添加剂量等对纳米碳酸钙粒径的影响．碳化后的沉淀物经真空干燥，其原始粒径约为３０ｎｍ．经表面改性处理，可得到粒径在３０～４０ｎｍ范围的活性纳米碳酸钙粉体材料．

在Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３中，Ｙｂ_２Ｏ_３的不同掺杂方式引起了材料性能的显著变化．采用 Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＺr
_ｙ）Ｏ_３合成后Ｙｂ_２Ｏ_３的适量掺杂，陶瓷介温峰明显地移动，介电常数大幅度提高， 获得了室温介电常数＞２５０００，１２５０℃左右烧成，符合Ｙ５Ｖ标准的高介材料．合成后掺杂的 Ｙｂ_２Ｏ_３，使材料介电常数提高，可能与施主掺杂引入的局域化电子有关．合成前掺杂Ｙｂ_２Ｏ_３ 的样品，介电常数较低，移峰效率偏小，可能是Ｙｂ的Ｔｉ位受主取代使施主引入的局域化电子 得到补偿的结果．

设计并采用类似搪瓷涂覆的工艺制备了羟基磷灰石－Ｔｉ６Ａｌ４Ｖ复合材料．使用ＸＲＤ、ＳＥＭ对复合材料的相组成和显微结构进行分析和表征，在模拟体液中观察了获得材料的生物相容性．结果表明；在涂层中，羟基磷灰石粒子均匀地分散在玻璃基体中，它们保持原有的晶格结构，未发生相分解等现象．烧成温度对中间层玻璃涂层的显微结构有着较为明显的影响．中间层玻璃涂层与钛合金的结合强度或不小于２９．７３ＭＰａ，远高于等离子喷涂，达到使用要求．在模拟体液中浸泡一段时间后，ＸＰＳ分析表明复合材料表面有新生羟基磷灰石粒子析出，表明复合涂层有优良的生物相容性．

运用有限元方法计算了梯度功能陶瓷刀具ＦＧ－２内的热应力，计算结果表明，在高速切削条件下，梯度功能陶瓷刀具内的热应力明显小于普通陶瓷刀具；同时进行的切削实验也表明在高速切削的条件下，ＦＧ－２的破损寿命明显好于ＳＧ－４．说明梯度功能陶瓷刀具适应于高速切削．

用射频等离子体增强化学气相沉积在钛合金表面制备了类金刚石薄膜，利用纳米压入仪及其附件研究了薄膜与纳米划擦有关的力学性能．结果表明：随薄膜厚度的增加，其硬度略有增加，但增幅较小，弹性模量没有明显的相应规律；薄膜在划擦过程中，随载荷增加，先后经历薄膜变形、薄膜与基体共同变形及薄膜剥离三个阶段；在薄膜变形阶段，划擦对薄膜的损害较小；当压头进入薄膜一定深度后，划擦后薄膜与基体的变形不同步，造成薄膜沿划痕向两边形成整齐排列的小裂纹，呈鱼骨状；达到临界载荷值时，薄膜在界面处发生脆性剥落；随膜厚增加，薄膜的临界载荷增大，因其残余应力的相应增大而发生大面积脆性剥落．

研究了低温烧结Ｂ_２Ｏ_３－Ｐ_２Ｏ_５－ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２体系的微晶玻璃，及其析晶温度和析晶相特性，实验结果表明：该材料具有低的介电常数和电介质损耗，这种介质能在低于１０００℃的温度下与Ａｕ，Ａｇ／Ｐｂ，Ｃｕ等电极共烧，是一种较理想的高频多层片式电感器介质材料．

以氮气为反应气体；用射频反应溅射方法制备了ＡＩＮ薄膜，结合ＸＰＳ和ＸＲＤ表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响．实验表明，热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径，样品经７００℃退火后，发射电流的涨落从未退火前的１３５μＡ下降到２０μＡ；并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性．文中认为，退火处理造成了薄膜结构的变化，引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变，进而影响了其发射特性

研究了氮化钼膜电极的浸渍－煅烧法制备工艺条件及其电化学行为．试验结果表明，浸渍－煅烧法制备高活性氮化钼电极适宜的浸渍干燥温度为５１３～４７３Ｋ，煅烧升温速率为１Ｋ·ｍｉｎ^－１，煅烧温度为９９０Ｋ，煅烧时间为２ｈ；冷却方式为在氨气保护下随炉降温；浸渍－煅烧法制备的氮化钼电极成膜均匀，与基体附着性强；在－０．２２～０．３６Ｖ（ｖｓ ＳＣＥ）电位范围内，循环伏安图基本上呈现矩形，当扫描速度ｓ≤１００ｍＶ·ｓ^－１时，电流密度与电势扫描速度成正比，电极电容特征显著，动力学可逆性好，稳定性与重现性好．