钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

无机材料学报

钇改性PZT薄膜的极化印刻研究

仇萍荪; 罗维根; 丁爱丽

中国科学院上海硅酸盐研究所无机功能材料开放实验室上海 200050

收稿日期:2000-08-22 修回日期:2000-10-12 出版日期:2001-09-20 网络出版日期:2001-09-20

Imprint Properties of Yttrium Modified PZT Thin Films

QIU Ping-Sun; LUO Wei-Gen; DING Ai-Li

Laboratory of Inorganic Materials; chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050; China

Received:2000-08-22 Revised:2000-10-12 Published:2001-09-20 Online:2001-09-20

摘要/Abstract

摘要： 铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻．

关键词: 铁电薄膜, Y-PZT薄膜, 印刻（imprinting）

Abstract: Imprint failure is one of the important failure mechanisms for PZT nonvolatile memo- ries. The imprint properties of Y-dopped PZT(40/60) thin films at bias voltages and a temperature of 120℃ were investigated. The results obtained show that the imprint-resistant properties of the PZT thin films are enhanced by a suitable Y dopant concentration.

Key words: ferroelectric thin films, Y-dopped PZT（40/60） thin films, imprinting

中图分类号:

TB43

仇萍荪,罗维根,丁爱丽. 钇改性PZT薄膜的极化印刻研究[J]. 无机材料学报.

QIU Ping-Sun,LUO Wei-Gen,DING Ai-Li. Imprint Properties of Yttrium Modified PZT Thin Films[J]. Journal of Inorganic Materials.

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