高相东, 李效民, 于伟东, 邱继军, 甘小燕
GAO Xiang-Dong, LI Xiao-Min, YU Wei-Dong, QIU Ji-Jun, GAN Xiao-Yan
摘要: 采用连续离子层吸附与反应(SILAR)方法, 在室温液相条件下(20~25℃)制备了沉积于玻璃衬底上的CuSCN半导体薄膜, 以X射线衍射、扫描电镜、光学透过谱考察了所得薄膜的晶体结构、微观表面断面形貌和光学性能, 探讨了影响CuSCN薄膜沉积的关键因素. 结果表明, 所得薄膜具有明显结晶性及沿c轴择优生长趋势, 表面致密、均匀, 分别由50~100nm的较大颗粒和20~30nm的小颗粒紧密堆聚而成; 薄膜在400~800nm波段的透过率为50%~70%, 光学禁带宽度为3.94eV. CuSCN薄膜的沉积过程受铜前驱液中S2O32-与Cu2+的摩尔比、衬底漂洗方式和生长温度等因素影响显著, 高络离子浓度、多次沉积反应后再进行衬底漂洗、以及室温生长条件有利于得到高质量的CuSCN薄膜.
中图分类号: