氮化碳薄膜的结构与特性

无机材料学报

氮化碳薄膜的结构与特性

陈光华^1,2; 吴现成¹; 贺德衍¹

1. 兰州大学物理系, 兰州 730000; 2. 北京工业大学应用物理系, 北京 100022

收稿日期:2000-03-07 修回日期:2000-06-05 出版日期:2001-03-20 网络出版日期:2001-03-20

Structure and Properties of C-N Films Prepared by Hot Filament Assisted rf Plasma CVD

CHEN Guang-Hua^{1; 2}; WU Xian-Cheng¹; HE De-Yan¹

1. Department of Physics; Lanzhou University; Lanzhou 730000; China; 2. Department of Applied Physics; Beijing Polytechnic University） Beijing 100022; China

Received:2000-03-07 Revised:2000-06-05 Published:2001-03-20 Online:2001-03-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频等离子体增强化学气相沉积（ＣＶＤ）＋负偏压热丝辅助方法直接在Ｓｉ（１００）衬底上制备了多晶Ｃ_３Ｎ_４薄膜．Ｘ射线衍射测试表明，薄膜同时含有α－和β-Ｃ_３Ｎ_４晶相以及未知结构，没有观测到石墨衍射峰．利用扫描电子显微镜观测到线度约２μｍ、横截面为六边形的β－Ｃ_３Ｎ_４晶粒．纳米压痕法测得薄膜的硬度达７２．６６ＧＰａ．

关键词: 化学气相沉积, 氮化碳, 薄膜, 扫描电镜, 硬度

Abstract: Polycrystalline carbon nitride thin films were prepared on Si (100) by hot filament assisted rf plasma-enhanced chemical vapor deposition with negative bias methods. X-ray distraction (XRD) spectra indicate that the obtained CN films contain both crystalline β－C₃N₄ and β-C₃N₄, and a presently unknown structure. Some crystalline particles of 1-2μm in size with hexagonal cross section exist in the polycrystalline carbon nitride film. The maximum hardness of C₃N₄ thin film is 72.66GPa.

Key words: CVD, C₃N₄, XRD, SEM, Hardness

中图分类号:

O484

陈光华,吴现成,贺德衍. 氮化碳薄膜的结构与特性[J]. 无机材料学报.

CHEN Guang-Hua,WU Xian-Cheng,HE De-Yan. Structure and Properties of C-N Films Prepared by Hot Filament Assisted rf Plasma CVD[J]. Journal of Inorganic Materials.

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