溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00725

无机材料学报

溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能

潘孝军, 张振兴, 贾璐, 李晖, 谢二庆

兰州大学物理科学与技术学院, 兰州 730000

收稿日期:2006-07-12 修回日期:2006-09-12 出版日期:2007-07-20 网络出版日期:2007-07-20

Optical Properties of a-GaN Film Deposited by DC Magnetron Sputtering

PAN Xiao-Jun, ZHANG Zhen-Xing, JIA Lu, LI Hui, XIE Er-Qing

School of Physical Science and Technology, Lanzhou University, Lanzhou 730000, China

Received:2006-07-12 Revised:2006-09-12 Published:2007-07-20 Online:2007-07-20

摘要/Abstract

摘要： 利用直流磁控溅射方法制备了GaN薄膜. X射线衍射及Raman光谱结果表明薄膜样品为非晶结构; 傅立叶红外光谱表明薄膜样品的主要吸收峰为Ga--N键的伸缩振动; 光致发光测试得到了360nm处的紫外发光谱; 测量薄膜样品的紫外-可
见谱, 并利用Tauc公式计算得到样品的光学带隙为3.74eV, 这与光致发光谱得到的结果是一致的.

关键词: 非晶氮化镓, 溅射制备, 光学性能

Abstract: GaN thin films were prepared by direct current (DC) planar magnetron sputtering on Si and SiO$_2$. The films were characterized by X-ray diffraction (XRD), Raman, Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), photoluminescence (PL) and UV-Vis spectra. XRD and Raman spectrum show that the films are amorphous. Fourier infrared absorbance spectrum shows
that the main absorbance is Ga-N stretching vibration. 360nm ultraviolet emission is obtained at room temperature. UV-Vis result shows that the optical band gap of the films is 3.74eV, which is consistent with photoluminescence spectrum result.
\vspace*{.2cm

Key words: amorphous GaN, DC sputtering, optical properties

中图分类号:

O472
O484

潘孝军,张振兴,贾璐,李晖,谢二庆. 溅射制备非晶氮化镓薄膜的光学性能[J]. 无机材料学报, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00725.

PAN Xiao-Jun,ZHANG Zhen-Xing,JIA Lu,LI Hui,XIE Er-Qing. Optical Properties of a-GaN Film Deposited by DC Magnetron Sputtering[J]. Journal of Inorganic Materials, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00725.

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