BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

无机材料学报

BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

李金隆; 李言荣; 张鹰; 邓新武; 刘兴钊

电子科技大学微电子与固体电子学院成都 610054

收稿日期:2003-07-28 修回日期:2003-09-10 出版日期:2004-09-20 网络出版日期:2004-09-20

Epitaxial Layer-by-Layer Growth of BST Series Ferroelectric Thin Films at Low Temperature

LI Jin-Long; LI Yan-Rong; ZHANG Ying; DENG Xin-Wu; LIU Xing-Zhao

School of Microelectronics and Solid-State Electronics; Univercity of Electronics Science and Technology of China; Chengdu 610054; China

Received:2003-07-28 Revised:2003-09-10 Published:2004-09-20 Online:2004-09-20

摘要/Abstract

摘要： 利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO₃(100)单晶基片上外延生长SrTiO₃(STO)、BaTiO₃(BTO)、Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长,并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度,发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

关键词: BST, 铁电薄膜, 低温, 外延生长

Abstract: SrTiO₃(STO), BaTiO₃(BTO) and Ba_0.6Sr_0.4TiO₃(BST)ferroelectric thin films were grown
epitaxilly on SrTiO₃(100) single crystal substrates by the laser molecular beam epitaxy(LMBE) method. The growth of the thin films was in-situ monitored with
reflective high energy electron diffraction(RHEED). By using atomic force microscopy(AFM) and RHEED the growth modes were investigated. With the
observation of the varieties of the RHEED intensity oscillations and the diffraction patterns the dynamic and the static crystallization temperature
was controled and confirmed, the epitaxial growth of STO, BTO and BST thin films in layer-by-layer mode was performed at temperatures of 280, 330 and 340℃,
respectively.

Key words: BST, ferroelectric thin films, low temperature, epitaxial growth

中图分类号:

O484

李金隆,李言荣,张鹰,邓新武,刘兴钊. BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究[J]. 无机材料学报.

LI Jin-Long,LI Yan-Rong,ZHANG Ying,DENG Xin-Wu,LIU Xing-Zhao. Epitaxial Layer-by-Layer Growth of BST Series Ferroelectric Thin Films at Low Temperature[J]. Journal of Inorganic Materials.

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