压电响应力显微术是在原子力显微镜的基础上,利用材料自身逆压电效应来探测样 品表面形变的一类技术总称.现已作为铁电材料研究的重要手段,应用于纳米尺度畴结构的三 维成像、畴结构的动态研究、畴结构控制和微区压电、铁电、漏电等物理性能表征等领域.本 文就近年来利用压电响应力显微术对铁电材料的研究方面作一综述.

随着第三代同步辐射源的出现,由荧光屏和CCD耦合组成的、具有亚微米级空间分 辨率、快速在线成像功能的探测器在医疗、安检、工业、科研等领域将会得到广泛应用.本文主 要综述了成像荧光屏用材料的概况和发展趋势,重点阐述了闪烁单晶薄膜的研究及发展情况.

制备了掺Tm³⁺离子GICZPS玻璃:20GaF₃-15InF₃-20CdF₂-15ZnF₂-18PbF₂-10SnF₂- 2TmF₃,用Judd-Ofelt理论计算了玻璃的光学参数,研究了玻璃的发光性质,并探讨了其发光 机理.结果表明,在641nm激发下,可以观察到485nm(¹G₄→³H₆)和528nm(¹D₂→³H₅)两 个上转换荧光发射峰.

采用差热分析(DTA),X射线衍射分析(XRD),扫描电镜(SEM)等分析手段研究了 TiO₂和TiO₂+ZrO₂两种形核剂对Li₂O-Al₂O₃-SiO₂(LAS)系微晶玻璃的形核和晶化的影响. 结果发现,样品经过不同温度的预形核处理后,采用TiO₂单一形核剂,晶化峰值温度和晶化峰 高度的变化较大,而采用TiO₂+ZrO₂复合形核剂,晶化峰值温度和晶化峰高度的变化较小. 当形核时间为2h,两种形核剂样品的最佳形核温度分别为745和760℃.晶化后均可得到纳米 结构的β-石英石固溶体晶相,其中采用TiO₂+ZrO₂复合形核剂样品的晶粒更细小.研究表 明采用复合形核剂的LAS微晶玻璃的形核过程对温度的敏感性小,有利于对形核过程进行控 制,同时形核效率高.

以四川蛇纹石猫眼为研究对象,采用差热分析(DTA)、红外吸收光谱(IR)和X射 线粉晶衍射(XRD)方法,在变温条件下对蛇纹石猫眼及其热相变的产物和机制进行了研究. 结果表明:加热到700℃时,蛇纹石猫眼完全脱羟,同时部分转变为晶质镁橄榄石和非晶质顽 火辉石.800℃时,晶质顽火辉石生成.800-1100℃时,晶质镁橄榄石和晶质顽火辉石的量 逐渐增加. 1100℃时顽火辉石的结晶有序度增加.加热过程中未出现SiO₂相.并提出了纤 蛇纹石猫眼的热相变机制.

以活性炭为载体,采用溶胶-凝胶法制备了TiO₂／活性炭(TiO₂／AC)复合体,并利 用SEM和XRD手段对复合体进行表征,通过D_t²=ktⁿexp(-E／RT)方程的计算,分析,研 究活性炭对复合体中TiO₂晶粒生长及其相变的影响.结果表明:TiO₂／AC复合体晶粒粒径 增长的时间比TiO2本体短;TiO₂／AC复合体纳米粒子平均尺寸为50nm比TiO₂本体小;锐 钛矿向金红石转变的相变温度和晶粒生长最快温度TiO₂／AC复合体比TiO₂本体高.锐钛矿 和金红石晶粒生长的表观活化能TiO₂／AC复合体分别为6.21±1.27和46.5±1.56kJ／mol,TiO₂ 本体分别为5.76±1.02和36.4±1.14kJ／mol.在锐钛矿阶段和金红石阶段TiO₂／AC复合体反应 指数分别为0.19和0.35,而TiO₂本体分别为0.13和0.26.原因是活性炭的强吸附力和非晶相 层对TiO₂晶粒生长的阻遏作用.

以Tween 80为分散剂,制备了水基中间相碳微球(MCMB)悬浮体.Zeta电位测定 结果表明,当Tween 80的用量为1％(以MCMB质量分数计)时,该悬浮体的Zeta,电位绝对 值可达到55mv(pH=7).进一步研究了分散剂用量和固含量对悬浮体流变学性能的影响,发现 悬浮体最佳分散剂用量为1％,随固含量的增加,其粘度也逐渐增加.在此基础上,制得了固含 量达到62.5wt％(53.1vol％)的悬浮体.研究了凝胶注模成型素坯及烧结体的力学性能及显微结 构,并通过该工艺制备了形状复杂的碳板材料.

将用于制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料烘干、制粉、干压、烧结,从而探讨浆料的成分与 烧结性能的关系.样品的抗弯强度与烧结助剂的含量之间存在最佳搭配关系,烧结对强度的贡 献主要来自于新相莫来石的生成和玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用.同种成分的样品开 气孔率随着烧结温度的升高表现出单调下降的趋势,而抗弯强度与开气孔率的变化并没有表现 出完全相反趋势;不同成分样品的耐火度均保持在1730℃没有变化.采用最佳配方的浆料和 最佳烧结温度制备的碳化硅泡沫陶瓷抗弯强度可达到0.72MPa.

通过四氯化钛水解法制备纳米TiO₂,讨论聚乙二醇(PEG)在其水悬浮体系中的吸 附行为.IR和吸附实验结果表明:纳米TiO₂通过氢键吸附PEG,其表面吸附行为与PEG浓 度、PEG分子量、pH值和晶粒尺寸等因素相关.吸附PEG以后,纳米TiO₂颗粒的表面电 荷和ζ电位发生变化.悬浮体系吸光度的变化和TEM分析表明:纳米TiO₂吸附PEG后, 增加了颗粒间的空间位阻作用,有效地阻止了纳米TiO₂的团聚;但若PEG加入量达到过饱 和,反而会破坏纳米TiO₂的分散稳定性.

采用TGA-DSC、FTIR及XRD等方法研究了固相反应法合成磷酸四钙(TTCP) 的物相演变过程.结果表明,1200℃以上物相变化与CaO-P₂O₅-H₂O)的高温相图基本一致, 1200℃以下的物相变化为绘制CaO-P₂O₅-H₂O低温相图提供重要数据;通过揭示固相合成 TTCP物相演变的全过程,为制备出纯TTCP这一重要的磷酸钙骨水泥组成材料提供重要理 论依据.

采用原位反应法在三维碳纤维编织体(简称:RB)的纤维表面制得SiC涂层,通过 XRD、SEM、等温氧化失重和非等温热重分析等测试手段研究了制备方法对SiC涂层均匀性 的影响,并对SiC涂层／碳纤维编织体(简称:CB)材料在等温和非等温条件下,氧化反应的 动力学和反应机理进行了研究.结果表明:SiC涂层均匀、完整地涂覆于编织体内外各纤维表 面;材料等温氧化反应的机理为第一阶段反应控制,第二阶段扩散和反应共同控制;材料的非 等温氧化过程呈现自催化特征,氧化机理为随机成核,氧化动力学参数为:lgA=9.615min^-1; E_a=201.73kJ·mol^-1.

采用汽相传输法制备高质量四脚状ZnO纳米结构(T-ZnO).以ZnO纳米晶为同质催 化剂,在锌源-衬底间添加蒸汽过滤器,研究过滤器和纳米晶对产物组成和形态的影响,以及 T-ZnO的结构特征.实验结果表明,T-ZnO为纤锌矿结构,分布均匀、尺寸一致,由四个柱 状纳米棒和一个球形核心组成.纳米棒直径约为60nm,沿<0001>晶向生长.过滤器的使用可 有效地去除产物中颗粒,而ZnO纳米晶的使用明显降低其尺寸,提高其均匀性.

研究了用沉淀转化法、通过掺钴和纳米炭材料制备的Ni(OH)₂-C和Ni_0.96Co_0.04(OH)₂- C纳米复合材料的结构和电化学性能. Ni(OH)₂-C和Ni_0.96Co_0.04(OH)₂-C都是β-Ni(OH)₂ 晶体结构. Ni(OH)₂电化学性能主要与其晶体粒径、晶体结构和导电性有关.掺入纳米导电 炭黑,可以改善Ni(OH)2的电化学性能.掺入纺锤形颗粒的SPC比片状颗粒:HGC炭黑较明 显改善Ni(OH)₂的电化学性能.掺入高比表面积活性炭,不能改善Ni(OH)₂电化学性能.掺 杂Co可以提高倍率放电能力和可逆性.掺杂Co和炭的Ni_0.96Co_0.04(OH)₂-C复合材料,具有 高比容量.

应用CoO、Zn粉对镍电极进行固相掺杂,电极经若干次充放电循环,Co、Zn元 素在Ni(OH)₂颗粒表层以固溶体的形式富集,可优化活性物质表面的组成和结构,提高活性物 质表层的快速反应能力,从而使镍电极更适用于C／Ni(OH)₂非对称电容器体系.实验结果表 明:在高倍率充放电条件下,掺杂10％CoO的镍电极,其容量为未掺杂电极的2倍;用5％的 Zn粉替代部分导电剂Ni粉,镍电极大电流条件下的循环性能和容量性质将明显改善.

研究了Pt掺杂对LiCoO₂电化学性能的影响.以氧化物形式将少量Pt元素引入到 LiCoO₂中,发现形成了LiCoO₂-Li₂PtO₃-Pt混合化合物系统.比较了纯LiCoO₂和该LiCoO₂ 基复合材料的电化学性能,结果显示复合材料具有比纯LiCoO₂材料优秀得多的倍率性能,表 明Li离子在该复合化合物中有更快的扩散速率,恒电流滴定实验结果也证明了这一点.

为了得到LiMn₂O₄在空气中的分解动力学,用TG、XRD和H-E积分方程研究其分 解过程.1070-1210K的分解反应为LiMn₂O₄(Cubic)→LiMn₂O_4-δ(Orthorhombic)+δ／2O₂, 过程属于成核生长控制,活化能为204.16kJ／mol.1210-1473K的分解反应为3LiMn₂O_4-δ (Orthorhombic)→LiMnO₂+Mn₃O₄+Li₂Mn₂O₄+(1-3δ／2)O₂,1210-1300K内的分解过程属于 成核生长控制,活化能为185.61kJ／mol,在1300-1473K内的分解过程属扩散控制,活化能为 208.74kJ／mol.由H-E积分方程得到的动力学参数InA与E、logC与m间存在明显的动力 学补偿效应.

研究了用简单铜盐通过阴极还原氧化亚铜的电化学行为,讨论了一些工艺因素对 在导电玻片上电沉积Cu₂O薄膜的影响,并对所制备的Cu₂O薄膜分别用台阶仪、X射线 衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)进行表征.得到的较佳工艺 条件为:电势-0.22--0.45V(vs SCE),温度为60℃,pH值为5.5-6.0,(CH₃COO)₂Cu浓度为 0.015-0.04mol／L.表征结果发现,随池温的升高,晶粒尺寸从0.2μm增加到0.4μm,60℃沉积 的Cu₂O薄膜开始具有(111)面择优取向,Cu2O膜纯度高,薄膜表面呈网络多孔结构.

以乙二醇为溶剂,醋酸为催化剂,部分无机盐代替醇盐的溶胶-凝胶工艺制备了不 同平均晶粒尺寸的纯SrBi₂Ta₂O₉(SBT)纳米粉末,晶相粉末晶粒大小为4-70nm.用XRD、 TG-DTA、TEM系统研究了SBT纳米相的形成过程.通过改变干凝胶的热处理温度和热处 理时间,研究了温度与时间参数对SBT晶粒长大的影响规律.研究表明,碳的燃烧和二氧化 碳的蒸发对纳米团簇的长大具有一定的阻碍作用. SBT相的晶化行为分为金属-氧团簇向玻 璃态转变和玻璃态到晶态的转变过程,玻璃态到晶态的转变温度区间为500-550℃.两个过程 的长大激活能分别为:E_al=0.709eV,E_a2=0.093eV.温度是晶粒长大的主要因素,热处理时间 对晶粒长大影响不明显.

采用溶胶.凝胶和喷雾干燥相结合的方法合成了掺杂Mn和Co的球形Li_1+xV₃O₈ 材料.选取Mn和Co作为掺杂元素,并且通过实验确定掺杂的量以1％为最佳.考察了不同 热处理温度对掺杂Li_1+xV₃O₈晶体结构与电化学性能的影响.对掺杂后的样品进行了XRD、 SEM及电化学性能测试研究.结果表明,掺杂对样品的形貌和结构没有产生影响,350℃热 处理温度下制备的掺杂Li_1+xV₃O₈样品在常温下的循环性能有了较大的改善,其中掺Co后 的样品性能改善最为显著.

以沉淀二氧化硅为硅源,钛酸四丁酯为钛源,四丁基氢氧化铵为模板剂,采用水热晶 化法合成了TS-2分子筛.在优化合成步骤的基础上,采用XRD、FT-IR、UV-Vis、SEM 等测试方法系统研究了晶化温度、凝胶Si／Ti对晶化动力学行为及TS-2分子筛晶相结构的影 响.结果表明:高纯TS-2分子筛的最佳晶化温度为175℃,过高的晶化温度易导致MEL结构 向MFI晶相结构的转变及晶粒的逐渐长大.高纯TS-2样品的极限Ti／Si值为0.04,高于此值 则生成非骨架钛氧化物,并造成相对结晶度和催化氧化性能显著降低.

以共沉淀法制备的纳米(75mol％Bi₂O₃+25mol％Y₂O₃)混合粉体作为原料,通过无 压反应烧结工艺制备了纳米Bi₂O₃-Y₂O₃快离子导体.对烧结过程中高导电相(纳米δ-Bi₂O₃) 的形成规律研究表明:固溶反应发生在烧结过程的初期,在烧结过程中晶粒生长规律符合 (D-D₀)²=K·t抛物线方程.用模式识别技术对δ-Bi2O3相生成的工艺条件进行优化的工艺 参数优化区为:Y>-1.846X+3.433(X=0.0059T+0.0101t,Y=-0.0059T+0.0101t,式中, T为烧结温度,t为烧结时间).在T=600℃,t=2h无压反应烧结条件下,纳米晶Bi₂O₃-Y₂O₃ 快离子导体材料的相对密度可达96％以上,并且微观结构致密均匀,很少有残留气孔和裂纹, 平均晶粒尺寸在100nm以下.

用廉价的硅铝系渣料为原料,通过水热法合成了4A沸石,根据不同时间的晶化反 应产物,用XRD、SEM等表征手段对4A沸石的形成机理及晶体长大过程进行了研究,结果 表明:①该反应过程的机理属前驱体固相→硅酸根或铝酸根液相→P型沸石晶相→P型沸石 向A型沸石的相变→A型沸石向P型沸石逆相变;②4A沸石晶体的长大是通过纳米聚合生 长的结果.

采用热压烧结制备了Fe₃Al(p)／Al₂O₃复合材料,通过分析R曲线与热应力强度因 子K曲线的相关性,对Fe₃Al(p)／Al₂O₃复合材料抗热震性能进行分析预测.结果表明,理论 预测与采用淬冷强度法得到的实验结果吻合较好,Fe₃Al的加入使复合材料的抗热震性能明 显改善, △T_c由单相的200℃提高至复合材料的400℃,复合材料较单相Al₂O₃高的断裂韧 性、导热率、及低的弹性模量和f(β)是导致其抗热震性能提高的主要原因.

采用明胶法、聚乙二醇凝胶法和聚丙烯酰胺法制备了类钙钛矿LaSrCoO₄复合氧化 物,考察了它们对CO和C₃H₈的氧化反应活性,研究了制备方法对催化材料结构和性能的影 响,并运用XRD、BET、TEM、TPR和TPD等方法对催化材料进行了表征.结果表明, 该类复合氧化物具有四方K2NiF4结构,制备方法对催化材料的结构和性能有较大影响,其中 以聚丙烯酰胺法最好.聚丙烯酰胺法所制LaSrCoO₄的比表面较大,氧缺陷和易移动晶格氧较 多,催化活性较高.焙烧温度越低,比表面越大,氧缺陷及晶格氧越多,催化活性越高.

采用脉冲激光沉积法(PLD),以KrF准分子为脉冲激光源,Si(100)为衬底,同时引 入缓冲层TiN和Ti_0.8Al_0.2N,制备了结晶质量优异的A1N薄膜,X射线衍射(XRD)及反射 式高能电子衍射(RHEED)分析表明A1N薄膜呈(001)取向、二维层状生长.研究发现,薄膜 的生长模式依赖于缓冲层种类,直接在Si衬底上或MgO／Si衬底上的A1N薄膜呈三维岛状生 长;而同时引入缓冲层TiN和Ti_0.8Al_0.2N时,A1N薄膜呈二维层状生长.此外,激光能量密 度大小对A1N薄膜的结晶性有显著的影响,激光能量密度过大,薄膜表面粗糙,有颗粒状沉积 物生成.在氮气气氛中沉积,能使薄膜的取向由(001)改变为(100).

以高纯石墨为沉积基体,MTS为先驱体原料,在负压条件下沉积了CVD SiC涂 层.利用SEM和XRD分别对涂层的形貌及晶体结构进行了表征,SiC涂层表面呈菱柱状, (111)面为择优取向面.利用高分辨透射电镜对涂层与基体的界面结构、涂层的显微结构进行 了研究,得出CVD SiC涂层生长过程如下:SiC最初是沿着石墨基体的晶面取向开始生长 的}随后经历一段取向淘汰及调整的过程后,开始(111)晶面的生长.

采用金属有机分解法(MOD)在(111)Pt／Ti／SiO₂／Si衬底上制备了含(117)成分的 c轴择优取向和a轴择优取向的Bi_3.25Nd_0.75Ti₃O₁₂(BNT)薄膜.实验发现, BNT薄膜的晶 型结构主要依赖于预退火条件.电学性能测试表明,a轴择优取向的BNT薄膜具有高的剩余 极化和矫顽场,较高的介电常数和介电损耗,以及较大的电容调谐率;而c轴择优取向的则相 反. BNT薄膜具有同Bi₄Ti₃O₁₂(BIT)薄膜相似的铁电各向异性行为.

以聚乙二醇(PEG)为添加剂,正硅酸乙酯(TEOS)为先驱体,采用溶胶-凝胶法、结合 旋转涂胶和超临界干燥等工艺在硅片上制备了纳米多孔SiO₂薄膜.利用FTIR、TG-DTA、 AFM和椭偏仪研究了该SiO₂薄膜的性能.与未加.PEG的SiO₂薄膜相比,加入PEG得到 的SiO₂薄膜表面粗糙度增大,但孔隙率较高,介电常数可降至2.0以下.PEG参与并修饰了 TEOS的溶胶-凝胶过程.加入PEG制备的SiO₂薄膜因含有Si-OH基团而呈亲水性,该薄 膜经三甲基氯硅烷(TMCS)修饰后为疏水性.

通过溶胶-凝胶法在45^#钢基体上制备了厚约500μm的FeS固体润滑涂层.摩擦 磨损试验结果表明,FeS固体润滑涂层具有良好的减摩效果和耐磨性能.由于涂层较厚,摩擦 行为只发生在涂层内部,很好地保护了基体不被磨损.利用XRD检验了涂层的相结构,通过 SEM+EDX观察分析了涂层在表面的磨痕形貌及能谱分布.

以乙二胺为前驱液,采用高温热解法,860℃下在镍基底表面生长CN_x纳米管薄 膜.研究了经过不同实验条件处理过的镍基底表面的CN_x纳米管的生长情况.实验结果表明, 经过不同的预处理过程后,镍基底对CN_x纳米管的生长表现出不同的催化性能,经过氢氟酸 (HF)浸泡10min并无水乙醇超声清洗过的镍基底有利于具有"竹节状"结构的CN_x纳米管的 生长.

直径300mm硅片的生产技术是当今硅材料生产研究的重要方向之一,而晶体生长 界面的形状、温度分布、晶体中氧的浓度和均匀性等对熔体流动状态十分敏感,采用实验的方 法来测量熔体的流动、温度场分布是很困难的,因此很难通过实验的方法获得熔体的流动是如 何影响晶体生长的质量的,而数值模拟能提供熔体流动、温度分布等详细内容,为单晶硅的生 长提供有利的指导.本文采用低雷诺数的K-ε紊流模型,对直径300mm的大直径单晶硅生 长进行了数值模拟,通过熔体在有、无勾形磁场作用时的流场、温度场的分析,阐明了勾形磁 场影响熔体流动的机理.

基于多层梁模型,在考虑材料非均匀性的基础上,采用有限元数值模拟的方法研究 了层状复合陶瓷的断裂行为.给出了复合陶瓷模型在三点弯曲的加载条件下,裂纹拐折和扩展 的过程,验证了层状复合陶瓷的主要增韧机理:裂纹沿软层界面拐折耗能.在此基础上,研究 了不同参数条件下,层状复合陶瓷韧性的变化规律.

采用分解稳定的锡配合物的方法合成了氧化锡纳米晶.随分解温度的升高,SnO₂ 晶粒的粒径由400℃时的5.5nm长大到600℃时的14.6nm,晶格畸变减小,比表面积迅速降 低,团聚程度增加.以该氧化锡纳米晶制作的气敏元件对液化石油气、汽油、甲醛、酒精等还 原性组分具有较高的灵敏度,响应-恢复过程在数秒到数十秒之间.

利用湿化学原位合成法制备了掺硫的金红石相纳米氧化钛光催化剂,并用XRD, TEM及uV-Vis吸收光谱对粉体进行了表征.粉体的可见光催化性能用亚甲基兰的降解情况 进行了表征.实验表明180℃水热合成的掺硫TiO₂的催化活性最高.

利用Li₂B₄O₇作为基质,掺杂稀土元素Eu³⁺,在空气中合成了Li₂B₄O₇:Eu³⁺荧 光体.探讨了体系的烧结条件,分析了晶体结构,并研究了该体系的荧光性质.结果表明,体 系中同时存在着[BO₄]和[BO₃]结构;稀土离子Eu3+的发光以电偶极跃迁⁵D₀-⁷F₂为主,处 于非中心对称的格位上,并且可以很好地存在于基质中.

以金属铟和锡为原料,于碱性环境240℃水热合成12h并经500℃煅烧2h得到了 粒径为70±10nm,比表面积为11 m²／g的高纯氧化铟锡(ITO)粉末.由SEM、激光粒度测试 仪和BET三种方法分析得到的粉末平均粒径相吻合,证明制备的粉末是单分散状态的.研究 还发现,提高铟锡初始浓度和氢氧化钠过量浓度均有利于小粒径单分散ITO粉末的制备,但 过高的氢氧化钠过量浓度会使粉末出现团聚.

用传统的烧结法,经850-950℃预烧和1050-1090℃烧结,制备了CaCu₃Ti₄O₁₂ 巨介电常数陶瓷,通过X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)分别对体系进行了结晶性能和形 貌测试,用阻抗分析仪对试样在50-300K温区范围内介电性能进行了测试.研究结果表明, CaCu₃Ti₄O₁₂结晶完整性、晶界及缺陷对其巨介电常数的大小、出现低介电常数向高介电常数 转变时对应温度的高低有直接的影响.在950℃预烧和1090℃下烧结的样品要比880℃预烧 和1050℃下烧结样品出现极化子松弛时对应的温度下降约70K,介电常数相对提高约300％, 在较大的温区范围具有高的介电常数.材料的结晶越完整,由低到高介电常数的转变速度越快.

为了了解化学组成对电解二氧化锰(EMD)电化学行为的影响,分析了三种商品 EMD的组成,它们分别为Mn_0.881⁴⁺Mn_0.044³⁺O_1.655^2-(OH)_0.345^-、Mn_0.880⁴⁺Mn_0.048³⁺O_1.666^2-(OH)_0.334^-和 Mn_0.879⁴⁺Mn_0.054³⁺O_1.677^2-(OH)_0.322^-, X射线衍射表明晶型为γ-MnO₂.通过循环伏安、恒流放电、 电位-时间关系等实验研究其电化学行为,结果表明,EMD中结合水含量(即阳离子空位数) 增加时,样品开路电压升高、放电容量增大、第1电子还原的峰电位正移.

采用直接还原一旋转沉淀颗粒包裹工艺制备具有"核-壳"结构的25SiC／75Cu(vol％) 包裹复合粉体,利用DSC-TG-MS联用技术分析了包裹复合粉体的热物理化学变化行为.结果 表明,在846℃附近发生氧化物分解反应,释放出O₂气体;896℃左右出现低共熔混合物的 熔融;950℃以上,SiC与Cu发生反应,释放出CO₂气体.

以Fe-Mo为助烧剂,通过热压制备了TiB₂陶瓷.研究了烧结温度、烧结时间对材 料显微结构和力学性能的影响,分析了烧结致密化过程.实验结果表明,随着热压烧结温度升 高,材料抗弯强度、洛氏硬度出现峰值,热压烧结时间延长,抗弯强度有所下降.液相烧结的 重排阶段致密化速率最快.

采用水溶液离子交换法制备了锂离子和其它多价阳离子混合交换的13X分子筛,并 测定了这些二元离子交换分子筛在25℃下的氮和氩的吸附等温线.研究发现,经二元离子交 换的MgLiX、znLix、NiLiX和LaLiX分子筛对氮的吸附能力和对氮氩的吸附分离能力都 低于Lix分子筛,且随着多价离子在分子筛中的含量增加,分子筛的氮氩分离性能变差.说明 在LiX和实验所制得的各种二元离子交换的分子筛中,LiX分子筛仍是最好的氮氩分离吸附剂.

采用结构导向-超临界流体干燥(SCFD)-浸泡沉淀法制备了CeO₂／TiO₂介孔组装 纳米复合粉体,通过TEM,XRD,BJH和BET等技术对获得的粉体进行了表征,并将其应用 于光催化降解3B艳红染料和干电流变体中.结果表明,将稀土粒子CeO₂组装到介孔TiO₂的 纳米孔道中形成的复合体系的光催化、光吸收和介电特性不同于纳米TiO₂颗粒,表现出了明 显的增强效应.