代建清1,2, 赵忠贤2
收稿日期:
2007-03-07
修回日期:
2007-05-16
出版日期:
2008-03-20
网络出版日期:
2008-03-20
DAI Jian-Qing1,2, ZHAO Zhong-Xian2
Received:
2007-03-07
Revised:
2007-05-16
Published:
2008-03-20
Online:
2008-03-20
摘要: 采用顶部热籽晶技术和“二步冷却”生长工艺, 在空气中制备了Gd-Ba-Cu-O、(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O三种体系的单畴熔融织构样品, 并研究了Ar气氛退火(ArPA)对所制备的单畴样品超导性能的影响. 结果表明, 三种体系的单畴样品77K下的俘获场分布均呈中心对称的圆锥形, 其中SEG样品的冻结场达到0.34T(φ18mm), 与OCMG工艺制备的相同尺寸的样品处在同一水平. Ar气氛退火对三种体系单畴样品超导性能的影响不同: 对Gd-Ba-Cu-O体系, ArPA不能进一步提高单畴样品的临界电流密度; 而对(SmGd)-Ba-Cu-O和(SmEuGd)-Ba-Cu-O体系, 合适温度下的ArPA可以大幅度提高样品的超导性能.
中图分类号:
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