C60薄膜的热处理性能研究

无机材料学报

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C₆₀薄膜的热处理性能研究

刘波; 王豪

中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800

收稿日期:1999-11-15 修回日期:1999-12-15 出版日期:2000-10-20 网络出版日期:2000-10-20

Thermal Treatment Characteristic of C₆₀ Film

LIU Bo; WANG Hao

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 201800; China

Received:1999-11-15 Revised:1999-12-15 Published:2000-10-20 Online:2000-10-20

摘要/Abstract

摘要： 通过对Ｓｉ（１００）衬底上Ｃ６０薄膜在不同温度处理后的ＡＥＳ谱线研究发现，Ｃ_６０分子于９７３Ｋ时开始分解，生成石墨类碳碎片，１０７３Ｋ时Ｃ原子已与Ｓｉ原子键合形成ＳｉＣ，１１２３Ｋ时Ｃ_６０分子全部分解，这一研究结果对解释Ｃ_６０分子促进金刚石成核将起到重要作用．

关键词: C₆₀薄膜, AES, 石墨类碳碎片, SiC

Abstract: A series of AE spectra for "as-deposited" C₆₀ films on Si(100) substrate annealed at different temperatures were studied. C₆₀ molecules begin to decompose at 973K and result in a graphite-like carbon fragmentation. When C₆₀ film is heated to 1073K, silicon and carbon will bond to form silicon carbide.At 1123K all C₆₀ molecules will decompose. The results may take place an important role for the explanation of C₆₀ molecule promoting diamond nucleation.

Key words: C₆₀ film, AES, graphite-like carbon fragmentation, SiC

中图分类号:

O484

刘波,王豪. C₆₀薄膜的热处理性能研究[J]. 无机材料学报.

LIU Bo,WANG Hao. Thermal Treatment Characteristic of C₆₀ Film[J]. Journal of Inorganic Materials.

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Thermal Treatment Characteristic of C₆₀ Film

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