比较了连续ＳｉＣ纤维的四种主要制备方法，着重介绍了先驱体转化法制备工艺，并就先驱体转化法生产连续ＳｉＣ纤维国内外研究历程、开发现状、发展前景及对策作了初步的分析与探讨．

用Ｘ射线光电子能谱和拉曼光谱方法研究了Ｂｉ_２Ｏ_３－Ｌｉ_２Ｏ系玻璃的结构．Ｘ射线光电子能谱显示Ｂｉ_２Ｏ_３－Ｌｉ_２Ｏ玻璃的Ｏ１ｓ电子结合能非常低，甚至低于碱硅酸盐玻璃中断桥氧的Ｏ１ｓ电子结合能，并且Ｏ１ｓ电子结合能随着氧化锂含量的增加而增加．拉曼光谱显示随着氧化锂含量的增加，位于高波数的拉曼振动带朝着更高的方向移动并且强度增加，而位于低波数的拉曼振动带朝着更低的方向移动并且强度下降；这反映了此系玻璃结构中的铋氧多面体的变形程度随Ｌｉ_２Ｏ含量的增加而增加．

用改进的垂直坩埚下降法成功地生长了高质量的钨酸铅晶体，晶体毛坯的尺寸为２８ｍｉｎ×２８ｍｍ×３６０ｍｍ；晶体的生长工艺参数为：籽晶取向［００１］；下降速度 ０．６～１．０ｍｍ／ｈ；生长界面附近的温度梯度为２０～３０℃／ｃｍ，加工后的晶体成品在４２０ｎｍ附近的透过率＞６０％；在３６０ｎｍ附近的透过率＞２５％．晶体的光输出＞９ｐ．ｅ／ＭｅＶ；光伤＜５％．

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体的坩埚下降法生长工艺，讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施，成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体，尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时，对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试，结果表明，坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体 具有较好的光学均匀性．

坩埚下降法沿＜０１０＞和＜００１＞方向生长了直径达到２５ｍｍ的完整透明的Ｃａ_４ＹＯ（ＢＯ_３）_３ （ＹＣＯＢ）晶体．化学腐蚀结果表明，所生长晶体无孪晶或亚晶界等缺陷，晶体尾部的位错密度 不超过１８００／ｃｍ^２测量了ＹＣＯＢ的透射光谱，其截止波长为２００ｎｍ进行了ＹＣＯＢ晶体对 Ｎｄ：ＹＡＧ激光的二次倍频实验．通过与ＫＤＰ晶体对比，计算出ＹＣＯＢ晶体的有效非线性系数 在Ⅰ型相位匹配方向（θ，φ）＝（６６．３°，１４３．５°）和（６５．９°，３６．５°）上分别为１．４５ｐｍ／Ｖ和０．９１ｐｍ／Ｖ； 大于ＫＤＰ和 ＬＢＯ晶体．在脉冲宽度１０ｎｓ的 Ｎｄ：ＹＡＧ激光单脉冲辐射下ＹＣＯＢ晶体出现体 损伤的激光损伤阈值不低于８５ＧＷ／ｃｍ^２．

测量了新型非线性激光晶体Ｃａ_２ＹＯ（ＢＯ_３）_３（ＹＣＯＢ）的比热及其沿ａ、ｂ、ｃ三个方向的热膨胀系数、热扩散系数、导热系数、声子平均自由程和等效声速等热物理性质；讨论了属于单斜晶系的ＹＣＯＢ晶体的热物性的各向异性行为；实验结果表明ＹＣＯＢ晶体具有较大的比热和导热系数，其热膨胀系数各向异性相对较小，具有良好的热物理和力学性能．

以１５０Ｗ ＣＷ ＣＯ_２激光器为光源，Ｃｕ（ＡＣ）_２·Ｈ_２Ｏ为靶材，采用激光蒸凝法制备出了氧化铜纳米粒子．初步研究了反应参数对纳米粒子性能的影响，并用Ｘ射线衍射、电子衍射、透射电镜等技术对纳米粒子的性能进行了表征，同时对纳米粒子的形成机理进行了初步的探讨．实验结果表明；激光功率密度、反应压力、载气种类及流量等工艺参数对产品的粒度、晶型等性能均有影响．在惰性气氛下，产物主要是Ｃｕ和Ｃｕ_２Ｏ，粒径为１０～３０ｎｍ；在氧气气氛下，产物主要是Ｃｕ、Ｃｕ_２Ｏ和ＣｕＯ的混合物，粒径为１０～５０ｎｍ．

采用非均相沉淀工艺在Ａｌ_２Ｏ_３颗粒表面均匀地包裹上镍盐前驱体，经煅烧、还原后得到纳米晶Ｎｉ包裹Ａｌ_２Ｏ_３复合粉体．相分析表明，非晶态的镍盐前驱体在５５０℃已转变为ＮｉＯ，再经７００℃氢气处理后，ＮｉＯ还原为Ｎｉ，其晶粒尺寸约为２０ｎｍ。结构分析表明，复合粉体在热处理过程中，包裹层由连续态变为非连续态．

研究了聚丙烯酸铵在纳米氮化钛粉体上的定量吸附及其影响因素．实验结果表明：纳米氮化钛的等电点在ｐＨ＝３．８左右，加入分散剂ＰＡＡ－ＮＨ_４后，等电点移至ｐＨ＝２附近，ＰＡＡ－ＸＨ_４在纳米氮化钛上的吸附量随吸附时间的增加而增加；同时溶液的酸碱性也影响吸附量，扫描俄歇分析结果表明：ＰＡＡ－ＮH₄吸附在纳米氮化钛颗粒表面上．

介绍了一种工艺简便且成本较低的Ｂａ（Ｍｇ_１／３Ｔａ_２／３）Ｏ_３（ＢＭＴ）纳米粉末的湿化学制 备方法．实验过程以Ｔａ_２Ｏ_５作为起始物，通过热碱反应与钽离子浓度控制法合成Ｔａ_２Ｏ_５·ｎＨ_２Ｏ 胶体，然后与Ｂａ、Ｍｇ醋酸盐按化学计量比混合，经热处理制得ＢＭＴ纳米粉末．实验结果表 明该方法制备ＢＭＴ粉体所需的合成温度仅为８００℃；比传统固相反应法合成温度降低４００℃ 左右，平均粒径仅为７０ｎｍ此外所制得的纳米陶瓷材料具有较佳的低温烧结性能和微波介电 特性，比目前报道的醇盐系湿化学制备技术更具有实用性．

以正钛酸为原料，通过直接水解法制备纳米ＴｉＯ_２；并对样品分别进行了差热分析、Ｘ射线衍射分析和透射电子显微镜分析．结果表明，样品粒子为混晶型纳米ＴｉＯ_２，单分散性良好，粒径分布范围狭窄．当它应用于阴离子表面活性剂十二烷基苯磺酸钠的光催化降解时，与Ｐ－２５光催化剂相比，具有较好的催化活性．同时，我们用Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷膜回收纳米ＴｉＯ_２循环再利用；这为纳米ＴｉＯ_２在环保方面的大规模应用创造了条件．

采用分子动力学方法研究了Ｌｅｎｎａｒｄ－Ｊｏｎｅｓ熔体在加热和冷却过程中的比温度、比内能等热力学性质，测量了模型体系的形态和对分函数．研究结果表明，随比温度升高，比内能增加，冷却过程中体系发生相变的比温度为０．５１．加热过程中，模型体系形态一直是无序的，对分函数第一峰峰值在４～５之间变化，冷却过程中，体系形态从无序逐渐转变为有序，对分函数第一峰峰值从５增大到２２．

尝试以含Ａｌ、Ｂ、Ｃ的化合物为烧结助剂进行了α－ＳｉＣ粉末的无压烧结，研究了烧结助剂中Ａｌ和Ｂ的配比、烧结温度、保温时间等因素对烧结体密度和力学性能的影响．结果表明，最佳保温时间为１ｈ；当烧结温度为１８５０℃以上时，烧结体的相对密度达到了９０％；当Ａｌ／Ｂ＝３和 ４时，烧结体的性能相对较好．ＸＲＤ显示了Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７相的存在，表明在烧结过程中反应生成了Ａｌ_８Ｂ_４Ｃ_７，烧结机制是液相烧结．扫描电镜照片显示了断面结构和晶粒形貌．

采用无压烧结和酸洗的方法制备了α－ＳｉＡｌＯＮ单晶颗粒，并将这些单晶颗粒作为晶种加入到ＹＳｍ－α－ＳｉＡｌＯＮ原始组份中，研究了陶瓷显微结构与性能的变化．结果表明：未加入晶种的ＹＳｍ－α－ＳｉＡｌＯＮ陶瓷主要由细小晶粒和少量粗大晶粒组成，而晶种加入后，陶瓷中出现了柱状晶粒；柱状晶粒的尺寸与数量可由晶种的数量和尺寸控制．晶种加入导致ＹＳｍ－α－ＳｉＡｌＯＮ陶瓷韧性升高，韧性升高的原因与柱状晶粒的拔出与桥接有关．

研究了掺杂ＣａＯ－Ｙ_２Ｏ_３热压烧结和常压烧结ＡｌＮ陶瓷的性能和显微结构．结果表明：热压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２，常压烧结ＡｌＮ陶瓷的第二相为Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１2和Ｃａ_３Ｙ_２Ｏ_６；热压烧结ＡｌＮ的第二相体积百分数和晶格氧含量均低于常压烧结；热压烧结ＡｌＮ陶瓷的微观结构良好，其热导率达到２００Ｗ／ｍ·Ｋ．

对湿化学法制备的ＳｉＯ_２／３Ｙ－ＴＺＰ包裹复合粉体进行了热压烧结研究，并利用Ｘ射线衍射和透射电镜表征了烧结体的物相和显微结构．在低于１３００℃，复合粉体发生瞬时粘性烧结，材料密度迅速提高；随着烧结温度的升高，ＳＩＯ_２和ＺｒＯ_２发生反应生成ＺｒＳｉＯ_４．在１５００℃热压条件下，制备了平均晶粒尺寸为３５０ｎｍ的ＺｒＳｉＯ_４／３Ｙ－ＴＺＰ细晶复相材料．我们认为，在烧结过程中形成的第二相ＺｒＳｉＯ_４，特别是ＳｉＯ_２包裹层对抑制基体晶粒长大起主要作用．

利用相图计算技术（ＣＡＬＰＨＡＤ）对Ｆｅ－Ｔｉ－Ｃ燃烧合成反应体系进行热力学分析，着重研究Ｆｅ含量和Ｃ／Ｔｉ原子比对体系绝热燃烧温度Ｔ_ａｄ和平衡相组成的影响．研究结果表明，Ｆｅ含量对 Ｆｅ－Ｔｉ－Ｃ三元系的平衡相组成影响不大，但对绝热燃烧温度的影响非常大．当保持Ｃ／Ｔｉ原子比接近１．０时，不管Ｆｅ含量如何变化；在２９８Ｋ下均会得到理想的平衡相组织ＴｉＣ＋Ｆｅ 随Ｆｅ含量增加，体系的绝热燃烧温度大致呈线性降低．Ｆｅ－Ｔｉ－Ｃ体系发生ＳＨＳ反应的热力学条件之一（Ｔ_ａｄ＞１８００Ｋ）是Ｆｅ＜５５ｗｔ％．而 Ｃ／Ｔｉ原子比对绝热燃烧温度的影响比较小，但对平衡相组成影响非常大，主要表现在两个方面：①石墨相的析出温度不同．随Ｃ／Ｔｉ原子比降低，析出温度也随之降低．②在各温区石墨相的含量不同．当 Ｃ／Ｔｉ在１．０～１．４变化时，石墨相含量在低温区由１％提高到１６％．

利用Ａｌ－Ｔｉ－ＴｉＯ_２体系放热反应，采用自蔓延高温合成工艺。原位合成了ＴｉＡｌ基体和Ａｌ_２Ｏ_３颗粒，成功制备出ＴｉＡｌ／Ａｌ_２Ｏ_３复合材料．结合差热分析，通过对不同温度下反应产物相组成分析；对Ａｌ－Ｔｉ－ＴｉＯ_２体系燃烧反应过程进行了初步研究．结果表明，铝热还原反应是一个分步过程，先期发生的Ａｌ－Ｔｉ、Ｔｉ－ＴｉＯ_２反应降低了Ａｌ－ＴｉＯ_２还原反应的起始温度．

研究用溶胶－凝胶方法制备ＰＭＮＴ（铌镁酸铅）薄膜的工艺过程．通过ＸＲＤ和ＳＰＭ系统地分析了热处理条件（热解温度和退火条件）与ＰＭＮＴ薄膜的形态．结晶和取向的对应关系，已建立起制备高度取向 ＰＭＮＴ薄膜的工艺．并成功地在Ｐｔ／Ｔｉ／ＳＩＯ_２／Ｓｉ衬底上制备成（１１１）取向的ＰＭＮＴ薄膜．

以无机盐或氧化物Ｎｂ_２Ｏ_５、ＭｇＯ、ＴｉＣｌ_４和Ｐｂ（ＡＣ）_２、３Ｈ_２Ｏ为原材料，柠檬酸和ＥＤＴＡ为复合螫合剂，乙二醇为溶剂，分别制备Ｎｂ、Ｍｇ－Ｎｂ、Ｔｉ和Ｐｂ的有机化合物前驱液，采用溶胶－凝胶工艺制备ＰＭＮ－ＰＴ弛豫铁电陶瓷粉体及其烧结体．讨论了制备工艺和螯合剂等对金属有机化合物溶液的性质、材料物相形成和介电性能的影响．

采用固相烧结工艺制备出了Ｓｒ_０．４Ｐｂ_０．６ＴｉＯ_３半导体陶瓷元件，其阻温特性具有独特的ＮＴＣＲ和ＰＴＣＲ复合效应，陶瓷室温电阻率及居里点以下的ＮＴＣＲ效应随着烧结温度的升高而提高，适当过量ＰｂＯ则能降低陶瓷室温电阻率及其ＮＴＣＲ效应．利用ＸＲＤ、ＳＥＭ和ＥＤＳ分别对样品的相结构、形貌及成份分布等进行分析，结果显示晶界中的Ｓｒ，Ｔｉ含量相对较高，而Ｐｂ含量相对较低，材料的阻温特性明显受其影响．铅挥发造成的阳离子空位是该类半导体陶瓷在居里点下出现ＮＴＣＲ效应的主要原因之一，同时探讨了Ｙ^３＋离子掺杂（Ｓｒ，Ｐｂ）ＴｉＯ_３陶瓷的半导化机理和热敏特性．

ＺｎＦｅ_２Ｏ_４是传统的铁氧体材料，近年来又发现具有良好的气敏性能．本文采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸的ＺｎＦｅ_２Ｏ_４粉末，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了结构特性．以ＺｎＦｅ２Ｏ４纳米粉末为原料制备了厚膜气敏元件，测试了元件的气敏性能，并对气敏机理给予了解释．

研究了以非磁性（Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９）_０．６６ＣＲ_０．３４薄膜作为过诞层的坡莫合金Ｎｉ_０．８１Ｆｅ_０．１９薄膜的磁电阻效应和饱和磁场，分析退火处理对样品饱和磁场的影响和经刻蚀后的磁电阻效应膜线的尺寸效应，并建立一个统计模型定性分析了其性能变化的机理，计算结果符合实验．

在铝酸盐溶液中，采用交流微弧氧化方法在ＴＣ４钛合金表面制备出氧化物陶瓷膜．使用显微力学探针测定了膜的硬度和弹性模量分布，并探讨了微弧放电对氧化膜和钛合金基体组织、性能的影响．结果表明，钛合金表面经微弧氧化处理后，膜／金属界面附近钛合金基体显微组织保持不变，基体上也不存在硬化区．另外，来自溶液氧原子没有扩散进入未氧化的钛合金基体．氧化膜的显微硬度和弹性模量分布有相似的变化规律．从膜表层到膜内部，硬度和弹性模量逐渐增加．靠近钛／膜界面附近时达到最大值。分别为１３和２３０ＧＰａ膜不同深度处ＴｉＯ_２金红石和ＴｉＡｌ_２Ｏ_５尖晶石相的相对含量变化决定了硬度和弹性模量分布．

以钛酸丁酯为ＴｉＯ_２前驱体，使ＴｉＯ_２均匀分散于纯硅介孔分子筛ＭＣＭ－４１的介孔孔道内表面，利用ＴｉＯ_２光学性质将ＡｕＣｌ－４还原为Ａｕ（０）并组装于氧化钛修饰的ＭＣＭ－４１孔道中．对所合成的Ａｕ负载的氧化钛修饰的ＭＣＭ－４１进行了ＸＲＤ，ＸＰＳ，Ｎ_２吸附－脱附曲线，及固体ＵＶ－Ｖｉｓ漫反射等多种结构表征．由ＸＰＳ谱和固体ＵＶ－Ｖｉｓ漫反射吸收光谱的ｐｌａｓｍｏｎ吸收峰证明Ａｕ团簇呈现０价的金属状态．

研究了以乙炔为基本原料，用Ｎ_２做载流气体；以纳米钻颗粒为催化剂在７００～８００℃常压下纳米碳管的宏观量制备．粗产品中纳米碳管的含量接近５０％，而且纳米碳管缺陷很少，直而长，石墨化好．纳米碳管的形核过程是因为碳在催化剂表面分布不均匀造成的．纳米碳管的生长极限在１５ｍｉｎ左右，然后生长变得缓慢，纳米碳管的一般长度在５～３０μｍ．

采用气流粉碎对Ｂ_４Ｃ粗粉（比表面积０．５２ｍ^２／ｇ，中位粒径２０．４μｍ）进行了一系列粉碎实验，研究了气流粉碎次数、成形压力和烧结温度对烧结密度的影响．结果表明，当粉碎次数达到３次后，可获得＜１μｍ的Ｂ_４Ｃ超细粉末．经过４次气流粉碎的Ｂ_４Ｃ超细粉末的比表面积为２．５３ｍ^２／ｇ，中位粒径为０．５６μｍ；粉末分别于２２００和２２５０℃压烧结１ｈ，其烧结密度分别达到理论密度的７８．６％和８２．５％，平均晶粒尺寸分别为２８和５０μｍ抗压强度分别为３９０和５５５ＭＰａ．

在ＭｇＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２－ＴｉＯ_２玻璃中添加不同数量的氧化镧，采用差热分析、Ｘ射线衍射及电子显微镜等技术研究了氧化镧对玻璃析晶过程与力学性能的影响．氧化镧的加入使玻璃中析出α－堇青石相的温度降低；同时避免了高膨胀方石英相的析出．随着氧化镧加入量的增加，玻璃整体析晶能力下降，微晶玻璃中晶相含量减少，晶粒尺寸增大，微晶玻璃的弹性模量与硬度减小，断裂韧性增加，体现出大尺寸长柱状金红石晶粒的增韧作用．

Ｂｉ_１２ＳｉＯ_２０是一种优质的光折变晶体．但在地面生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体时遇到的主要问题是分凝系数远远＜１，导致晶体组分不均匀．本文采用在空间生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体的多工位炉进行地面晶体生长，测试了ＣｅＯ_２浓度分布和掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体的透过率，以便同空间生长掺Ｃｅ：ＢＳＯ晶体进行比较．

通过在Ｙ－ＴＺＰ中加入适量的硅酸盐玻璃添加剂，使其烧结温度明显降低，并且制备出具有细晶粒、高强度的四方相氧化锆增韧陶瓷材料．分析了添加剂含量及烧结温度与材料致密度、显微结构及力学性能的关系，发现在Ｙ－ＴＺＰ材料中加入１ｗｔ％的添加剂，可以使材料在１４００℃下烧结，氧化锆晶粒尺寸约为１００～２００ｎｍ；其抗折强度可达９５０ＭＰａ．

利用原子力显微镜研究了氯化镁介质中氧化铝表面的相互作用力随盐浓度、ｐＨ的变化规律．在中性条件下；当ＭｇＣｌ_２盐浓度由１０^－５ｍｏｌ／Ｌ增加到１０^－2ｍｏｌ／Ｌ时，长程排斥作用由于双电层压缩，作用范围从一百多纳米减弱到十几纳米，实验测得的双电层厚度的实际值与理论值较好的吻合．保持ＭｇＣｌ_２介质浓度不变；ｐＨ由３．６４变化到９．０９；氧化铝表面的相互作用始终表现为排斥力，与测得的Ｚｅｔａ电位值始终为正值相一致．当ｐＨ＝９．５时，由于镁离子的水合氢氧化物在氧化铝表面的特性吸附，产生了短程非静电徘斥力，首次用原子力显微镜证实了Ｍｇ^２＋特性吸附层的存在，厚度约为５ｎｍ。

以无机物ＩｎＣｌ_３·４Ｈ_２Ｏ和ＮａＯＨ为原料，在遵守热力学限制的前提下，用室温固相化学反应直接合成了半导体金属氧化物Ｉｎ_２Ｏ_３的纳米粉体，用Ｘ射线衍射技术和透射电子显微镜对产物的物相、形貌进行了表征和观察，并用静态配气法测定了材料的气敏性能．

采用电弧离子镀技术在氧化铝基陶瓷刀片表面沉积了ＴｉＮ涂层．结果表明：ＴｉＮ涂层陶瓷刀片的抗弯强度和Ｗｅｉｂｕｌｌ模数有较大的提高．扫描电子显微镜、Ｘ射线衍射、二次离子质谱分析表明：涂层表面平整光滑，为立方ＮａＣｌ结构，并且呈现出明显的（２２０）择优取向．涂层与基体结合紧密，两者存在着明显的元素扩散．

采用电子辅助化学气相沉积法（ＥＡＣＶＤ）制备了直径１２０ｍｍ、厚度１ｍｍ以上的大尺寸金刚石厚膜，这是国内已见报道的最大成膜尺寸．ＳＥＭ和Ｒａｍａｎ光谱分析表明它是一种纯晶质的多晶金刚石材料；其硬度接近天然金刚石，远高于聚晶金刚石．将这种材料加工成拉丝模具，现场拉丝结果表明其拉丝效果与天然金刚石和进口优质聚晶相当，优于国产聚晶．用这种金刚石制成的拉丝模具可广泛用于拉制钨、钼、铜和不锈钢丝．

采用沉降法测定蓖麻油在ＡｌＮ流延浆料中的分散效果．结果表明：分散剂添加量为粉体重量的１～１．５％时，对本文所述的ＡｌＮ粉料而言分散效果最好．应用傅立叶红外光谱分析法，研究蓖麻油在ＡｌＮ流延浆料中的分散机理．结果表明：蓖麻油分子上的羰基与ＡｌＮ中的氮原子形成ｎ－π共轭结构，能有效地吸附在ＡｌＮ陶瓷颗粒表面，使蓖麻油长链分子分散在ＡｌＮ颗粒周围，产生良好的空间位阻分散．获得了均匀的，流动性好的ＡｌＮ流延浆料．