工艺参数对a-CNx膜沉积的影响

无机材料学报

工艺参数对a-CN_x膜沉积的影响

肖兴成; 江伟辉; 宋力昕; 田静芬; 胡行方

中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050

收稿日期:1999-03-12 修回日期:1999-06-28 出版日期:2000-02-20 网络出版日期:2000-02-20

Influence of Processing Parameters on the Deposition of a-CN_x Films

XIAO Xing-Cheng; JIANG Wei-Hut; SONG Li-Xin; TIAN Jing-Fen; HU Xing-Fang

Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 200050; China

Received:1999-03-12 Revised:1999-06-28 Published:2000-02-20 Online:2000-02-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了基本工艺参数对磁控溅射制备无定形氮化碳（ａ－ＣＮ_x）薄膜沉积的影响．实验结果表明：Ｎ_２流量的增加提高了膜的沉积速率，同时提高了膜中氮含量．溅射功率的提高增加了沉积速率．偏压对硬质膜的制备是一关键的工艺参数，它不仅使薄膜致密、表面光滑，而且还可以提高膜中的Ｎ含量．

关键词: a－CN_x膜, 工艺参数, 沉积

Abstract: The influence of basic processing parameters on the deposition of a-CN_x was studied.The results show that the increase of N flux enhances the deposition rate of the film as well asincreases its N content. While higher sputtering power leads to higher deposition rate. Further-more, the employment of bias will prove to be beneficial in the preparation of CN_x film in thatit not only facilitates the densification process and produces a smoother surface morphology, butalso increases the content of N in the film.

Key words: a-CN_x films, processing parameters, deposition

中图分类号:

O734.1

肖兴成,江伟辉,宋力昕,田静芬,胡行方. 工艺参数对a-CN_x膜沉积的影响[J]. 无机材料学报.

XIAO Xing-Cheng,JIANG Wei-Hut,SONG Li-Xin,TIAN Jing-Fen,HU Xing-Fang. Influence of Processing Parameters on the Deposition of a-CN_x Films[J]. Journal of Inorganic Materials.

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