SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究

无机材料学报

SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究

罗发; 周万城; 焦桓; 赵东林

西北工业大学凝固技术国家重点实验室西安 710072

收稿日期:2002-04-08 修回日期:2002-06-04 出版日期:2003-05-20 网络出版日期:2003-05-20

Microwave Absorbing Material SiC(N)/LAS

LUO Fa; ZHOU Wan-Cheng; JIAO Huan; ZHAO Dong-Lin

State Key Laboratory of Solidification Processing; Northwestern Polytechnical University; Xi an 710072; China

Received:2002-04-08 Revised:2002-06-04 Published:2003-05-20 Online:2003-05-20

摘要/Abstract

摘要： 研究了由SiC(N)纳米吸收剂制备的SiC(N)/LAS吸波材料的介电性能,对影响介电性能的吸收剂的含量、吸波材料烧结温度和碳界面层等因素进行了较为全面的研究。结果表明,在1080℃以下烧结温度对陶瓷致密度的影响较大而对陶瓷介电常数的影响较小;在1080℃以上烧结温度对烧结致密度的影响较小,对陶瓷介电常数的影响较大,吸波材料介电常数的实测值与计算值之间存在很大的差异,这种差异是吸波材料制备过程中纳米级的SiC(N)促进了碳界面层形成,导致了在较高温度烧结时吸波材料介电常数对温度的敏感性,使吸波材料介电常数的实测值与计算值之间出现了很大的差异,形成的碳界面层复介电常数的虚部较高,使吸波材料对电磁波的损耗进一步升高,从而使吸波材料的吸波性能得到增强。

关键词: 纳米SiC（N）, LAS玻璃陶瓷, 介电常数, 界面层, 吸波材料

Abstract: Radar wave absorbing material (RAM) SiC(N)/LAS was prepared from nano SiC(N) absorber and LAS glass powder. The effect of nano SiC(N) absorber contents,
hot-pressing temperatures, and the carbon-rich layer at the absorber/matrix interface on microwave permittivity and microwave absorbing ability of the RAM
were studied. The results show that increasing the hot-pressing temperature over 1080℃ remarkably increases the RAM’s permittivity while the densities
of the RAM keep nearly the same. A great difference between the measured and expected permittivity exists. The discrepancy of permittivity is related to the
carbon-rich layer at the absorber/matrix interface that has a high permittivity. The activity and high specific surface of the nanometer SiC(N) facilitate the
interface formation and intensify the RAM’s wave absorbing ability.

Key words: nano SiC（N）, LAS glass-ceramic, permittivity, interface, RAM

中图分类号:

TQ129

罗发,周万城,焦桓,赵东林. SiC(N)/LAS吸波材料吸波性能研究[J]. 无机材料学报.

LUO Fa,ZHOU Wan-Cheng,JIAO Huan,ZHAO Dong-Lin. Microwave Absorbing Material SiC(N)/LAS[J]. Journal of Inorganic Materials.

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