BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为

无机材料学报

BaTiO₃基PTCR陶瓷中B₂O₃蒸汽掺杂的异常行为

齐建全; 李龙土; 朱青; 王永力; 桂治轮

清华大学材料系, 北京 100084

收稿日期:2000-07-10 修回日期:2000-08-28 出版日期:2001-07-20 网络出版日期:2001-07-20

Abnormal Behavior of B₂O₃ Vapor Dopants in BaTiO₃ Based PTCR Ceramics

QI Jian-Quan; LI Long-Tu; ZHU Qing; Wang Yong-Li; GUI Zhi-Lun

Dept. of Mater. Sci. and Eng.; Tsinghua Univ. Beijing 100084; China

Received:2000-07-10 Revised:2000-08-28 Published:2001-07-20 Online:2001-07-20

摘要/Abstract

摘要： 钛酸钡基半导化陶瓷中的ＰＴＣＲ效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关．在高温下Ｂ_２Ｏ_３具有较高的蒸汽压，通过Ｂ_２Ｏ_３蒸汽掺杂的研究表明，含主族元素Ｂ的氧化物蒸汽掺杂，钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高，同时室温电阻率也有所增加．Ｂ_２Ｏ_３蒸汽掺杂ＢａＴｉＯ_３基材料的ＰＴＣＲ效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成．

关键词: B₂O₃, BaTiO₃, PTCR

Abstract: The PTCR (Positive Temperature Coefficient Resistivity) effect of BaTiO₃based semiconducting ceramics is usually allied to the donor or acceptor. B₂O₃ with
high vapor pressure at high temperatures can be used as vapor dopants. The behavior of B₂O₃ vapor dopants was studied in BaTiO₃ based semiconducting
ceramics. The dramatic results show that the resistivity jumping of the samples is improved distinctly, in the mean time, the room temperature resistivity is also
increased. The enhancement of the PTCR effect of the samples doped with B₂O₃ vapor is possibly associated with the interstice of boron ion and barium vacancy or
their related composite defects.

Key words: B₂O₃, BaTiO₃, PTCR

中图分类号:

TN304

齐建全,李龙土,朱青,王永力,桂治轮. BaTiO₃基PTCR陶瓷中B₂O₃蒸汽掺杂的异常行为[J]. 无机材料学报.

QI Jian-Quan,LI Long-Tu,ZHU Qing,Wang Yong-Li,GUI Zhi-Lun. Abnormal Behavior of B₂O₃ Vapor Dopants in BaTiO₃ Based PTCR Ceramics[J]. Journal of Inorganic Materials.

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BaTiO₃基PTCR陶瓷中B₂O₃蒸汽掺杂的异常行为

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