耗尽层的时域介电谱

无机材料学报

耗尽层的时域介电谱

陈敏; 孙少锋; 李景德

中山大学物理系; 广州 510275

收稿日期:1998-06-22 修回日期:1998-08-10 出版日期:1999-06-20 网络出版日期:1999-06-20

Time Domain Dielectric spectra of depletion Layer

CHEN Min; SUN Shao-Feng; LI Jing-De

Physics Department of Zhongshan University Cuangzhou 510275 China

Received:1998-06-22 Revised:1998-08-10 Published:1999-06-20 Online:1999-06-20

摘要/Abstract

摘要： 从金属-半导体-绝缘体-金属（MSIM）层的非线性效应和慢极化效应分析了不能用正弦讯号的频域方法来研究其动态性质的原因．对于这种结构，用时域介电谱方法能更可靠地分出MOS结构的接触层和绝缘层中空间电荷运动的许多重要信息．

关键词: 时域介电谱, 耗尽层, 二氧化硅, 硅单晶

Abstract: Because of slow polarization and non-linear effects, the dynamic properties of Metal-Semiconductor-Insulator-Metal (MSIM) layer were obtained incorrectly by frequency domian spectra with sinusoidal current. For this structure, time domain dielectric spectra can distinguish the effects reliably between contact and insulating layer of MOS structure. More important information of space charges motion can also be obtained by this method.

Key words: time domain dielectric spectrum, depletion layer, slica, silicon single crystal

中图分类号:

TN304

陈敏,孙少锋,李景德. 耗尽层的时域介电谱[J]. 无机材料学报.

CHEN Min,SUN Shao-Feng,LI Jing-De. Time Domain Dielectric spectra of depletion Layer[J]. Journal of Inorganic Materials.

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