CVI制备Si3N4p/Si3N4透波材料表征与性能

doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00979

摘要/Abstract

摘要： 以SiCl₄-NH₃-H₂为反应体系, 采用化学气相渗透(CVI)法制备Si₃N₄p/Si₃N₄透波材料. XRF测试表明试样主要含Si、N、O三种元素. XRD测试表明复合材料主要成分为α-Si₃N₄和非晶沉积物和非晶SiO₂, 并有微量的β-Si₃N₄和晶体Si, 高温热处理可使非晶沉积物转变为α-Si₃N₄和β-Si₃N₄. SEM照片显示颗粒团间结合不够致密, 残留气孔偏大. 试样的弯曲强度最高为94MPa, 介电常数为4.1～4.8.

关键词: Si3N 4p/Si3N4透波材料, 化学气相渗透(CVI), 弯曲强度, 介电常数

Abstract: normalsize Abstract: Si₃N₄p/Si₃N₄ radome material was prepared by chemical vapor infiltration (CVI) with SiCl₄-NH₃-H₂ systems. XRF analysis shows the specimen mainly contains Si, N, O three kinds of elements. XRD patterns indicate the sample consists of α-Si₃N₄, amorphous deposit, noncrystalline SiO₂, small amount of β-Si₃N₄ and Si. Amorphous deposit can be converted into α-Si₃N₄ and β-Si₃N₄by high temperature heat treatment. SEM photographs show weak bonding and large pores exist among granulae. Maximum flexural strength of the samples is 94MPa, and dielectric constants are between 4.1 and 4.8.

中图分类号:

TB332
TQ174

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CVI制备Si₃N₄p/Si₃N₄透波材料表征与性能

Characterization and Properties of Si₃N₄p/Si₃N₄ Radome Material Prepared by Chemical Vapor Infiltration

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