本文介绍近年来钨酸铅晶体缺陷研究方面的进展，这些结果表明了在钨酸铅晶体闪烁性能研究中考虑晶体缺陷影响的重要性．根据钨酸铅晶体的特点，就闪烁性能与非化学计量配比、晶体结构／多型性、杂质效应以及氧组份等因素的关系进行了简略的讨论．

本文阐述了PbF₂可用作闪烁晶体的许多优点，并对其发光性能的研究历史，特别是它在低温、相变和掺杂条件下的发光特征作了评述，报道了PbP₂晶体发光性能的最新研究进展，明确了目前存在的问题及今后应注意的几个研究方向．

本文介绍了Bi₂O₃－SiO₂系统的研究进展．首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述，然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi₄Si₃O₁₂和Bi₂SiO₅的结构、性能、生长、应用等方面的情况，预计Bi₂SiO₅将成为一种有前途的新功能晶体．

利用堇青石为主晶相的微晶玻璃，高频损耗小，成功地研制了一种介电常数ε＝7．2±0．2，介电损耗tgδ＜1．5×10^－4（制试频率＞1GHz）的微波材料.采用X射线衍射分析、扫描电镜、物理性能和电性能测试等技术，研究了该种玻璃晶化过程中的密度变化、晶相转变、以及电性能与晶相组成和结构的关系．

以BaCO₃、H₃BO₃为原料，经高温熔触及控制热处理，获得了BaO·B₂O₃透明玻璃陶瓷.利用XRD、SEM等手段研究了该材料的结构特征及表面形貌．结果表明，在玻璃表面得到了含有单一β-BaB₂O₄（BBO）晶相结构的析晶薄膜层，薄膜表面均匀，单股厚度约2μm，晶粒平均尺寸约0．2μm，且微晶粒沿a轴方向优先生长；析晶优先从玻璃表面开始向内部进行，形成晶化层—玻璃—晶化层的三元“夹心”结构．该玻璃陶瓷具有良好的光学性能，在1．064μm调QNd:YAG强激光作用下观察到了样品倍频信号的产生（SHG）．

采用可分相的Na₂－Al₂O₃－B₂O₃－SiO₂系为基础玻璃，以CuO／SnO、NaI为原料；分别引入Cu⁺、I^－，成功地制备出CuI微晶掺杂硼硅酸盐玻璃·通过X射线粉末衍射（XRD）和高分辨透射电镜（HRTEM）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件与光吸收性的关系．首次报道了该半导体微晶掺杂玻璃中的电致二次谐波发生，并讨论了该效应的机理．

本文以无机试剂为原料，采用溶胶—凝胶法制备了纳米级SnO₂.以TG－DTA热分析、红外光谱及XRD、TEM等测试手段对纳米级SnO₂的晶粒生长过程进行了研究．结果表明，当热处理温度＜500℃时，晶粒生长缓慢，在600℃热处理2h，能得到晶粒尺寸在十几纳米的SnO₂颗粒．而600℃以上的热处理，有可能使晶粒迅速粗大．应用相变理论计算得温度＜500℃热处理2h时，晶粒生长活化能为7．02kJ·mol^-1，＞500℃时，晶粒生长活化能为26．55kJ·mol^-1.

本文以硅溶胶、尿素和炭黑为原料，采用溶胶-凝胶碳热氮化法在1500℃、2h条件下制得粒径为50～80nm的Si₃N₄纳米粉末．比较了由硅溶胶与尿素经氨解合成的前驱体和硅溶胶二种不同起始物料的反应活性，研究了氮化条件对合成反应的影响．结果表明：氨解前驱体使硅溶胶中的结构水排除，有助于加快反应速率，提高产物氮含量．本文同时以Y（NO₃）₃为添加剂，在溶液状态与硅源混合，合成了Si₃N₄－Y₂O₃纳米复合粉末.

以硝酸盐水溶液为原料、高频感耦等离子体为加热源、超声雾化热解的方法制备CuO／Al₂O₃粉体．研究发现，溶液浓度及等离子体参数条件对粉体初始态的特性有很大影响，浓度越低；粉体越细．纯Al₂O₃粉为位径在1μm左右的空心球或壳状碎片，CuO粉由无定型海绵体与平均粒度为20nm的超细粒子组成．混合溶液制得的粉体形貌随着Cu／Al原子比的变化而变化，CuO与Al₂O₃熔点温度相差较大是导致杨体生成微观过程不同的主要原因．

采用低氧压下惰性气体沉积法制备粒经6nm以下的氧化锡微粒．由XRD、TEM及穆斯堡尔谱分析测定它的超精细参数、化学稳定性及加热过程发生的相变．结果表明，超微粒的纳米结构由体相和表面相组成；在室温下自发氧化形成稳定的二氧化锡．经300～600℃热处理后，产生正交与四方SnO₂相．分析认为，正交SuO₂相可能是在缺氧条件下，无序SnO₂相向高温稳定四方相转变的中间产物．

报道了SrS（Eu，Sm）的写入、读出和发射光谱分布及输出发光对输入光强的关系.利用～100μm厚的SrS（Eu，Sm）薄膜进行了图象存储和加减功能的实验，结果表明，该材料在光信息存储和处理中具有很大的应用前景．

研究了Na-β"-Al₂O₃陶瓷管制备的反应烧结法，即在900℃分解初始组成，而后快速反应烧结和分阶段退火转相的工艺．制备的Na-β"-Al₂O₃管具有良好的性能，双重显微结构也在一定程度上得到控制．

本文实验研究了ZuO压敏陶瓷击穿、非线性指数α和脉冲大电流冲击后击穿场强E_1mA变化率的几何效应．对ZuO晶粒尺寸的统计分析表明它基本服从正态分布．建立了微观结构模型，计算机模拟得到的击穿几何效应规律与实验规律相同．临界厚度d_c与方差σ²和平均晶粒尺寸μ的乘积成正比．

利用对称电池M，M_xO_y|ZrO₂（MgO）|M，M_xO_y在高温下对固态参比电极的极化特征进行了研究．实验研究表明，在本实验的条件下，极化电流与超电势之间为线性关系．Mo／MoO₂参比电极的交换电流密度远大于Cr／Cr₂O₃、Ni／NiO、Co／CoO参比电极的交换电流密度．电极交换电流密度随参比电极中金属含量的增加及温度的升高而增大．根据实验测试得到了电极反应的活化能．

本文以扫描电镜、X射线荧光分析仪、二次中性粒子质谱仪和X射线衍射仪研究了以溶胶-凝胶法制备的BaO-TiO₂-SiO₂系涂层在波特兰水泥中的稳定性．结果表明，涂层能在较长时间内防止80℃的饱和Ca（OH）₂溶液和波特兰水泥浸出液对基玻璃的侵蚀．以涂层的E-玻璃纤维增强水泥体，可有效地提高GRC材料的耐久性．

本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究．改变溅射条件，研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系，通过溅射条件的优化，可使氮化碳膜中的氮含量增加，薄膜的结构接近β-C₃N₄相．

本文采用真空蒸发制备了V₂O₅薄膜，用电化学方法从Li离子电解质中向V₂O₅薄膜注入Li离子.研究了V₂O₅薄膜中Li离于储存特性、注入／退出可逆性以及电荷注入对其光学性能的影响．实验结果表明，V₂O₅薄膜具有较好的Li离子储存特性和注入／退出可逆性，Li离子的注入量受到膜中V⁵⁺的含量以及锂离子可占据的总位置数限制，而且离子注入后V₂O₅薄膜的光学性能变化较小．

对以不同温度和时间进行热处理的氧化锆粉体，利用X射线步长衍射数据及Rietveld修正方法进行了相含量的定量分析．结果表明，以500℃热处理2h的氧化锆粉体为立方和四方二相混合物（重量比为48：52）．在700℃热处理2h，立方相已消失，部分四方相也相变成单斜相，四方相与单斜相的重量比为35：65．800℃及900℃分别热处理8h及2h都得到接近纯单斜相的氧化锆粉体，四方相的含量分别为5wt％和1wt％．文中也讨论了热处理温度和时间对氧化锆粉体晶粒大小的影响．

本工作利用扫描电镜、X射线衍射仪及正交偏光显微镜研究了沥青中间相以及单向C／C复合材料基体中间相在800mT磁场中处理后的取向，证实了沥青中间相的层片平行于磁场方向；在本工艺条件下，制造的单向C／C复合材料基体中间相层片垂直于碳纤维.

本工作利用0．8T强磁场处理单向C／C复合材料的沥青中间根基体后发现其界面层呈TOG弱界面结构（碳层片垂直于纤维），且磁场处理基体中间相后，单向C／C复合材料的弯曲强度稍有下降，但其韧性却有较大幅度地提高，并进一步研究了此种界面结构对单向C／C复合材料力学性能的影响．

以20～50MHz的工作频率范围，藉助于延迟块（平面、曲面）直接耦合方式，有效地开展了陶瓷坯体（生坯、素坯、毛坯）的超声无损检测．声参数（声速和声衰减）对陶瓷制备过程中各阶段的坯体内显微结构异常有灵敏的响应．适当选取工作频率和耦合条件，可以有效地进行素坯、毛坯超声技术缺陷检测．

设计复合制作了工作频率在20～100MHz的纵波、横波以及曲面超声换能器．以延迟块直接耦合的方式对陶瓷零部件进行声参数和缺陷尺度的超声技术检测.以纵波（对气孔较灵敏）和横波（适于检测裂纹）换能器交替使用提高了可信度．在广泛检测的基础上，建立AVN（距离、波幅、当量）关系曲线，供作缺陷尺度的查判之用.基于无损的检测结果，根据断裂力学的基本原理，对陶瓷零部件作质量评价和级别判断以及取／舍裁决．

本文以高分子网络凝胶法制备Y₃Al₆O₁₂（YAG）：Ce³⁺微粉，并测试其光谱特性．与普通的共沉淀法合成的（YAG）：Ce³⁺相比，高分子网络凝胶法于比较低的温度下（900℃）获得YAG物相，合成的（YAG）：Ce³⁺微粉光谱谱峰存在明显的蓝移现象．

本文通过组份设计，选用Si₃N₄、AIN和Y₂O₃等粉末为原料，在1800～1950℃进行气氛加压烧结（GPS），制备了性能优良的Y-α/β-Sialon陶瓷材料；利用XRD、EDAX和HREM详细地研究了相组成和晶界特性，其主晶相为β-Sialon和α-Sialon，晶界由少量的J－Y₄Si₂O₇N₂结晶相以及微量的玻璃相构成；并进一步探讨了材料在循环疲劳载荷下Vickers压痕短裂纹扩展特性，结果表明，最大应力强度因子与裂纹扩展速率之间呈V型扩展行为，并对外加应力水平非常敏感．

采用线型缩聚法合成了BPDA－ODA／LiClO₄高分子快离子导体．并在其中加入无机物质作比较．用交流阻抗谱法测定了共聚物薄膜的电导率．结果表明：无机物质种类对该系统电导率的影响大于颗粒度对电导率的影响．添加SiO₂，不论其颗粒度为0．96μm或是＜0．1μm，都能使该系统200℃的电导率提高一倍左右．

本文以大型高温工业炉为实例，对炉体结构传热的物理模型和计算方法进行了深入研究．据此，提出了一种高温工业炉用新型隔热技术和材料热设计的优化方法．经工程实施验证，设计值与实测值相吻合，并取得了十分明显的节能效益．

本文以TiCl₄为主原料，用NH₄NO₃分解法得到TiO₂粉末．结果表明，TiCl₄水解后立即中和至中性的样品A为单一锐钛矿，而TiCl₄水解一天后再中和的样品B为锐钛矿和金红石的混合晶型；二者在923K时发生相变，由低温稳定相锐钛矿转变成高温稳定相金红石；粒子的粒径分布范围狭窄，在10～20nm之间，平均粒径约15nm．另外，对单一锐钛矿样品A进行了相转位动力学研究，其相转位活化能为113．5±8．97kJ／mol．

对板钛矿纳米TiO₂微晶样品（n－TiO₂）进行了差热分析（DTA），发现其DTA曲线上出现了A、B两个吸热峰．通过对原始样品及其系列热处理样品进行X射线衍射（XRD）实验，证实A峰对应于物理或化学吸附的脱附过程，B峰完全对应于n－TiO₂原始样品结构从板钛矿经锐钛矿向着金红石的一级相变；这一结构相变使成了纳米晶粒的生长．

在Dy-Si-Al－O－N系统相关系的研究基础上，设计了以DyAG和M’相作为晶界相的单相α-Sialon和β-Sialon以及复相α－β-Sialon材料．研究了它们的致密化行为，热处理过程中的α’→β’相变机制以及力学性能．结果表明：可以制备出以DyAG和M’相作为晶界相的单相α-Sialon和β-Sialon以及复相α－β-Sialon材料．作为烧结助剂，DyAG比M’更能有效地促进致密化．Dy-α’较之其他的含Dy的物相更易于形成，因此烧结样品的α’相含量比设计值高．通过热处理，使α’→β’转变发生，可以达到设计的α’/α’+β’值．

用氧气-乙炔火焰法在氧化铝陶瓷片上沉积出了金刚石薄膜，并观察了薄膜的形貌结构及其在基片上的分布规律．对基片进行适当的预处理，可以提高金刚石薄膜在基片上的成核密度．认为氧化铝陶瓷片与沉积金刚石薄膜之间易形成过渡层，初步探讨了在氧化铝陶瓷片上沉积金刚石薄膜的机理．

本文用非平衡热力学耦合模型计算了常压乙炔火焰生长金刚石的相图，从理论上得到金刚石生长合适的衬底温度及气体流量比条件．不同衬底温度下氧气与乙炔流量比的范围是不同的．实验中通常的衬底温度在1000～1250K之间，此时合适的流量比范围应为0．8～1．1．衬底温度太低，不论流量比为何值，都不能生长金刚石．不同气体流量比时，衬底温度的范围也不相同，当流量比接近于1时，衬底温度的范围最宽；流量比偏离1时，衬底温度的范围将迅速变窄．本文从理论上得到的生长条件与报道的实验结果基本相符，因而可用于指导乙炔火焰生长金刚石的实验研究．

本文通过对比实验, 研究了化学镀镍对于PTC效应影响的机理. 结果表明, 对于某些致密的PTC半导体陶瓷, 化学镀镍后其室温电阻变小、升阻比下降不是由于?镀液的渗透, 而是与镀镍过程中发生的化学反应有关. 首次提出了化学镀过程中?产生的初生态氢原子影响PTC效应的观点.

本文在掺LiClO₄与碳酸丙烯酯的聚乙二醇固体电解质离?子电导特性与WO₃、NiO薄膜离子插入性能研究的基础上, 设计并制备了互补型WO₃/NiO全固态电变色器件. 同时研究了该器件变色过程的循环伏安特性与不同状态的可见、近红外透过特性. 结果表明, 互补型的WO₃/PEG-LiClO₄-PC/NiO器件在可见与近红外均具有良好的电变色特性, 其漂白态在波长600nm的透过?率为70%, 着色态为20%.

采用正交设计试验法探索了添加剂对快速CVD抗氧化C/C复合材料力学性能的影响, 确定了优化配方. 实验结果表明: 采用优化配方制备的C/C复合材料氧化起始点为657℃, 弯曲强度高达254MPa, 弯曲模量49MPa. 分析了添加剂对这种材料力学性能的影响规律.

首次用浓硝酸、乙酸、高锰酸钾和天然鳞片石墨反应制备无硫可膨胀石墨. 筛选出制备的最佳条件, 采用质谱法对该种无硫可膨胀石墨进行了分析.

本文对扫描电声显微镜电声成像中出现的干扰信号以及假?信号的产生进行了讨论. 指出扫描电声显微镜设备周围存在的高强度电场、磁?场、高频设备和仪器本身的接地是造成干扰信号出现的主要原因, 同时给出了一种能有效防止以上干扰的样品---探测器组件结构. 而在电声像中假信号产生?的原因则主要是由于样品和探测器接地不当所引起. 在进行电声成像观察和记?录时最好关掉电镜的对比度旋钮.