介绍近年来在钨酸铅闪烁晶体结构研究方面所取得的进展，表明钨酸铅晶体结构具有结构多型性和非化学计量配比的特征，说明了晶体结构这一因素在钨酸铅晶体研究中的重要性．

综述了用先驱体法制备陶瓷材料的特点，针对先驱体法气孔率高及收缩率大的不足，提出了三个解决办法，其中着重讨论了活性填料的选择原则及其在先驱体裂解制备陶瓷中的特点、应用及国内外研究现状．

综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究．铋层状压电陶瓷的结构由（Ｂｉ_２Ｏ_２）^２＋层和钙钛矿层（Ａ_ｍ－１Ｂ_ｍＯ_３ｍ＋１）^２－按一定规则共生排列而成．此处 Ａ为适合干 １２配位的离子；Ｂ为适合于八面体配位的离子，ｍ为一整数，其值一般为１～５．与钛酸钡（ＢａＴｉＯ_３）或锆钛酸铅（ＰＺＴ）陶瓷相比，铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高Ｔ_ｃ、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等． 先前研究证明，居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、Ａ位Ｂｉ含量有关，而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关．压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点，通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术．研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料．

利用多种方法观察了弛豫型铁电单晶ＰＭＮＴ中电畴结构随组分与结构的演变过程与特征．观察发现，在ＰＭＮ－ＰＴ的三方相区内，随ＰＴ含量的增加，电畴结构表现出微畴一（亚微畴）－不规则宏畴一规则宏畴转变历程；在三方－四方相变中，非１８０°电畴发生７１°（或１０９°）宏畴－９０°宏畴的转化，同时电畴图像变得更为规则．根据不同组分ＰＭＮＴ电畴的显示特征，提出晶体的最大双折射率可以作为度量其弛豫性强弱的光学参数．观察到了电畴的分布不均匀与多级结构现象，前者与组分或结构的起伏有关，后者与多期式马氏体转变有关．本文还分析了偏光显微镜、ＤＩＣ、ＳＥＭ、ＳＥＡＭ等观察方法中电畴的成像特征．

用光线导向模型建立了描述Ａｌ_２Ｏ_３单晶内部热量交换的二维方程，用有限元法计算了Ａｌ_２Ｏ_３单晶的温度场，分析了片状Ａｌ_２Ｏ_３单晶温场及其变化规律．研究结果表明，对流换热系数影响晶体的温度分布，固液界面越远，影响效果越显著，对流换热系数的增大使晶体温度降低．晶体生长速率增大使结晶前沿的温度梯度增大．晶体较长时，距固液界面较近的晶体的温场可以认为是准稳态温场．

了研究ＰｂＯ－ＰｂＢｒ_２－ＰｂＦ_２－Ｐ_２Ｏ_５系统玻璃在熔化过程中成分的变化，本文应用定 量化学分析法测出了玻璃在熔化后的成分．结果表明，ＰｂＯ－ＰｂＢｒ_２－ＰｂＦ_２－Ｐ_２Ｏ_５系统玻璃熔化 时氟和磷的损失较大，铅的损失相对较小；溴的损失随配料中各元素含量的多少而变化．氧含 量的变化受Ｐ_２Ｏ_５的挥发以及氧、水分与玻璃熔体中卤化物的反应程度两个因素影响．相关化 学反应的热力学计算与分析结果相吻合．

重点研究了ＰｂＢｒ_２－ＰｂＣｌ_２－ＰｂＦ_２－ＰｂＯ－Ｐ_２Ｏ_５系统玻璃的热性质、耐水性和抗潮解性．结果表明：该系统玻璃的热膨胀系数较大，一般在 ２５×１０^－６°Ｃ^－１左右． ＰｂＢｒ_２－ＰｂＣｌ_２－Ｐ_２Ｏ_５系统的玻璃具有较低的玻璃转变温度，可低达 １４６℃．加入 ＰｂF_２和／或 ＰｂＯ可显著提高玻璃的转变温度和密度，其中 ＰｂＯ对试样的影响更为显著． ＰｂＢｒ_２－ＰｂＣｌ_２－ＰｂＦ_２－ＰｂＯ－Ｐ_２Ｏ_５系统玻璃的抗潮解性一般较好。多数玻璃在水中的溶解速率可达１０^－５ｍｍ／ｄａｙ，具有较好的耐水性．

以磷酸三乙酯、硝酸铝和正硅酸乙酯为原料，通过它们的水解制备了ｘＡｌ_２Ｏ_３·ｘＰ_２Ｏ₅·１００ＳｉＯ_２（ｘ＝０．２５～３）凝胶．在６００℃对凝胶进行热处理，使其中的有机基团炭化，从而制备出了镶嵌有碳纳米颗粒的ｘＡｌ_２Ｏ_３·ｘＰ_２Ｏ_５·１００ＳｉＯ_２（ｘ＝０．２５，０．５）凝胶玻璃．在室温下以５３２ｎｍ激光（Ｎｄ：ＹＡＧ）激发，在 ６３０ｎｍ处有一强的发光峰，该发光现象是由镶嵌在凝胶玻璃中的纳米碳颗粒产生的．

以ＡｇＸ光色玻璃中的胶体Ａｇ^０转化为Ａｇ^＋的转化几率ｂ为基础，推导了ＡｇＸ光色玻璃的退色动力学模型：Ｔ＝１—Ｂ—ｋＣ_０exp（－ｂｔ），并结合实测的退色动力学参数给出了这一模型的数学解法，并将根据该理论模型绘制的退色动力学曲线与实测的退色动力学曲线进行了对比．结果表明：根据ＡｇＸ光色玻璃中的转化几率ｂ所推导出的退色动力学模型，较好地解释了ＡｇＸ光色玻璃的退色过程，转化几率ｂ较准确地表征了退包动力学的退色速度，理论计算的退色动力学曲线与实测的退色动力学曲线完全吻合．这进一步证明了本文提出的退色动力学模型及其所依赖的理论基础的正确性．

利用紫外一可见光谱研究了分散剂聚乙烯亚胺在粉体ＳｉＣ上的定量吸附情况．加入酸性ＰＥＩ后粉体ＳｉＣ表面的电性发生改变，等电点由ｐＨ＝２．０移至ｐＨ＝１０．５．分散剂在粉体上的吸附满足Ｌａｎｇｍｕｉｒ单层吸附方程．对分散剂ＰＥＩ－Ｈ^＋（ｐＨ＝３．５７）来说，单层吸附值为０．０１７２ｍｇ／ｍＬ．对分散剂ＰＥＩ－Ｈ^＋（ｐＨ＝６６１）来说，单层吸附值为０．０２０８ｍｇ／ｍＬ．利用富利叶红外光谱证实了这种吸附作用．

研究了以Ｙ，Ｓｍ以及复合稀土Ｙ＋Ｓｍ分别作为α－Ｓｉａｌｏｎ的形成离子，组份为 ９０ｗｔ％ α－Ｓｉａｌｏｎ（ｍ＝ １，ｎ＝ １７）＋１０ｗｔ％１２Ｈ的样品在 １４５０～１８００℃热压条件下的致密化和反 应过程．结果表明，添加Ｙ_２Ｏ_３＋Ｓｍ_２Ｏ_３复合稀土对致密化最有利，不同的稀土元素对反应过 程有较大的影响，即在 Ｓｍ－组份中 α－Ｓｉ_３Ｎ_４很快消失， α－Ｓｉａｌｏｎ与 ＡＩＮ－多型体同时形成而 Ｙ－ 组份中α－Ｓｉ_３Ｎ₄消失较慢，α－Ｓｉａｌｏｎ的形成受到ＡｌＮ一多型体的抑制．

研究了快速热压烧结和放电等离子快速烧结（ＳＰＳ）制备纳米Ｙ－ＴＺＰ材料．利用快速热压烧结和 ＳＰＳ快速烧结，可在烧结温度为 １２００℃、保温９～１０ｍｉｎ条件下，制得相对密度超过９９％的 Ｙ－ＴＺＰ材料．研究发现：虽然快速热压烧结和 ＳＰＳ烧结都可使Ｙ－ＴＺＰ在相同温度下的密度高于普通热压烧结，但两种快速烧结所得Ｙ－ＴＺＰ的晶粒都大于无压烧结所得；另外，快速热压烧结所得样品的结构不够均匀，而ＳＰＳ烧结的样品的均匀性较好．文章对产生这些现象的原因进行了理论探讨．

采用水热晶化法制备了Ｂａ（Ｓｂ^Ⅲ，Ｓｂ^Ⅴ）Ｏ_３新型钙钛矿型氧化物，并通过ＸＲＤ、 ＩＲ、ＳＥＭ和ＩＣＰ等方法对产物物相、形貌和组成等进行了表征．结果表明，产物为立方钙钛矿结构，晶胞参数为α＝０．４１５ｎｍ，粒度为１～２μｍ具有一定团聚的多晶粉末．产物中锑为三价和五价两种价态．水热条件对合成影响的研究结果表明， Ｂａ（Ｓｂ^Ⅲ，ｓｂ^Ⅴ）Ｏ_３合成的适宜碱度和ｎ_{Ｓｂ（Ⅴ)}／ｎ_{Ｓｂ（Ⅲ）}分别为 ８～１０Ｍｏｌ／Ｌ ＫＯＨ和 ０～１

在多层压电器件的研制过程中，为实现压电陶瓷和Ａｇ／Ｐｄ内电极的共烧结，本文对中温１１００～１１４０℃范围烧成的ＰＺＮ－ＰＺ－ＰＴ系压电陶瓷的电性能进行了研究，结果表明，保温时间对该组成的压电介电性能有重要的影响，随保温时间的延长，ｄ_３３从４２０×１０^－１２Ｃ／Ｎ增加到 ５６０×１０^－１２Ｃ／Ｎ，　ε^Ｔ_３３从 ２１８０增加到 ２９００。

用ＦＴＩＲ分析，结合ＤＳＣ、ＸＲＤ、ＡＦＭ实验结果，展示了ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备Ｂａ_ｘＳｒ_１－ｘＴｉＯ_３（ＢＳＴ）薄膜热演化过程的化学机制．研究表明：螯合剂ＨＡＣＡＣ的引入减缓钛醇盐水解速率、改善晶化途径、降低结晶起始温度，从而制得了晶化完善、致密无裂纹的ＢＳＴ薄膜．

研究了锰掺杂对ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响，并用ＥＳＲ确定了锰在ＰＺＴ材料中的价态．结果表明，锰在ＰＺＴ材料中主要以 Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋的方式共存．锰在ＰＺＴ陶瓷材料中的“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％．锰含量＜０．５ｍｏｌ％时，Ｍｎ将以Ｍｎ^２＋和Ｍｎ^３＋的方式优先进入晶格 Ｐｂ位，使材料的压电性能提高，表现出施主杂质特性；锰浓度处于 ０．５～１．５ ｍｏｌ％时，部分Ｍｎ将以Ｍｎ^３＋或Ｍｎ^２＋的方式进入晶格中（Ｚｒ；Ｔｉ）位，而此浓度范围内锰掺杂的ＰＺＴ材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性．锰含量＞１．５ｍｏｌ％时，过量的Ｍｎ将在晶界积聚，使压电活性降低．少量Ｆｅ的存在，可使Ｍｎ离子的溶解度降低，并起到抑制Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋氧化的作用.

用溶胶凝胶法在Ｓｉ（１００）衬底上制备了（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ_３铁电薄膜样品，测量了其在２．３～５．０ｅＶ能量范围的椭偏光谱，并获得样品的膜厚和在该区间的光学常数谱．实验发现Ｐｂ离子被Ｃａ离子取代后，折射率峰向低能方向移动；同时随着Ｃａ含量的增加，（Ｐｂ，Ｃａ）ＴｉＯ_３的吸收边向低能方向移动，表明Ｃａ离子取代Ｐｂ离子后，禁带宽度Ｅ_ｇ减小．还讨论了引起折射率峰移动和禁带宽度Ｅ_ｇ减小的原因．

研究了反应气体流量对磁控反应溅射ＮｉＣｒＯ_ｘ薄膜成分和光学常数的影响．在反应溅射过程中，ＮｉＣｒ靶随着Ｏ_２流量的增大出现毒化现象．在不同氧流量条件下可沉积出近于透明的介电薄膜和不透明的吸收薄膜．对薄膜光学常数的研究可应用到太阳能光谱选择性吸收薄膜的制备．

以Ｌｉ_２ＣＯ_３和Ｍｎ（ＮＯ_３）_２为原料，以聚丙烯酰胺为高分子网络剂制得前驱体后，用微波加热技术合成了纳米晶尖晶石ＬｉＭｎ_２Ｏ_４粉体，通过循环伏安及充放电技术对其进行电化学性能测试表明，该材料的电化学比容量为 １２０ｍＡｈ／ｇ；循环 ５０次后衰减率为 ４．７％；通过 ＳＥＭ及ＸＲＤ分析其微观形貌表明，该材料不仅相纯度高，而且颗粒粒度近于纳米级，有利于Ｌｉ^＋的嵌入／脱嵌．本文所提供的微波一高分子网络技术不仅为合成具有优良性能的锂锰尖晶石氧化物材料提供了一个新方法，而且为合成其他类型高性能氧化物陶瓷材料提供了一条新思路．

采用晶格能极小化技术模拟计算了一系列结构的低硅沸石全硅骨架晶格，预测了它们的骨架结构和晶格能．计算结果与二氧化硅致密α一石英相比较，发现这些低硅沸石彼此间的晶格能相差很小（＜２５ｋＪ·ｍｏｌ^－１），与α一石英相差４３～６８ｋＪ·ｍｏｌ^－１这意味着在低硅沸石的合成中，特定结构骨架的形成仅需要较少的能量；可以解释低硅沸石骨架结构的相似性和多样性．同时讨论了计算晶格能和骨架结构间的关系，结果表明随着低硅沸石骨架密度的增大，全硅骨架晶格能呈降低趋势．分析这些低硅沸石的ＸＲＤ数据发现在它们的结构中包含较短的 Ｓｉ－Ｏ键长（０．１５５７ｎｍ），很长的 Ｓｉ－Ｏ键长（０１７６４ｎｍ）， Ｏ－Ｓｉ－Ｏ键角有大的分布范围（９３．３８～１３３．４１°），Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ键角平均在１４４°左右并且具有更大的分布范围（１２７～１８０°）。

根据热等静压的致密化理论，建立热等静压致密化的数学模型，实现了数学模型的计算机模拟，完成了热等静压图计算机计算、绘制与分析．对３Ｙ－ＴＺＰ的热等静压图进行了实验验证，实验结果与理论计算结果十分吻合．利用热等静压图，讨论了热等静任参数优化问题．

研究了纳米γ－Ａｌ_２Ｏ_３粉末对氧化铝纤维烧结行为的影响．在纤维挤压成型过程中，纳米粉体填入到微米颗粒形成的孔隙中，当加入量为 ４０ｗｔ％时，纤维素坯相对密度由 ６５％提高到８０％。由于成型密度高、气孔分布窄、孔径小而有利于烧结，在较低的烧结温度下可以达到理论密度．全部采用纳米γ－Ａｌ_２Ｏ_３粉挤压的纤维烧结后具有较大的径向收缩率，在１２００℃烧结即可达到完全致密．

研究了原位生成ＴｉＣ／Ｔｉ_５Ｓｉ_３纳米复合材料的显微结构．实验结果表明，以ＳｉＣ和Ｔｉ 为原料，通过反应热压工艺可以原位合成ＴｉＣ／Ｔｉ_５Ｓｉ_３复合材料，其中的大部分ＴｉＣ粒子为纳 米粒子．ＴｉＣ晶粒与Ｔｉ_５Ｓｉ_３晶粒的晶界上存在原子台阶．复合材料还含有少量Ｔｉ_３ＳｉＣ_２相．这 些Ｔｉ_３ＳｉＣ_２相主要呈棒状分布在Ｔｉ_５Ｓｉ_３基体中，另有少量Ｔｉ_３ＳｉＣ_２相位于大的ＴｉＣ晶粒内．

采用等离子喷涂技术，在Ｔｉ－６Ａｌ－４Ｖ基体上成功地制备了羟基磷灰石／氧化锆（ＨＡ／ＺｒＯ_２）复合涂层，对涂层的微观结构、相组成和结合强度进行了研究，并以模拟体液试验评估涂层的生物活性．结果表明，复合涂层具有较为均匀的微观结构．ＨＡ／ＺｒＯ_２复合涂层的结合强度明显高于 ＨＡ涂层， ＨＡ／６０ ｗｔ％ ＺｒＯ_２涂层的结合强度高达 ２８．５ＭＰａ，为 ＨＡ涂层的 ２．２倍．复合涂层在模拟体液中浸泡一段时间后，表面覆盖一层碳酸磷灰石（ｃａｒｂｏｎａｔｅ－ａｐａｔｉｔｅ），表明涂层具有良好的生物活性．

锐钛矿型多孔ＴｉＯ_２纳米薄膜可以从含聚乙二醇（ＰＥＧ）的钛酸盐溶胶前驱体中通过溶胶-凝胶法制备．涂层的形貌，如孔的大小和孔的分布可以通过聚乙二醇的加入量和分子量来控制．当聚乙二醇的加入量和分子量越大，聚乙二醇热分解后在薄膜中产生的气孔就越多和孔径越大．随着ＴｉＯ_２薄膜中气孔孔径和数量的增加，光的散射增强，薄膜的透光率减小．通过扫描电镜（ＳＥＭ）和重量法测定了薄膜的厚度，每镀一次薄膜的厚度增加约为０．０８μｍ．通过Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）和红外光谱（ＩＲ）确定了多孔ＴｉＯ_２纳米薄膜中元素的化学组成和表面羟基含量．实验结果表明：薄膜中除含有Ｔｉ、Ｏ元素外，还有一定量来自有机前驱物中未完全燃烧的碳和少量从玻璃表面扩散到薄膜中的Ｎａ和Ｃａ元素；同时发现薄膜表面的羟基含量随聚乙二醇的加入量的增加而增加

用高分子网络凝胶法制备Ａｌ_２Ｏ_３粉体，通过网络的阻碍作用，阻止Ａｌ_２Ｏ_３的团聚，获得颗粒大小在 １０ｎｍ左右的α－Ａｌ_２Ｏ_３粉体，其煅烧温度比通常低 １００℃．

利用示踪粒子获得直径为２ｍｍ的环状铂金坩埚内Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７＋ＫＮｂＯ_３熔体近坩埚区域的表面张力对流速度场；并从理论上推导出表面张力对流速度场解析表达式，推导结果与实测结果一致．

不同的晶化温度和保温时间对低熔点可切削微晶玻璃的微观组织形貌、切削性能和力学性能有明显影响．试验表明，６００℃保温６～８ｈ与６５０℃保温１～２ｈ的晶化效果等同，具有最佳的切削性能和较高的抗弯强度．更高温度晶化可使强度进一步提高，但切削性能急剧下降．

热镜膜具有广泛的应用背景；特别是将其沉积在柔性的黑色底衬上，就能获得不同于通常的、必须用发射率很低的金属做衬底的太阳能选择性吸收表面．采用衬底不加温的普通ＲＦ溅射技术制备单层ＩＴＯ热镜膜，并对它们的热辐射性质与等离子波长之间的关系进行了实验研究．研究表明，对于单层ＩＴＯ热镜膜，同时具有最小的发射率和最小的对太阳辐射的反射率是困难的．但是，等离子波长可以作为预测太阳能热利用领域使用的单层ＩＴＯ热镜膜热辐射性质的一个判据．

采用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）工艺制备ＺｎＯ电压敏陶瓷粉体．探讨其制备的最佳工艺条件：以 Ｚｎ（ＮＯ_３）_２与 ＮａＯＨ为反应前驱物制取胶体， Ｚｎ^２＋浓度控制在 ０．５ｍｏｌ·Ｌ^－１以上， ｐＨ值７．５左右，预烧温度３００℃，陶瓷烧结温度１２００℃；制得的压敏电阻的非线性系数α＝２８；研究了稀土Ｌａ_２Ｏ_３掺杂对该陶瓷电性的影响：低浓度掺杂时，可提高压敏电压，高浓度掺杂时；不呈现压敏特性；对粉体进行了Ｘ射线衍射和透射电镜分析，预烧后得到五元掺杂的ＺｎＯ粉体粒形呈球状，属六方晶系，粒径分布窄，约为４０～８０ｎｍ．

以多聚硅为硅源，通过溶胶-凝胶、表面修饰及超临界干燥过程制备出了疏水型ＳｉＯ_２气凝胶．表面修饰后ＳｉＯ_２气凝胶孔洞由修饰前的２３．１ｎｍ减小到１８．２ｎｍ；比表面积由修饰前的 ４７７ｍ２ｇ^－１增加到 ５６３ｍ２ｇ^－１，骨架颗粒比修饰前略大，饱和水蒸汽吸附量由吸附前的０．０４（重量比）降低到０．００１２，且与水不浸润．