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冷烧结技术的研究现状及发展趋势
冯静静, 章游然, 马名生, 陆毅青, 刘志甫
无机材料学报    2023, 38 (2): 125-136.   DOI:10.15541/jim20220338
摘要   (1707 HTML93 PDF(pc) (5021KB)(1330)  

采用常规热烧结实现陶瓷粉体的致密化, 烧结温度通常超过1000 ℃, 这不仅需要消耗大量能源, 还会使一些陶瓷材料在物相稳定性、晶界控制以及与金属电极共烧等方面面临挑战。近年来提出的冷烧结技术(Cold Sintering Process, CSP)可将烧结温度降低至400 ℃以下, 利用液相形式的瞬态溶剂和单轴压力, 通过陶瓷颗粒的溶解-沉淀过程实现陶瓷材料的快速致密化。冷烧结技术具有烧结温度低和时间短等特点, 自开发以来受到广泛关注, 目前已应用于近百种陶瓷及陶瓷基复合材料, 涉及电介质材料、半导体材料、压敏材料和固态电解质材料等。本文介绍了冷烧结技术的发展历程、工艺技术及其致密化机理, 对其在陶瓷材料及陶瓷-聚合物复合材料领域的研究现状进行了综述, 其中根据溶解性的差异主要介绍了Li2MoO4陶瓷、ZnO陶瓷和BaTiO3陶瓷的冷烧结现状。针对冷烧结技术工艺压力高的问题及可能的解决途径进行了探讨, 并对冷烧结技术未来的发展趋势进行了展望。



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图7 陶瓷-聚合物复合材料示意图[34]
正文中引用本图/表的段落
许多无机材料常规热烧结的烧结温度超过1000 ℃, 而高分子材料在此高温下易分解, 导致陶瓷和聚合物材料的共烧之间存在天然的鸿沟, 如图7(a)所示。冷烧结技术的烧结温度低, 使加工温度窗口大相径庭的陶瓷和聚合物材料共同烧结成为可能。目前已通过冷烧结技术成功制备了近20种陶瓷-聚合物复合材料(如表3所示), 可应用于电介质、半导体、压敏电阻和固态电解质等众多领域[38]。聚合物填料以热塑性聚合物最为常见, 体积含量约2%~30%最为适宜, 一般均匀分散在陶瓷晶界位置或层压在陶瓷层片之间(如图7(b)所示), 在不阻碍陶瓷致密化的同时起到改善材料性能的作用。
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