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冷烧结技术的研究现状及发展趋势
冯静静, 章游然, 马名生, 陆毅青, 刘志甫
无机材料学报    2023, 38 (2): 125-136.   DOI:10.15541/jim20220338
摘要   (1707 HTML93 PDF(pc) (5021KB)(1330)  

采用常规热烧结实现陶瓷粉体的致密化, 烧结温度通常超过1000 ℃, 这不仅需要消耗大量能源, 还会使一些陶瓷材料在物相稳定性、晶界控制以及与金属电极共烧等方面面临挑战。近年来提出的冷烧结技术(Cold Sintering Process, CSP)可将烧结温度降低至400 ℃以下, 利用液相形式的瞬态溶剂和单轴压力, 通过陶瓷颗粒的溶解-沉淀过程实现陶瓷材料的快速致密化。冷烧结技术具有烧结温度低和时间短等特点, 自开发以来受到广泛关注, 目前已应用于近百种陶瓷及陶瓷基复合材料, 涉及电介质材料、半导体材料、压敏材料和固态电解质材料等。本文介绍了冷烧结技术的发展历程、工艺技术及其致密化机理, 对其在陶瓷材料及陶瓷-聚合物复合材料领域的研究现状进行了综述, 其中根据溶解性的差异主要介绍了Li2MoO4陶瓷、ZnO陶瓷和BaTiO3陶瓷的冷烧结现状。针对冷烧结技术工艺压力高的问题及可能的解决途径进行了探讨, 并对冷烧结技术未来的发展趋势进行了展望。


Binary
compound
Ternary
compound
Quaternary
compound
Quinary
compound
MoO3 Li2CO3 LiFePO4 LiAl0.5Ge1.5(PO4)3
WO3 CsSO4 LiCoPO4 Li0.5xBi1-0.5xMoxV1-xO4
V2O3 Li2MoO4 KH2PO4 (Bi0.95Li0.05)(V0.9Mo0.1)O4
V2O5 Na2Mo2O7 Ca5(PO4)3(OH) Li1.5Al0.5Ge1.5(PO4)3
ZnO K2Mo2O7 (LiBi)0.5MoO4 -
Bi2O3 ZnMoO4 CsH2PO4 -
Fe2O3 K2MoO4 InGaZnO4 -
SiO2 Bi2Mo2O9 K0.5Na0.5NbO3 -
CsBr Gd2(MoO4)3 LiFePO4 -
MgO Li2WO4 Li2Mg3TiO6 -
PbTe Na2WO4 Na0.5Bi0.5MoO4 -
Bi2Te3 LiVO3 Na0.5Bi0.5TiO3 -
NaCl BiVO4 YBa2Cu3O7-x -
ZnTe AgVO3 - -
AgI Na2ZrO3 - -
CuCl BaTiO3 - -
ZrF4 NaNO2 - -
ZrO2 Mg2P2O7 - -
Al2O3 BaMoO4 - -
CeO2 Cs2WO4 - -
MnO NaxCO2O4 - -
SnO Ca3Co4O9 - -
TiO2 KPO3 - -
MoS2 Al2SiO5 - -
- Ca3Co4O9 - -
- CaCO3 - -
- BaFe12O19 - -
- ZrW2O8 - -
- NaNbO3 - -
- SrTiO3 - -
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表2 通过冷烧结技术制备的陶瓷材料[29,38,50]
正文中引用本图/表的段落
冷烧结技术已被广泛应用于氯化物、氧化物、磷酸盐等70余种陶瓷材料(表2)的烧结, 涉及微波电介质[31?-33,45-46]、固态电解质[47]和半导体材料[48-49]等。采用冷烧结技术制备的大部分陶瓷材料具有较高的致密度, 并且可以达到与传统高温烧结技术相媲美的性能。CSP极低的烧结温度还为探索高温易分解的亚稳态陶瓷材料提供了新思路。本文以目前研究最为广泛的Li2MoO4、ZnO和BaTiO3三种陶瓷材料体系为例,介绍冷烧结在陶瓷材料制备领域的研究现状。
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