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冷烧结技术的研究现状及发展趋势
冯静静, 章游然, 马名生, 陆毅青, 刘志甫
无机材料学报    2023, 38 (2): 125-136.   DOI:10.15541/jim20220338
摘要   (1707 HTML93 PDF(pc) (5021KB)(1330)  

采用常规热烧结实现陶瓷粉体的致密化, 烧结温度通常超过1000 ℃, 这不仅需要消耗大量能源, 还会使一些陶瓷材料在物相稳定性、晶界控制以及与金属电极共烧等方面面临挑战。近年来提出的冷烧结技术(Cold Sintering Process, CSP)可将烧结温度降低至400 ℃以下, 利用液相形式的瞬态溶剂和单轴压力, 通过陶瓷颗粒的溶解-沉淀过程实现陶瓷材料的快速致密化。冷烧结技术具有烧结温度低和时间短等特点, 自开发以来受到广泛关注, 目前已应用于近百种陶瓷及陶瓷基复合材料, 涉及电介质材料、半导体材料、压敏材料和固态电解质材料等。本文介绍了冷烧结技术的发展历程、工艺技术及其致密化机理, 对其在陶瓷材料及陶瓷-聚合物复合材料领域的研究现状进行了综述, 其中根据溶解性的差异主要介绍了Li2MoO4陶瓷、ZnO陶瓷和BaTiO3陶瓷的冷烧结现状。针对冷烧结技术工艺压力高的问题及可能的解决途径进行了探讨, 并对冷烧结技术未来的发展趋势进行了展望。



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图1 烧结技术四元图[13]
正文中引用本图/表的段落
自20世纪以来, 开发低温烧结技术一直备受全球学者关注[9-10]。与常规烧结将温度作为唯一的传质驱动力不同, 低温烧结技术引入电场、溶剂、压力等外场来改变烧结热力学和动力学条件。其中, 电场主要通过增强加热效应、增大原子迁移率影响烧结动力学因素[11-12]; 溶剂主要通过液相扩散和塑性变形影响烧结动力学; 外施的压力则为烧结过程提供了额外的驱动力, 影响烧结热力学因素。根据所施加外界作用(温度、电场、溶剂、压力)的不同, 可将目前的烧结技术归纳为图1, 其中不同烧结技术的缩写及定义列于表1[13-14]。
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