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稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷的研究进展
李江, 丁继扬, 黄新友
无机材料学报    2021, 36 (8): 789-806.   DOI:10.15541/jim20200544
摘要   (1248 HTML47 PDF(pc) (6782KB)(6739)  

稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷是20世纪80年代以后发展的硫氧化物闪烁体。高密度和高热中子吸收截面的Gd2O2S基质具有高的X射线和热中子阻止能力, 稀土离子(Pr3+、Tb3+等)的掺杂使其表现出快衰减或高光产额等特性, 在闪烁领域的应用中占据着重要地位。硫氧化合物的组分控制一直是其合成过程中需要解决的关键问题, Gd2O2S材料的高熔点和S元素挥发严重的问题, 限制了高光学质量和优良闪烁性能单晶的制备, 因此陶瓷是Gd2O2S闪烁体的主要应用形式。颗粒小、粒径分布窄且低团聚的纯相Gd2O2S粉体是高质量闪烁陶瓷烧结的关键, 单纯提高烧结温度制备的Gd2O2S闪烁陶瓷会产生大量的硫空位和氧空位, 降低材料的闪烁性能。制备Gd2O2S闪烁陶瓷通常需要压力辅助烧结, 这种苛刻的制备条件提高了生产成本。本文介绍了闪烁体的闪烁机理及研究概况, 着重综述了Gd2O2S闪烁陶瓷的制备工艺、缺陷的解决方法以及在中子成像和医学X-CT上的研究现状及应用情况, 最后对全文进行总结并对Gd2O2S闪烁陶瓷发展前景进行了展望。



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图13 中子成像原理示意图[95]
正文中引用本图/表的段落
图13是中子成像原理的示意图。入射中子经过样品时, 中子与被测物质的原子核发生作用, 样品内部组成元素的差异性, 导致对中子的吸收强弱不同, 中子在穿透样品后, 会发生不同程度的衰减, 出射中子再与闪烁屏作用将中子信号转变为可见光, 最后经探测器接收成像。同X射线成像类似, 中子成像同样需要闪烁体将中子信号转换为可以被检测到的光信号。
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