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稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷的研究进展
李江, 丁继扬, 黄新友
无机材料学报    2021, 36 (8): 789-806.   DOI:10.15541/jim20200544
摘要   (1248 HTML47 PDF(pc) (6782KB)(6739)  

稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷是20世纪80年代以后发展的硫氧化物闪烁体。高密度和高热中子吸收截面的Gd2O2S基质具有高的X射线和热中子阻止能力, 稀土离子(Pr3+、Tb3+等)的掺杂使其表现出快衰减或高光产额等特性, 在闪烁领域的应用中占据着重要地位。硫氧化合物的组分控制一直是其合成过程中需要解决的关键问题, Gd2O2S材料的高熔点和S元素挥发严重的问题, 限制了高光学质量和优良闪烁性能单晶的制备, 因此陶瓷是Gd2O2S闪烁体的主要应用形式。颗粒小、粒径分布窄且低团聚的纯相Gd2O2S粉体是高质量闪烁陶瓷烧结的关键, 单纯提高烧结温度制备的Gd2O2S闪烁陶瓷会产生大量的硫空位和氧空位, 降低材料的闪烁性能。制备Gd2O2S闪烁陶瓷通常需要压力辅助烧结, 这种苛刻的制备条件提高了生产成本。本文介绍了闪烁体的闪烁机理及研究概况, 着重综述了Gd2O2S闪烁陶瓷的制备工艺、缺陷的解决方法以及在中子成像和医学X-CT上的研究现状及应用情况, 最后对全文进行总结并对Gd2O2S闪烁陶瓷发展前景进行了展望。



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图12 退火温度对GOS:Pr陶瓷余辉性能的影响[75]
正文中引用本图/表的段落
日本日立公司[75]报道了在氧分压为3 Pa时, 退火温度对GOS:Pr陶瓷余辉性能的影响, 如图12所示。研究结果表明: 随着退火温度的升高, 30 ms后GOS:Pr陶瓷的余辉强度不断减弱, 而当退火温度达到1200 ℃时, 余辉略有上升的趋势。考虑到硫化物的不稳定性, GOS闪烁陶瓷在空气气氛中的退火温度也不能太高。图中白色圆圈表示陶瓷在3000 Pa的H2气氛中退火后的余晖, 其与空气中退火后的GOS陶瓷具有相同的余辉性能, 可以认为余辉可能与氧空位无关。
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