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稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷的研究进展
李江, 丁继扬, 黄新友
无机材料学报    2021, 36 (8): 789-806.   DOI:10.15541/jim20200544
摘要   (1248 HTML47 PDF(pc) (6782KB)(6739)  

稀土离子掺杂Gd2O2S闪烁陶瓷是20世纪80年代以后发展的硫氧化物闪烁体。高密度和高热中子吸收截面的Gd2O2S基质具有高的X射线和热中子阻止能力, 稀土离子(Pr3+、Tb3+等)的掺杂使其表现出快衰减或高光产额等特性, 在闪烁领域的应用中占据着重要地位。硫氧化合物的组分控制一直是其合成过程中需要解决的关键问题, Gd2O2S材料的高熔点和S元素挥发严重的问题, 限制了高光学质量和优良闪烁性能单晶的制备, 因此陶瓷是Gd2O2S闪烁体的主要应用形式。颗粒小、粒径分布窄且低团聚的纯相Gd2O2S粉体是高质量闪烁陶瓷烧结的关键, 单纯提高烧结温度制备的Gd2O2S闪烁陶瓷会产生大量的硫空位和氧空位, 降低材料的闪烁性能。制备Gd2O2S闪烁陶瓷通常需要压力辅助烧结, 这种苛刻的制备条件提高了生产成本。本文介绍了闪烁体的闪烁机理及研究概况, 着重综述了Gd2O2S闪烁陶瓷的制备工艺、缺陷的解决方法以及在中子成像和医学X-CT上的研究现状及应用情况, 最后对全文进行总结并对Gd2O2S闪烁陶瓷发展前景进行了展望。



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图8 热压烧结制备的Gd2O2S陶瓷(厚度1.6 mm)的总透过率曲线[72]
正文中引用本图/表的段落
通常热压烧结制备Gd2O2S陶瓷所采用粉体的粒径较大, 烧结活性较低, 需要添加烧结助剂(LiF或Li2GeF6等)来降低烧结压力, 促进晶粒长大, 增加陶瓷的致密度。俄罗斯国家光学研究所Gorokhova等[72]研究发现未掺杂氟离子的GOS粉体烧结后是不透明的, 而引入烧结助剂能够使得陶瓷的相对密度达到99.9%, 在相对宽的光谱范围内陶瓷的透明率较高, Tb3+和Ce3+共掺杂的Gd2O2S陶瓷(厚度1.6 mm)在545 nm处的总透过率达到了53% (图8)。随后, 他们以粒径3~7 μm的商业粉体为原料, 添加质量分数为0.01%~0.06%的Li 2GeF6, 采用热压烧结制备了Eu3+掺杂的GOS陶瓷, 其相对密度大于99%, 且厚度为1.65 mm的GOS:Eu陶瓷的总透过率达到了43%[73]。在X射线激发下, 退火处理后的GOS:Eu陶瓷的发光强度达到了CsI:Tl单晶的1.5倍, 且Eu3+离子在5D0能级的荧光寿命不超过450 μs。
1-GOS:F ceramics; 2-GOS:Pr,Ce ceramics ...
Luminescence and scintillation properties of Gd2O2S:Eu optical ceramic
2
2010
... 通常热压烧结制备Gd2O2S陶瓷所采用粉体的粒径较大, 烧结活性较低, 需要添加烧结助剂(LiF或Li2GeF6等)来降低烧结压力, 促进晶粒长大, 增加陶瓷的致密度.俄罗斯国家光学研究所Gorokhova等[72]研究发现未掺杂氟离子的GOS粉体烧结后是不透明的, 而引入烧结助剂能够使得陶瓷的相对密度达到99.9%, 在相对宽的光谱范围内陶瓷的透明率较高, Tb3+和Ce3+共掺杂的Gd2O2S陶瓷(厚度1.6 mm)在545 nm处的总透过率达到了53% (图8).随后, 他们以粒径3~7 μm的商业粉体为原料, 添加质量分数为0.01%~0.06%的Li 2GeF6, 采用热压烧结制备了Eu3+掺杂的GOS陶瓷, 其相对密度大于99%, 且厚度为1.65 mm的GOS:Eu陶瓷的总透过率达到了43%[73].在X射线激发下, 退火处理后的GOS:Eu陶瓷的发光强度达到了CsI:Tl单晶的1.5倍, 且Eu3+离子在5D0能级的荧光寿命不超过450 μs....

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