WC-Co硬质合金基体上高附着力金刚石薄膜的制备

无机材料学报

WC-Co硬质合金基体上高附着力金刚石薄膜的制备

杨仕娥, 鲁占灵, 樊志琴, 姚宁, 张兵临

郑州大学材料物理教育部重点实验室, 郑州 450052

收稿日期:2003-12-29 修回日期:2004-04-05 出版日期:2005-01-20 网络出版日期:2005-01-20

Highly Adherent Diamond Film Deposited onto WC-Co Cemented Carbide Substrate

YANG Shi-E, LU Zhan-Ling, FAN Zhi-Qin, YAO Ning, ZHANG Bing-Lin

Ministry of Education Key Laboratory of Material Physics, Zhengzhou University, Zhengzhou 450052, China

Received:2003-12-29 Revised:2004-04-05 Published:2005-01-20 Online:2005-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积(CVD)法在WC-Co硬质合金基体上制备金刚石膜, 研究了TiN_x中间层的引入对金刚石薄膜质量及其附着性能的影响. 结果表明, 在酸浸蚀脱钴处理的基础上, 通过预沉积氮含量呈梯度变化的TiN_x中间过渡层, 可在硬质合金基体上制备出高质量的金刚石薄膜; 压痕法测试其临界载荷达1000N.

关键词: 金刚石薄膜, 中间层, 形核密度, 附着力

Abstract: Diamond films were deposited onto WC-Co cemented carbide substrate by using microwave plasma chemical vapor deposition(CVD). The effects of TiN_x interlayer introduced on
the diamond film quality and its adhesion to the substrate were investigated. The results show that by pre-depositing TiN_x interlayer in which nitrogen
concentration changes gradually, the diamond film on the cemented carbide substrate etched by acid solution has very good quality; and its critical
load measured by indentation test, is as high as 1000N.

Key words: diamond film, interlayer, nucleation density, adhesion

中图分类号:

TB43
TG135

杨仕娥,鲁占灵,樊志琴,姚宁,张兵临. WC-Co硬质合金基体上高附着力金刚石薄膜的制备[J]. 无机材料学报.

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