论述了自蔓延高温合成（ＳＨＳ）化学炉的形成、特点及其在空间实验和材料制备中的应用，着重讨论了该技术的应用现状、存在问题和解决途径．

ＺｎＯ薄膜是一种具有优良的压电、光电、气敏、压敏等性质的材料，在透明导体、发光元件、太阳能电池窗口材料、光波导器、单色场发射显示器材料、高频压电转换器、表面声波元件、微传感器以及低压压敏电阻器等方面具有广泛的用途．ＺｎＯ 薄膜的制备方法多样，各具优缺点；而薄膜性质的差异则取决于不同的掺杂组分，并与制备工艺紧密相关．本文综述了ＺｎＯ薄膜的制备及性质特征，并对其发展趋势及前景进行了探讨．

通过大量的配方实验和ＯＭ、ＴＥＭ观察，系统研究了Ｒ_２Ｏ－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系统分相与组成间的相互关系．研究结果表明，Ｋ２Ｏ比Ｎａ２Ｏ更有利于系统的分相，用Ｎａ_２Ｏ等摩尔取代Ｋ_２Ｏ时，分相区向低铝高硅区收缩．此外，系统分相区大小还明显受到ＺｎＯ、ＣａＯ相对含量的影响，高锌系统具有更为宽广的分相区．Ａｌ_２Ｏ_３对Ｒ_２Ｏ－ＣａＯ－ＺｎＯ－Ａｌ_２Ｏ_３－ＳｉＯ_２系统分相影响呈现出明显的反常现象．在ＺｎＯ含量为０．５５ｍｏｌ的系统中，当Ｒ_２Ｏ由０．１０ｍｏｌＫ_２Ｏ＋０．１０ｍｏｌ Ｎａ２Ｏ共同引入时，分相区大小和分相结构尺度都呈现出明显的铝反常现象，而Ｒ_２Ｏ仅由 ０．２０ｍｏｌＫ_２Ｏ引入时；仅分相结构尺度呈现出明显的铝反常现象，反常点的 Ａｌ_２Ｏ_３含量约为 ６．２０ｍｏｌ％．在一定的热处理条件下，适当增加 ＳｉＯ_２的含量有利于系统分相，但当 ＳｉＯ_２的含量过高时，分相将由连通结构逐渐转变为孤立相分布于连续基质相中的液滴状结构，甚至消失．

研究了铅硅玻璃在堇青石基微晶玻璃烧结中的作用及其添加量对微晶玻璃性能的影响．结果表明：铅硅玻璃的加入可以促进微晶玻璃的烧结致密化；随着铅硅玻璃加入量的增加，烧结样品的介电常数亦增加，且与密度变化曲线相似；微晶玻璃烧结样品的热膨胀系数符合加和性规律．

通过ＴＧ－ＤＴＡ、ＢＥＴ－Ｎ_２吸附和Ｘ衍射分析，详细研究了ＳｎＯ_２凝胶在２０～７００℃区间干燥固化过程中的收缩、失重机理、凝胶骨架纳米结构的变化规律，研究了掺杂元素Ｓｂ、溶胶阶段加入的催化剂和溶剂种类对干燥过程和固化过程中结构演变的影响．研究发现：ＳｎＯ_２凝胶为１～１０ｎｍ尺寸的纳米多孔结构，符合圆柱通孔模型．在干燥固化过程分别为２０～２００℃、２００～５５０℃和＞５５０℃三个不同阶段，分别发生骨架吸附溶剂解附、－ａｃａｃ 螯环分解氧化、网链结构驰豫和无定型→晶态转变等四个过程，它们是支配凝胶失重、收缩、固化的主要机理．随团化温度增加；纳米骨架粗化长大但其径长比保持不变，同时Ｓｂ加入有细化骨架作用，而催化剂对凝胶结构无明显影响．

讨论了一种表面张力测量方法一轮廓曲线吻合法．它是一种应用计算机技术，用数 字图像信息处理液滴轮廓的方法．应用数字图像测量和信息处理技术，将置于氮化硼水平平板 上的Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７＋ＫＮｂＯ_３液滴的轮廓图像记录在录像带上，然后转换成数字图像数据，并与理论 方程的数值解吻合，求得表面张力系数．用这种方法侧得的Ｌｉ_２Ｂ_４Ｏ_７＋ＫＮｂＯ_３溶液的表面张力 温度系数和表面张力溶质系数分别为 γ_Τ（ｍＮ／ｍ）＝２１０＋０．１５（Ｔ－９００℃）， ９００℃≤ Ｔ≤１０００℃； γ_ｃ（ｍＮ／ｍ）＝２２９-０．４５（Ｃ_ＫＮ－１０ｗｔ％）， １０ｗｔ％≤ Ｃ_ＫＮ ≤３０ｗｔ％

利用熔体提拉法生长了大尺寸，高质量的新型激光自信频晶体Ｎｄ：Ｇｄ_^ｘＹ
_－ｘＣａ_４Ｏ（ＢＯ_３）_３简称Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ）．对Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的ＸＲＤ衍射图进行指标化，得到它的晶胞参数为α＝８．０８０Ａ； ｂ＝１６．０１６Ａ； ｃ＝３．５３８Ａ； β＝１０１．１８°；μ＝４９１．１Ａ^３．对取自不同部位的晶体粉末进行ＩＣＰ原子发射光谱分析表明晶体整体组份均匀一致，根据熔体和晶体粉末的ＩＣＰ数据计算，Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体中Ｎｄ^３＋的分凝系数为０．６３．首次报道了 Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体２００～３０００ｎｍ室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命．室温透过光谱表明Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的紫外吸收边在～２２０ｎｍ，具有很宽的透光波段（～２２０～２７００ｎｍ）； Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体在８００ｎｍ附近存在很强的吸收，适合于ＬＤ泵浦．荧光光谱表明Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体是一种很有潜力的ＲＧＢ（ｒｅｄ；ｇｒｅｅｎ， ｂｌｕｅ）激光自信频晶体．掺杂 ４％、 ５％ Ｎｄ：ＧｄＹＣＯＢ晶体的荧光寿命分别为 １０５μｓ和１００μｓ．

发现静电稳定的碳化硅浆料在碳化硅粉体表面的无定形氧化硅层的影响下，可以象氧化硅溶胶一样发生溶胶－凝胶转变，并将这一发现用于碳化硅陶瓷的成型．通过预先加入的酯或内酯的水解反应，把浆料的ｐＨ值从碱性区降至有利于凝胶的中性区，体系发生固化． 利用小幅震荡剪切技术对影响固化过程的各种因素进行研究表明，固化速度及固化强度不仅依赖于体系最终的ｐＨ值，还取决于体系最初的ｐＨ值以及ｐＨ值变化的速度．这些影响因素说明，体系的固化不是一个简单的凝聚的过程，而是一个凝胶的过程，浆料的固化是碳化硅颗粒间形成Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ键的结果．

讨论了Ｌａ_２ＮｉＯ_４＋δ透氧膜材料的结构特点及氧渗透性能．对Ｌａ_２ＮｉＯ_４＋δ试样电子衍射谱的分析表明，其结构中由于填隙氧离子的存在及其有序化，出现了超结构现象，并根据此结构对衍射谱进行了指标化，同时探讨了结构特点与透氧机制之间的关系．

首次采用微波合成技术和传统固相合成法分别得到具有层状结构的新化合物磷锑酸钠．在不同反应条件下，两类不同反应物均可得到层状磷锑酸钠，反应物的不同对传统固相合成影响较大，而对微波合成影响甚小．对比研究了微波合成技术的应用机理．利用粉末Ｘ射线衍射、扫描电镜、成分分析、晶体形貌分析等方法对产物进行了表征，微波合成产物粒度小且分布均匀，呈长方条形．利用指标化程序将产物Ｘ射线衍射峰指标化，结果表明该化合物为四方晶系，层间距为５．９５Ａ，用最小二乘法修正晶胞参数得α＝３６４２４（５）Ａ，ｃ＝５．９４８８Ａ．

Ｃａ_１－ｘＢａ_ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６（０≤ｘ ≤１，简称ＣＢＺＰ）是由具有相反热膨胀异向性的 ＣａＺｒ_４（ＰＯ_４）_６和ＢａＺｒ_４（ＰＯ_４）_６互溶形成的二元固溶体型ＮＺＰ族陶瓷，其热膨胀系数具有可裁剪性．本研究的主要目的是通过调整组成，制备具有较好耐热冲击性的零膨胀材料．为此，首次用共沉淀法合成了单相的 ＣＢＺＰ系列粉体。分别添加 ３％ＺｎＯ和 ４％ＭｇＯ为烧结助剂，制成Ｔ ＣＢＺＰ系列陶瓷材料，用热机械分析（ＴＭＡ）压缩法测定了试样在２０～１０００℃的平均线膨胀系数ａ２０／１０００，以及加热（２０～１０００℃）和冷却（１０００～４００℃）过程的热膨胀曲线．实验结果表明，添加 ＺｎＯ和 ＭｇＯ时的近零膨胀材料分别为Ｃａ_０．８５Ｂａ_０．１５Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．１５）和ＣａＺｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０），α_２０／１０００依次为 ０．６×１０^－６／°Ｃ和一０．８×１０^－６／°Ｃ，但热膨胀曲线上却由于微裂纹的产生而呈现出较大的滞后环，耐热冲击性不理想．可见，对ＣＢＺＰ系列而言，调整组成虽然能实现零膨胀，但很难消除热膨胀异向性，提高其耐热冲击性的有效途径可能是适当抑制晶粒生长以避免产生过多的微裂纹．

分别以γ－氨丙基和甲基丙烯酸丙酯基修饰介孔分子筛ＭＣＭ－４１内孔壁，将引入的有机官能团与金属配位离子［Ｍｎ（ｐｈｅｎ）_２Ｃｌ］^＋通过配位健成键首次合成了锰（Ⅱ）配位化合物修饰的ＭＣＭ－４１（ＭＣＭ－ａｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）_２，ＭＣＭ－ｍｐ－Ｍｎ（Ｐｈｅｎ）_２）．通过ＸＲＤ、ＦＴＩＲ、７７Ｋ氮气吸附－脱附、ＵＶ－ＶＩＳ漫反射光谱和Ｍｎ^２＋电子顺磁共振谱（ＥＳＲ）表征了复合物ＭＣＭ－ａｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）_２和ＭＣＭ－ｍｐ－Ｍｎ（ｐｈｅｎ）_２由于有机基团对ＭＣＭ－４１孔壁的修饰，使复合物的结晶度降低，增加的有机基因和配合物使红外光谱有所改变；ＢＥＴ比表面积，孔容和最可几孔径均下降；γ－氨丙基或甲基丙烯酸丙酯基与Ｍｎ^２＋的配位而使其ＵＶ－ＶＩＳ漫反射吸收光谱在短波长的吸收加强；室温下 Ｍｎ^２＋电子顺磁共振表明 Ｍｎ（Ⅱ）配位环境几乎没有变化．

利用表面活性剂辅助途径，水热条件下合成了含钛的有序多孔氧化锆．通过ＸＲＤ、Ｎ_２吸附、ＨＲＴＥＭ、ＵＶ－ＶＩＳ吸收光谱、Ｒａｍａｎ光谱等手段对不同按量的钛掺杂多孔氧化锆进行研究．结果表明，＜１５ｍｏｌ％的钛掺杂有利于提高材料的比表面积；钛掺量＜３０ｍｏｌ％时，钛能很好进入氧化锆骨架中，但随着掺量增加，孔道有序性降低．掺量＞３０ｍｏｌ％，多余的钛将以纳米晶ＴｉＯ_２形式析出．

用溶胶－凝胶法制备了ＰＤＰ用荧光粉ＬＴ－ＧｄＢＯ_３：Ｅｕ，并用常规的手段，包括ＸＲＤ、拉曼散射谱、发光光谱等研究了它的晶体结构和光谱性质．利用染料激光系统，选择激发荧光粉中不同格位上 Ｅｕ^３＋的^５Ｄ_０能级，得到了对应于不同格位的两套发射谱，并根据发射谱分析了Ｅｕ^３＋的格位对称性，以及对这两种格位之间的能量传递过程产生影响的一些因素．在１０００～１１００℃之间，发生了ＬＴ－ＧｄＢＯ_３向另一种Ｖａｔｅｒｉｔｅ结构的ＧｄＢＯ_３的相转变．相变的过程伴随着因ＧｄＢＯ３晶体结构发生重排而引起的热吸收．荧光粉ＬＴ－ＧｄＢＯ_３：Ｅu有很高的亮度，同时其猝灭浓度高达 ２０ｍｏｌ％．

针对晶体生长的具体应用，分别以硫酸氧钛铵（ＡＴＳ）和改良硫酸氧钛铵（Ｍ－ＡＴＳ）为原料，采用高温焙烧法制备了ＴｉＯ_２纳米晶，用ＸＲＤ分析了原料和纳米晶的物相，用ＳＥＭ分析了纳米晶的形貌．结果表明虽然两种原料具有相似的物相结构，但所得纳米晶的性状不同，Ｍ－ＡＴＳ焙烧所得纳米晶分散性更高，均匀性更好．此外，研究了焙烧温度、保温时间、急烧、缓烧等工艺条件对纳米晶形貌、物相的影响，并给出了批量制备ＴｉＯ_２纳米晶粉体的最佳工艺条件．

应用Ｗ／Ｏ型微乳液法制备了纳米量级超细铁－镍复合物微粒．Ｘ射线和透射、扫描电镜测试表明：它属于表面活性剂包裹型超细微粒．粒径＜３０ｎｍ，密度２．８９ｇ／ｃｍ^３的Ｎｉ－Ｆｅ微粒，比饱和磁化强度σ_ｓ＝１３～１６Ａｍ２／ｋｇ，娇顽力 Ｈ_ｃ＝８７～１２３ Ｏｅ，剩磁 Ｂ_ｒ＝２．２５～３．００Ａｍ２／ｋｇ，矫顽力较大，剩磁也较大，说明该超细复合微粒具有硬磁体的性质．Ｘ射线能谱分析表明，有部分Ｎｉ－Ｆｅ合金相形成．

采用球磨湿混和旋转合成相结合的新工艺来制备锂离子电池正极材料ＬｉＭｎ_２Ｏ_４，并对制备的材料进行了粒度、化学成分以及电化学性能测试．制备的ＬｉＭｎ_２Ｏ_４为正尖晶石结构，而且物质纯净．同一批次制备的材料化学成分均匀，粉末粒度分布范围窄，中粒径为１０．６７μｍ，首次充电容量为１２４ｍＡｈ／ｇ，放电容量为１１５ｍＡｈ／ｇ．循环次数达３０次时，放电容量还大于１００ｍＡｈ／ｇ，循环稳定性良好．球磨湿混工艺能将原料混合均匀，并能有效地使原料粒度细化而且粒度均匀．旋转合成工艺能使反应物和反应产物的温度均匀、粒度均匀、晶型结构与成分均匀．球磨湿混和旋转合成相结合的固相合成新工艺能制备出电化学性能性能良好的ＬｉＭｎ_２Ｏ_４.

1. 通过控制制备工艺条件和充电参数，利用相应条件下样品的等温表面电位衰减，开路热刺激放电电流谱等，考察了利用溶胶－凝胶（ｓｏｌ－ｇｅｌ）方法制备的Ｓｉ基多孔ＳｉＯ_２薄膜的驻极体性能，分析了各种工艺参数与薄膜驻极体性质之间的联系，同时利用Ｇａｕｓｓ拟合及初始上升法对薄膜驻极体的电有陷阱深度进行了估算．实验结果表明，反应物中水的含量对薄膜驻极体的陷阱分布具有调节作用；估算出负电晕充电ＳｉＯ２薄膜驻极体电荷的活化能为０．３ｅＶ和１．０ｅＶ；环境湿度对电荷储存稳定性有一定的影响，降低栅压可以提高ＳｉＯ_２薄膜驻极体的电荷储存稳定性．

用Ｃｒ_２Ｏ_３涂复ａ－Ａｌ_２Ｏ_３绝缘瓷表面，并经热退火处理．观测了它们的二次电子发射系数、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＥＥＬＳ．发现样品在退火后，涂层元素扩散进了Ａｌ_２Ｏ_３陶瓷基底，生成了新相；根据ＸＰＳ和ＥＥＬＳ的分析结果，表面层能隙减小，能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加，提供了更多可能的复合中心和陷阱中心，有利于非平衡载流子的散射跃迁，从而大大耗散能量，减少二次电子发射．

聚乙烯醇（ＰＶＡ）能够避免溶胶－凝胶法制备的Ａｌ_２Ｏ_３膜在干燥阶段产生微裂纹，同时也对Ａｌ_２Ｏ_３膜的微观结构产生影响．利用ＸＲＤ、ＤＴＡ、ＴＧＡ、ＦＴ－ＩＲ及Ｎ_２吸附等手段研究掺杂ＰＶＡ对Ａｌ_２Ｏ_３膜的物相组成、热稳定性以及比表面积、孔径分布、孔表面分形性等微观结构的影响．研究表明，经过４００℃煅烧ＰＶＡ完全排除．与纯Ａｌ_２Ｏ_３膜相比，添加ＰＶＡ的Ａｌ_２Ｏ_３膜吸附量较大，比表面积有所增大，但并不随着ＰＶＡ含量的增多而增加．ＰＶＡ有利于 Ａｌ_２Ｏ_３膜孔径的调整，使孔径分布更狭窄，孔体积也有较大程度的增加．随着 ＰＶＡ的加入，Ａｌ_２Ｏ_３膜的孔表面分形维数降低．

在勃姆石Ａ１ＯＯＨ溶胶中引入一定量的Ｈ_２ＢＯ_３溶液，经不同温度的热处理，制成不同硼掺杂含量的无支撑的γ－Ａｌ_２Ｏ_３催化膜．用ＸＲＤ、ＢＥＴ分别对膜的晶相和膜的微孔结构，包括比表面积、孔径和孔容进行了研究，结果发现：随着硼含量的增加，在低温下，膜的比表面积和孔容都不断增加，而对孔径的影响不大；经１２００℃处理后，未掺杂硼的膜的比表面积，孔径和孔容分别为 ５．４ｍ^２／ｇ， ４９ｎｍ和 ０．０６３ｃｍ^３／ｇ，而经掺杂 １６％摩尔硼的膜的比表面积，孔径和孔容分别为 ３５ｍ^２／ｇ， １３ｎｍ和 ０．２２５ｃｍ^２／ｇ，这说明硼的掺杂对 γ－Ａｌ_２Ｏ_３膜的热稳定性有很好的改善作用．

真空等离子喷涂的钛涂层经 ５．０ｍｏｌ／Ｌ ＮａＯＨ溶液处理后，将其浸泡在含 Ｃａ^２＋、ＨＰＯ_４^２－的模拟生理体液（ＦＣＳ和ＳＢＦ）中，考察涂层诱导羟基磷灰石生长过程，并评价其生物活性．用ＳＥＭ观察碱处理前后和在模拟生理体液中浸泡后钛涂层的形貌，用ＡＥＳ分析了碱处理前后钛涂层的表面成分；用ＸＲＤ、ＦＴ－ＩＲ和ＥＤＳ表征浸泡后涂层表面生长物的结构和成分；并测量了处理后钛涂层在浸泡过程中溶液中离子浓度和ｐＨ值的变化．结果表明，经处理的钛涂层在模拟生理体液中能诱导羟基磷灰石在其表面生长；在ＳＢＦ和ＦＣＳ分别形成碳酸羟基磷灰石层和含氧磷灰石的羟基磷灰石层．钛涂层的活性是由于碱处理后表面形成了网状和纤维状结构的Ｎａ－Ｔｉ－Ｏ化合物．这种化合物在模拟生理溶液中释放Ｎａ^＋，吸收Ｈ^＋；形成水化钛酸盐，诱导羟基磷灰石成核生长．

采用等离子喷涂ＣａＨＰＯ_４和水热处理复合制备羟基磷灰石生物涂层，研究了羟基磷灰石涂层的结合强度和溶解性，用成骨细胞考察了生物相容性．结果表明：喷涂涂层由ＣａＨＰＯ₄、β－Ｃａ_２Ｐ_２Ｏ_７和α－Ｃａ_３（ＰＯ_４）_２组成，其相比例、结晶性和形貌取决于喷涂电流和喷涂距离；喷涂涂层经过水热处理可转化为针状结晶的缺钙羟基磷灰石；这种羟基磷灰石涂层具有高的结合强度和稳定性，与成骨细胞的生物相容性良好．

通过 ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺在普通钠钙玻璃表面制备了均匀透明的 ＴｉＯ_２／ＳｉＯ_２复合薄膜．实验结果表明：在 ＴｉＯ_２薄膜中添加 ＳｉＯ_２，可以抑制薄膜中 ＴｉＯ_２晶粒的长大，同时薄膜表面的羟基含量增加，水在复合薄膜表面的润湿角下降，亲水能力增强．当 ＳｉＯ_２含量为 １０～２０ ｍｏｌ％时获得了润湿角为０°的超亲水性薄膜．

系统地研究了不同温度下的热处理对 ＴｉＣ_p／Ａｌ_２Ｏ_３及 ＳｉＣ_W／Ａｌ_２Ｏ_３两种陶瓷复合材料表面裂纹及强度的影响．结果表明：在热处理温度为１０００～１４００℃时，两种材料表面压痕裂纹出现不同程度自愈合现象，材料的抗奇强度大幅度提高．裂纹愈合机理主要为扩散作用及材料表面的氧化反应．材料表面反应物层的微观形貌及热物理性能决定了材料抗弯强度的提高幅度．热处理引起的应力松弛也有利于材料强度的提高，但氧化过程中产生的表面气孔会引起材料强度的下降．

采用热挤压法成型制备出卤化银多晶光纤．光纤端面扫描电镜形貌分析结果显示，挤压温度１２０～２１０℃，晶粒大小基本不变，晶粒尺寸１～２μｍ．挤压温度＞２１０℃后，随着挤压温度升高挤压压力降低，在２５０℃时晶粒尺寸５～１０μｍ，挤压温度的升高导致卤化银多晶光纤的晶粒长大，引起光纤散射损耗的增高．挤压模具中加入润滑剂可同时降低挤压压力和挤压温度，但引起光纤传输损耗的增加．

以Ｅ－４０（多聚硅氧烷）为硅源、三甲基氯硅烷的异丁醇溶液为干燥介质，用溶胶凝胶法，在亚临界条件下制备出疏水的ＳｉＯ_２气凝胶．通过ＳＥＭ、孔径分布、比表面积、接触角以及红外光谱的测试对其物性进行了研究．结果表明，所制备的ＳｉＯ_２气凝胶具有典型的纳米网络结构、比表面积大且具有疏水性能．亚临界干燥使得制备压力从６．４ＭＰａ降低到２．３ＭＰａ，降低了制备成本和风险，同时疏水性能提高了ＳｉＯ_２气凝胶环境适应性，从而十分有利于气凝胶的商业应用．

采用硬脂酸法制备了不同掺杂量的ＴｉＯ_２纳米晶．通过ＦＴＩＲ、ＸＲＤ和ＴＥＭ等实验手段对所得纳米ＴｉO₂进行分析和表征，并对反应历程进行了初步探讨．实验结果表明，利用硬脂酸法，金红石型ＴｉＯ_２能在５００℃获得，掺杂Ｎａ^＋和Ｋ^＋后则得到锐钛矿型ＴｉＯ_２，且随着掺杂量的增加，ＴｉＯ_２的粒径减小．

通过溶胶－凝胶法制备了高纯超细莫来石先驱体．并运用ＸＲＤ和ＩＲ等手段对其晶化行为进行了研究．发现新制备的莫来石凝胶由拜耳石（Ａｌ（ＯＨ）_３）和无定型氧化硅组成，它经由γ－Ａｌ_２Ｏ_３和铝硅尖晶石，在１２５０℃转化为莫来石．所得到的莫来石粉体晶粒细小，呈薄片状．

通过变换工作温度、施加电压、氢气分压、氢气流速等参数，对致密材料ＳｒＣｅ_０．９５Ｙ_０．０５Ｏ_３－δ的电化学特性做了研究．同时，对该材料在高温下的电导稳定性做了初步探索．发现该种材料在高温氢气氛中有较好的质子传导性，施加电压及氢分压改变对质子传导性影响显著，流速对之影响在低温区不明显，但在高温区影响较大．最佳流速可选为 ３０ｍＬ／ｍｉｎ．

收集并计算了 Ｔｉ－Ｓｉ－Ｃ三元系在 １２００℃温度下各组元化合物的热力学数据，利用Ｔｉ－Ｓｉ－Ｃ三元系在该温度下的平衡相图以及对碳化物未知热力学数据所做的估算，计算该三元系中各组元化学位并作出的相应的化学位稳定性相图．

采用自蔓延高温合成结合准热等静压（ＳＨＳ／ＰＨＩＰ）制备出了具有对称结构的 ＴｉＣ－Ａｌ_２Ｏ_３／Ｆｅ梯度材料，并对其抗热冲击及抗热疲劳行为进行了测试和分析·结果表明， ＳＨＳ／ＰＨＩＰ制备的 ＴｉＣ－Ａｌ_２Ｏ_３／Ｆｅ梯度材料具有预期的梯度式组成，在热冲击和热疲劳实验过程中均无梯度层间横向贯穿裂缝，克服了传统陶瓷／金属直接接合界面的热应力剥落．

采用预热粉体爆炸烧结技术制备单相纳米陶瓷，用４０ｎｍ的α－Ａｌ_２Ｏ_３粉体作原料进行烧结试验，用高倍扫描电镜、Ｘ射线衍射分析等手段对试验结果进行了测试．最近的研究表明：纳米粉体分别经 ６００～８００℃预热后进行爆炸烧结，可以得到密度为 ９６％～１００％理论密度、晶粒大小在１００ｎｍ以下的单相氧化铝纳米陶瓷，随着预热温度的递增，陶瓷晶粒生长有加快趋势．与常温下爆炸烧结相比，本研究的陶瓷晶粒无明显晶格变形．对陶瓷质量的影响因素及其改善途径也进行了分析．