CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究

无机材料学报

CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究

宋睿丰¹; 余怀之¹; 霍承松²

1. 北京有色金属研究总院, 北京 100088; 2. 北京国晶辉红外光学科技有限公司, 北京 100088

收稿日期:2001-06-18 修回日期:2001-07-25 出版日期:2002-07-20 网络出版日期:2002-07-20

Optical Properties and Microscopic Structures of Heat Isostatic Press(HIP)Processed Chemical Vapor Deposition Zinc Sulphide

SONG Rui-Feng¹; YU Huai-Zhi¹; HUO Cheng-Song²

1. General Research Institute of Non-ferrous Metals （GRINM）; Beijing 100088; China; 2. Beijing Guojing Infrared Optical Technology Co.; LTD; Beijing 100088, China

Received:2001-06-18 Revised:2001-07-25 Published:2002-07-20 Online:2002-07-20

摘要/Abstract

摘要： 采用红外、紫外光谱仪对热等静压（HIP）处理前后CVDZnS的光学透过率进行了测量,采用分析电子显微镜、金相显微镜和X射线衍射对原生CVDZnS和经热等静压（HIP）处理的CVDZnS的显微组织和晶体结构进行了分析.根据热等静压（HIP）处理前后CVDZnS光学透过率和材料内部显微结构的不同分析了热等静压过程造成CVDZnS光学性能提高的原因.研究表明:热等静压过程使得CVDZnS的晶粒尺寸有了很大提高,并且消除了原生CVDZnS在生长过程中形成的晶体缺陷,从而减小了原生CVDZnS中由于晶格缺陷和晶粒边界造成的散射损失,使得CVDZnS的光学透过率,尤其是在可见光及近红外波段,有了较大的提高.

关键词: CVDZnS, 热等静压, 光学透过率, X射线衍射

Abstract: The transmittance of CVDZnS before and after heat isostatic processing (HIP)was measured. X-ray diffraction, AEM and metaloscopy were adopted to study the microstructure
of stereotype and HIP processed CVDZnS. Based on the different microstructures of CVDZnS before and after HIP observed，the reasons why the transmittance of CVDZnS
can be improved after HIP processing was analysised. The results show that the grain size of CVDZnS is improved dramatically after HIP processing，and the defects
formed during the growth of CVDZnS are minimized, so the transmittance of CVDZnS is improved for the decrease of scatter losses at the grain boundary and structure defects.

Key words: CVDZnS, heat isostatic process（HIP）, transmittance, X-ray diffraction

中图分类号:

TB303

宋睿丰,余怀之,霍承松. CVDZnS热等静压(HIP)前后光学性能和显微结构的研究[J]. 无机材料学报.

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