添加V2O5对Ba(Mg1/3Ta2/3)O3烧结及微波介电性能的影响

无机材料学报

添加V₂O₅对Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃烧结及微波介电性能的影响

卞建江; 赵梅瑜; 殷之文

中国科学院上海硅酸盐研究所; 上海 200050

收稿日期:1997-06-20 修回日期:1997-08-07 出版日期:1998-08-10 网络出版日期:1998-08-10

Influence of V₂O₅ on the Sinterability and Microwave Dielectric Properties of Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃

BIAN Jian-Jiang; ZHAO Mei-Yu; YIN Zhi-Wen

Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050 China

Received:1997-06-20 Revised:1997-08-07 Published:1998-08-10 Online:1998-08-10

摘要/Abstract

摘要： 本工作就添加V₂O₅对Ba（Mg_1／3Ta_2／3）O₃烧结性及微波介电性能的影响进行了研究和讨论．实验结果发现，添加少量V₂O₅能明显改善BMT陶瓷的烧结性，当V₂O₅的添加量为0．1mol％时，烧结体密度可达理论密度的98％同时较纯BMT陶瓷烧结温度降低150℃左右．此时样品仍具有较高的微波介电性能：Q·f＝62450GHz；ε_γ＝25．

关键词: BMT, V₂O₅, 烧结性, 微波介电性能

Abstract: The influence of the addition of V₂O₅ on the sinterability and microwave dielectric properties of BMT ceramic was investigated. It was found that the sinterability of BMT could be improved greatly by the addition of small amount of V₂O₅. A dense BMT ceramic with 98% relative density could be obtained with the addition of 0.1mol% V₂O₅. The dielectric constant and unloaded Q. f value are 25 and 62450 GHz respectively.

Key words: BMT, addition, V₂O₅, sinterability, microwave dielectric properties

中图分类号:

TM534

卞建江,赵梅瑜,殷之文. 添加V₂O₅对Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃烧结及微波介电性能的影响[J]. 无机材料学报.

BIAN Jian-Jiang,ZHAO Mei-Yu,YIN Zhi-Wen. Influence of V₂O₅ on the Sinterability and Microwave Dielectric Properties of Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃[J]. Journal of Inorganic Materials.

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添加V₂O₅对Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃烧结及微波介电性能的影响

Influence of V₂O₅ on the Sinterability and Microwave Dielectric Properties of Ba(Mg_1/3Ta_2/3)O₃

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