不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00413

无机材料学报

不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

郝彦忠^1,2, 殷志刚²

1. 河北科技大学理学院, 石家庄 050018; 2, 河北科技大学化学与制药工程学院, 石家庄 050018

收稿日期:2006-06-30 修回日期:2006-09-15 出版日期:2007-05-20 网络出版日期:2007-05-20

Preparation and Photoelectrochemical Study of CdSe Nanorods with Different Structure Phases

HAO Yan-Zhong^{1, 2}, YIN Zhi-Gang²

1. College of Sciences,Hebei University of Science and Technology, Shijiazhuang 050018, China; 2. College of Chemical \& Pharmaceutical Engineering, Shijiazhuang 050018, China

Received:2006-06-30 Revised:2006-09-15 Published:2007-05-20 Online:2007-05-20

摘要/Abstract

摘要： 采用水热法制备了不同晶型CdSe纳米棒, 并用TEM、SEM、XRD、TGA-DTA对其进行了表征. 结果显示反应温度为240℃生成纤锌矿型CdSe纳米棒, 反应温度为200℃生成闪锌矿型CdSe纳米棒. 并对纳米棒进行了光电性能测定, 纤锌矿型CdSe纳米棒膜电极的光电转换效率(IPCE)优于闪锌矿型CdSe纳米棒膜电极的IPCE. CdSe/PMeT复合膜电极在具有最大光电转换效率时的波长发生了红移.

关键词: CdSe纳米棒, 光电化学, CdSe/PMeT复合膜电极

Abstract: CdSe nanorods with different structure phases were prepared by a hydrothermal method, and the products were characterized with TEM, SEM, XRD, TGA-DTA. The results show that the CdSe nanorod with zinc blende structure is formed at 200℃ reaction temperature. At 240℃ reaction temperature, the wurtzite structure CdSe nanorod can be obtained.The IPCE of the wurtzite structure CdSe nanorod film electrode is higher than that of zinc blende structure CdSe nanorod film electrode. The wavelength with the max IPCE value for the CdSe/PMeT composite film electrode appears as red shift.

Key words: CdSe nanorods, photoelectrochemistry, CdSe/PMeT composite film electrode

中图分类号:

TB383
TN2

郝彦忠,殷志刚. 不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究[J]. 无机材料学报, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00413.

HAO Yan-Zhong,YIN Zhi-Gang. Preparation and Photoelectrochemical Study of CdSe Nanorods with Different Structure Phases[J]. Journal of Inorganic Materials, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00413.

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不同晶型 CdSe纳米棒的制备及光电性能研究

Preparation and Photoelectrochemical Study of CdSe Nanorods with Different Structure Phases

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