硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

无机材料学报

硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

刘卫平¹; 余庆选¹; 田宇全²; 廖源²; 王冠中¹; 方容川²

1. 中国科学技术大学结构分析中心; 2. 中国科学技术大学物理系, 合肥 230026

收稿日期:2004-08-30 修回日期:2004-11-29 出版日期:2005-09-20 网络出版日期:2005-09-20

Effects of Boron Doping on the Growth Characteristic of Diamond Film

LIU Wei-Ping¹; YU Qing-Xuan¹; TIAN Yu-Quan²; LIAO Yuan²; WANG Guan-Zhong¹; FANG Rong-Chuan²

1. Structure Research Laboratory; 2. Department of Physics; University of Science and Technology of China; Hefei 230026; China

Received:2004-08-30 Revised:2004-11-29 Published:2005-09-20 Online:2005-09-20

摘要/Abstract

摘要： 采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.

关键词: 孪晶, HFCVD, 硼掺杂, 金刚石薄膜

Abstract: Boron-doped diamond thin films, synthesized by the HFCVD method, were analyzed by SEM and XRD. The results show that, when the boron concentration in the films increases, the crystallite orientation changes from (100) to (111), then tends to disorder. The doping of boron reduces the growth parameter α. The stress in the films is relaxed by twin crystals in the boron doping films. Consequently the shift of center phonon line of Raman spectrum becomes smaller.

Key words: twinning, HFCVD, boron doping diamond films

中图分类号:

O484

刘卫平,余庆选,田宇全,廖源,王冠中,方容川. 硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响[J]. 无机材料学报.

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