无机材料学报 ›› 2010, Vol. 25 ›› Issue (12): 1273-1276.DOI: 10.3724/SP.J.1077.2010.01273 CSTR: 32189.14.SP.J.1077.2010.01273
吴紫平, 索红莉, 刘 敏, 叶 帅, 汤 潇
WU Zi-Ping, SUO Hong-Li, LIU Min, YE Shuai, TANG Xiao
摘要: 通过在YBCO前驱溶液中加入醋酸钆(Gd(CH3COO)3), 使元素Gd部分取代Y, 成功地制备了Y0.5Gd0.5BCO薄膜, 该薄膜成分单一且具有很好的c轴取向. 通过对Y0.5Gd0.5BCO薄膜和YBCO、GdBCO薄膜的超导性能比较发现, 虽然Y0.5Gd0.5BCO薄膜的临界转变温度(Tc)(约为90.5 K)较YBCO和GdBCO薄膜有所下降, 但是在65K、自场下, Y0.5Gd0.5BCO薄膜具有最高的临界电流密度(Jc)值, 为4.87MA/cm2. 且随着外加磁场的增加, Jc值提高的较多. 在3T的磁场下, Y0.5Gd0.5BCO薄膜的Jc值分别是纯GdBCO和YBCO薄膜的1.8倍和5.1倍. 此外, 替代还有效提高了薄膜的磁通钉扎力.
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