ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

无机材料学报

ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究

周咏东¹; 方家熊²; 李言谨²; 龚海梅²; 汤定元²

1. 苏州大学物理系, 苏州 215006; 2. 中国科学院上海技术物理研究所, 上海 200083

收稿日期:1999-12-16 修回日期:2000-02-24 出版日期:2000-12-20 网络出版日期:2000-12-20

Sputtering Deposition and X-ray Photoelectron Spectroscopy Study for the ZnS Thin Film

ZHOU Yong-Dong¹; FANG Jia-Xiong²; LI Yan-Jin²; GONG Hai-Mei²; TANG Ding-Yuan ²

1.Physics Department of Soochow University; Suzhou 215006; China; 2. Shanghai Institute of Technical Physics; Chinese Academy of Science; Shanghai 200083; China

Received:1999-12-16 Revised:2000-02-24 Published:2000-12-20 Online:2000-12-20

摘要/Abstract

摘要： 用Ａｒ^＋束溅射沉积技术在ＨｇＣｄＴｅ表面实现了ＺｎＳ的低温沉积．用Ｘ射线光电子能借（ＸＰＳ）对上述ＺｎＳ薄膜以及热蒸发ＺｎＳ薄膜中的Ｚｎ、Ｓ元素的化学环境进行了对比实验研究．实验表明：离子束溅射沉积ＺｎＳ薄膜具有很好的组份均匀性，未探测到元素Ｚｎ、Ｓ的沉积．

关键词: ZnS, 离子束溅射沉积, XPS, HgCdTe, 表面抗反射膜

Abstract: The ZnS film was grown on HgCdTe surface by using the low-temperature ion beam sputtering technique. Zn and S elements in the sputtering ZnS film sample were studied and compared with those in the evaporating ZnS film by using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique. It is proved that the constituent elements are homogeneous, and the deposition of element Zn, S cannot be detected in the sputtering ZnS film.

Key words: ZnS, ion beam sputtering deposition technique, XPS, HgCdTe, surface anti-reflection coat

中图分类号:

O484

周咏东,方家熊,李言谨,龚海梅,汤定元. ZnS薄膜的溅射沉积及其XPS研究[J]. 无机材料学报.

ZHOU Yong-Dong,FANG Jia-Xiong,LI Yan-Jin,GONG Hai-Mei,TANG Ding-Yuan. Sputtering Deposition and X-ray Photoelectron Spectroscopy Study for the ZnS Thin Film[J]. Journal of Inorganic Materials.

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