液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

无机材料学报

液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料

王为¹; 张伟玲¹; 王惠²; 陶松¹; 张建中³

1. 天津大学化工学院; 2. 天津大学分析中心, 天津 300072; 3. 电子信息产业部第十八所天津 300072

收稿日期:2002-11-04 修回日期:2002-12-09 出版日期:2004-01-20 网络出版日期:2004-01-20

Fabrication of n-type Bismuth-Tellurium Nanowire Array Thermoelectric Materials by Electrodeposition Technology

WANG Wei¹; ZHANG Wei-Ling¹; WANG Hui²; TAO Shong¹; ZHANG Jian-Zhong³

1. School of Chemical Engineering and Technology; Tianjin University; Tianjin 300372; China; 2. Analysis Center of Tianjin University; Tianjin 300072, China; 3. Tianjin Institute of Power Source; Tianjin 300072, China

Received:2002-11-04 Revised:2002-12-09 Published:2004-01-20 Online:2004-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对铋碲合金电沉积过程进行了研究,并分析了温度和硝酸浓度对铋碲共沉积的影响.结果表明,Bi³⁺和HTeO₂⁺合溶液中的电沉积是分阶段进行的.溶液中HTeO₂⁺的存在阻碍了Bi³⁺的电沉积.铋碲共沉积的速度随温度的升高以及溶液中硝酸浓度的增加而加速.实验中还研究了沉积电位对铋碲组成的影响.采用ESEM分析了铋碲纳米线阵列温差电材料的形貌.

关键词: 铋碲温差电材料, 纳米线阵列, 电沉积

Abstract: The electrodeposition process of bismuth-tellurium co-deposition was studied, and the effects of temperature and HNO3 concentration on the co-deposition process were also analyzed. Based on the work, n-type bismuth-tellurium nanowire array thermoelectric materials were fabricated through DC electrodeposition by using anodic alumina template with a pore diameter of 50nm as the cathode. The results show that electrodeposition potential has great effect on the compositon of bismuth-tellurium alloy.

Key words: bismuth-tellurium thermoelectric material, nanowire array, electrodepositionbb

中图分类号:

TQ153

王为,张伟玲,王惠,陶松,张建中. 液相电沉积技术制备n-型铋碲纳米线阵列温差电材料[J]. 无机材料学报.

WANG Wei,ZHANG Wei-Ling,WANG Hui,TAO Shong,ZHANG Jian-Zhong. Fabrication of n-type Bismuth-Tellurium Nanowire Array Thermoelectric Materials by Electrodeposition Technology[J]. Journal of Inorganic Materials.

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