Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究

无机材料学报

Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究

顾四朋; 侯立松

中国科学院上海光学精密机械研究所上海 201800

收稿日期:2001-10-29 修回日期:2001-12-26 出版日期:2002-11-20 网络出版日期:2002-11-20

Crystallization Kinetics of Ge-Sb-Te-O Phase-Change Thin Films

GU Si-Peng; HOU Li-Song

Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 201800; China

Received:2001-10-29 Revised:2001-12-26 Published:2002-11-20 Online:2002-11-20

摘要/Abstract

摘要： 用磁控溅射法制备了Ge-Sb-Te和Ge-Sb-Te-O相变材料薄膜,由热处理前后薄膜的X射线衍射(XRD)发现,热处理使薄膜发生了从非晶态到晶态的相变.通过非晶态薄膜粉末的示差扫描量热(DSC)实验测出不同加热速率条件下的结晶峰温度,并计算了材料的摩尔结晶活化能、原子激活能和频率因子.根据结晶动力学结晶活化能E判据得出结论为:与Ge-Sb-Te相比,掺杂氧后的Ge-Sb-Te更容易析晶,具有更快的结晶速率.

关键词: Ge-Sb-Te相变薄膜, 氧掺杂, XRD, DSC, 结晶动力学

Abstract: Ge-Sb-Te and Ge-Sb-Te-O thin films were prepared by RF-sputtering. XRD spectra of the films in
as-deposited and heat-treated states show that the films changed from amorphous to crystalline states due to heat-treatment. By using DSC data
of the amorphous film materials, measuring the peak temperature of crystallization at different heating rates, the activation energies
and frequency factors were calculated. The experimental results show that sample Ge-Sb-Te-O has a higher value of activation energy than sample Ge-Sb-Te, so
oxygen-doping can improve the crystallization rate of Ge-Sb-Te phase-change material.

Key words: Ge-Sb-Te phase-change films, oxygen-doping, XRD, DSC, crystallization kinetics

中图分类号:

O795

顾四朋,侯立松. Ge-Sb-Te-O相变薄膜的结晶动力学研究[J]. 无机材料学报.

GU Si-Peng,HOU Li-Song. Crystallization Kinetics of Ge-Sb-Te-O Phase-Change Thin Films[J]. Journal of Inorganic Materials.

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