掺杂ZnO-V2O5压敏电阻的低温烧结

无机材料学报

掺杂ZnO-V₂O₅压敏电阻的低温烧结

吴隽¹; 谢长生¹; 黄开金¹; 王爱华¹; 王文焱²

1. 华中科技大学材料学院模具技术国家重点实验室, 武汉 430074; 河南科技大学材料科学与工程学院武汉 471039

收稿日期:2002-12-23 修回日期:2003-03-28 出版日期:2004-01-20 网络出版日期:2004-01-20

Low Temperature Sintering of Doped ZnO-V₂O₅ Varistors

WU Jun¹; XIE Chang-Sheng¹; HUANG Kai-Jin¹; WANG Ai-Hua¹; WANG Wen-Yan²

1. The State Key Laboratory of Plastic Forming Simulation and Mould Technology; Department of Materials Science and Egineering; Huazhong University of Science and Technology; Wuhan 430074; China; 2. Department of Materials Science & Engineering; Henan University of Science & Technology; Luoyang 471039; China

Received:2002-12-23 Revised:2003-03-28 Published:2004-01-20 Online:2004-01-20

摘要/Abstract

摘要： 对掺杂ZnO-V₂O₅压敏电阻的低温烧结特性及电性能进行了研究.研究结果表明:通过添加硼酸铅锌玻璃“形成”氧化物PbO和B₂O₃使其在常规电烧结炉中的烧结温度降低到了800℃,并使非线性特性明显提高,添加6wt％(PbO+B₂O₃)的样品经800℃ 4h烧结后,其非线性系数和漏电流密度可分别达到22.5,7.2×10^-6A/cm².

关键词: 压敏电阻, 硼酸铅锌玻璃, 低温烧

Abstract: The low-temperature sintering characteristics and electrical properties of ZnO-V₂O₅ varistors
were studied through adding oxides with low melting point, which were the lead zinc borate glass frit forming materials. The results show
that the sintering temperature is significantly decreased to 800℃ with conventional electric furnace sintering and the nonlinear
properties are obviously enhanced through adding B₂O₃ and PbO. When the sample with co-doped 6wt% (PbO+B₂O₃) sintered at 800℃ for 4h, its
leakage current density J_L=7.2×10^-6A/cm² and nonlinear coefficient α=22.5.

Key words: varistor, lead zinc borate glass, low-temperature sintering

中图分类号:

TN304

吴隽,谢长生,黄开金,王爱华,王文焱. 掺杂ZnO-V₂O₅压敏电阻的低温烧结[J]. 无机材料学报.

WU Jun,XIE Chang-Sheng,HUANG Kai-Jin,WANG Ai-Hua,WANG Wen-Yan. Low Temperature Sintering of Doped ZnO-V₂O₅ Varistors[J]. Journal of Inorganic Materials.

[1]	江强, 施立志, 陈政燃, 周志勇, 梁瑞虹. 高于居里温度极化的硬性PZT压电陶瓷的制备及叠层驱动器性能研究[J]. 无机材料学报, 2024, 39(10): 1091-1099.
[2]	彭萍, 谭礼涛. CuO掺杂(Ba,Ca)(Ti,Sn)O₃陶瓷的结构与压电性能[J]. 无机材料学报, 2024, 39(10): 1100-1106.
[3]	柯鑫, 谢炳卿, 王忠, 张敬国, 王建伟, 李占荣, 贺会军, 汪礼敏. 第三代半导体互连材料与低温烧结纳米铜材的研究进展[J]. 无机材料学报, 2024, 39(1): 17-31.
[4]	方爱华, 谢晓明, 黄富强, 江绵恒. 机械合金化合成高临界场Sm_0.85Nd_0.15FeAsO_0.85F_0.15超导体[J]. 无机材料学报, 2012, 27(4): 439-444.
[5]	万帅, 吕文中. 铋硼玻璃掺杂对ZnO-Bi₂O₃-TiO₂系压敏电阻性能影响[J]. 无机材料学报, 2010, 25(8): 811-814.
[6]	万帅,吕文中. 锌硼玻璃掺杂低压ZnO压敏电阻电性能及晶粒生长动力学研究[J]. 无机材料学报, 2010, 15(2): 157-162.
[7]	姚秀敏,黄政仁,谭寿洪. 聚碳硅烷低温烧结碳化硅网眼多孔陶瓷的研制[J]. 无机材料学报, 2010, 15(2): 168-172.
[8]	晁小练, 杨祖培, 安伟伟. MnO₂对BiFeO₃掺杂PZT-PFW-PMN陶瓷的电性能与温度特性研究[J]. 无机材料学报, 2010, 25(12): 1242-1246.
[9]	卢振亚,黄欢,吴建青. SnO₂-Sb₂O₃基压敏陶瓷致密化及脉冲电流耐受特性[J]. 无机材料学报, 2009, 24(4): 841-844.
[10]	刘忠池,周东祥,龚树萍,胡云香. 铜钼复合添加ZnO-TiO₂微波介质陶瓷的低温烧结及相转变[J]. 无机材料学报, 2009, 24(4): 712-716.
[11]	李月明1,宋婷婷1,尤源2,胡元云2,刘维良1,唐春宝1. Ca_0.3(Li_1/2Sm_1/2)_0.7TiO₃微波介质陶瓷的低温烧结研究[J]. 无机材料学报, 2008, 23(6): 1293-1297.
[12]	邓联文,冯则坤,黄小忠,周克省,杨兵初. Bi-Mo复合掺杂对MgCuZn铁氧体烧结特性和磁性能的影响[J]. 无机材料学报, 2008, 23(4): 669-672.
[13]	芦玉峰,堵永国,肖加余,张为军,吴剑锋,杨光,王跃然. ZrO₂对低温烧结 BaO-Al₂O₃-SiO₂系微晶玻璃析晶和晶型转变的影响[J]. 无机材料学报, 2008, 23(1): 159-164.
[14]	林枞,徐政,彭虎,孙丹峰. 微波烧结氧化锌压敏电阻的致密化和晶粒生长[J]. 无机材料学报, 2007, 22(5): 917-921.
[15]	管恩祥,陈玮,罗澜. Li_1.0Nb_0.6Ti_0.5O₃陶瓷的低温烧结其微波介电性能[J]. 无机材料学报, 2007, 22(2): 315-318.

掺杂ZnO-V₂O₅压敏电阻的低温烧结

Low Temperature Sintering of Doped ZnO-V₂O₅ Varistors

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