低电阻率Ba0.92Ca0.08Ti1.02O3PTCR陶瓷界面缺陷态研究

无机材料学报

低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面缺陷态研究

曹明贺¹; 袁俊¹; 周东祥²; 龚树萍²

1. 清华大学材料科学与工程系, 北京 100084; 2. 华中科技大学电子科学与工程系, 武汉 430074

收稿日期:2002-10-08 修回日期:2002-11-26 出版日期:2003-11-20 网络出版日期:2003-11-20

Defect State in Grain Boundary of Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃ Ceramics with Low Room Temperature Resistivity

CAO Ming-He¹; YUAN Jun¹; ZHOU Dong-Xiang²; GONG Shu-Ping²

1.Department of Materials Science and Engineering; Tsinghua University; Beijing 100084; China; 2.Department of electrical Science and Technology; Huazhong University of Science and Technology; Wuhan 430074; China

Received:2002-10-08 Revised:2002-11-26 Published:2003-11-20 Online:2003-11-20

摘要/Abstract

摘要： 用TEM和EDS相结合的测试手段,研究了低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷材料的界面元素分布.根据界面元素分布的情况,对低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面可能存在的缺陷态进行分析,认为在低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面上主要存在以下缺陷结构:Mn"_Ti,Mn’_Ti或Al’_Ti,V"_Ba.

关键词: 低室温电阻率, PTCR陶瓷, 晶界, 缺陷结构

Abstract: The distribution of elements on the grain boundaries of Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃ ceramics with low room temperature resistivity was studied by TEM combined with EDS. The point defects in the grain boundaries were also analyzed. The results show that the point defects in the grain boudaries of Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃ ceramics with low room temperature resistivity mainly include Mn"_Ti, Mn'_Ti or Al'_Ti, and V"_Ba.

Key words: low room temperature resistivity, PTCR ceramics, grain boundary, defect structure

中图分类号:

TQ174

曹明贺,袁俊,周东祥,龚树萍. 低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面缺陷态研究[J]. 无机材料学报.

CAO Ming-He,YUAN Jun,ZHOU Dong-Xiang,GONG Shu-Ping. Defect State in Grain Boundary of Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃ Ceramics with Low Room Temperature Resistivity[J]. Journal of Inorganic Materials.

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低电阻率Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃PTCR陶瓷界面缺陷态研究

Defect State in Grain Boundary of Ba_0.92Ca_0.08Ti_1.02O₃ Ceramics with Low Room Temperature Resistivity

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