林 枞1, 徐 政1, 彭 虎2, 孙丹峰3
LIN Cong1, XU Zheng1, PENG Hu2, SUN Dan-Feng3
摘要: 研究了微波烧结的ZnO压敏电阻的致密化和生长动力学, 微波烧结温度从900~1200℃, 保温时间从20min~2h. 研究表明, 微波烧结ZnO压敏电阻的物相组成和传统烧结的样品没有区别; 微波烧结有助于样品的致密化, 并降低致密化温度. 随着烧结温度的升高, 致密化和反致密化作用共同影响样品的密度, 其中Bi的挥发是主要影响因素. 微波烧结ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为2.9~3.4, 生长激活能为225kJ/mol, 传统烧结的ZnO压敏电阻的晶粒生长动力学指数为3.6~4.2, 生长激活能为363kJ/mol. 液相Bi2O3、尖晶石相和微波的“非热效应”是影响微波烧结ZnO压敏电阻陶瓷晶粒生长的主要因素.
中图分类号: