SAPMAC法长蓝宝石晶体的温场设计、工艺分析与控制

doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00344

无机材料学报

SAPMAC法长蓝宝石晶体的温场设计、工艺分析与控制

许承海, 韩杰才, 张明福, 孟松鹤, 左洪波

哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所, 哈尔滨 150001

收稿日期:2006-05-08 修回日期:2006-07-10 出版日期:2007-03-20 网络出版日期:2007-03-20

Temperature Field Design, Process Analysis and Control of Sapphire Crystals by SAPMAC Method

XU Cheng-Hai, HAN Jie-Cai, ZHANG Ming-Fu, MENG Song-He, ZUO Hong-Bo

Center for Composite Materials, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, China

Received:2006-05-08 Revised:2006-07-10 Published:2007-03-20 Online:2007-03-20

摘要/Abstract

摘要： 采用SAPMAC法, 以a向为结晶取向, 生长出φ 240mm ×210mm, 重27.5kg的完整透明的蓝宝石单晶. 从理论上探讨了缺陷密度及晶体开裂与温度分布、生长速率、冷却速率等晶体生长工艺参数之间的关系. 设计了SAPMAC法生长大尺寸晶体的最佳温场分布、工艺控制. 利用专用设备加工出大尺寸晶棒、板状窗口, 并测试了标准样品的红外透过性能.

关键词: 蓝宝石, 冷心放肩微量提拉法, 温度场设计, 工艺优化

Abstract:

The transparent sapphire crystal of 240mm in diameter, 210mm in length and 27.5kg in weight was grown successfully along a axis by the SAPMAC method. The relationship between temperature field distribution, growing speed, cooling rate and the density of defects, crack of crystal was discussed theoretically. The optimized temperature field distribution and process control to grow large scale crystals by the SAPMAC method were designed. Large scale sapphire rod and plank window were manufactured with special equipments. The infrared transmittance property of a standard specimen was measured as well.

Key words: sapphire, SAPMAC method, temperature field design, process optimization

中图分类号:

O781

许承海,韩杰才,张明福,孟松鹤,左洪波. SAPMAC法长蓝宝石晶体的温场设计、工艺分析与控制[J]. 无机材料学报, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00344.

XU Cheng-Hai,HAN Jie-Cai,ZHANG Ming-Fu,MENG Song-He,ZUO Hong-Bo. Temperature Field Design, Process Analysis and Control of Sapphire Crystals by SAPMAC Method[J]. Journal of Inorganic Materials, DOI: 10.3724/SP.J.1077.2007.00344.

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Temperature Field Design, Process Analysis and Control of Sapphire Crystals by SAPMAC Method

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