用MOCVD法在LiGaO2(001)上生长GaN的研究

无机材料学报

用MOCVD法在LiGaO₂(001)上生长GaN的研究

杨卫桥¹; 干福熹¹; 邓佩珍¹; 徐军¹; 李抒智¹; 张荣²

1. 中国科学院上海光学精密机械研究所, 上海 201800; 2. 南京大学物理系, 南京 210000

收稿日期:2002-01-08 修回日期:2002-03-12 出版日期:2003-01-20 网络出版日期:2003-01-20

GaN Growth on LiGaO₂(001) with MOCVD

YANG Wei-Qiao¹; GAN Fu-Xi¹; DENG Pei-Zhen¹; XU Jun¹; LI Shu-Zhi¹; ZHANG Rong²

1.Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics; Chinese Academy of Sciences; Shanghai 201800; China; 2.Department of Physics; Nanjing University; Nanjing 210000; China

Received:2002-01-08 Revised:2002-03-12 Published:2003-01-20 Online:2003-01-20

摘要/Abstract

摘要： LiGaO₂单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO₂(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO₂(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO₂在这种气氛中不够稳定,实验发现衬底材料在生长过程中部分样品发生开裂,但没有发生相变.

关键词: GaN, LiGaO₂, MOCVD法

Abstract: LiGaO_₂ is the most promising substrate newly found for the epitaxy of GaN. Mirror-like GaN(0001) films were
grown on LiGaO₂(001) substrates by using MOCVD. The GaN films and substrates were investigated by means of AFM, XRD and X-ray double-crystal diffraction.
The result shows that a preferable quality of GaN(0001) films can be grown on LiGaO₂(001) substrates by using MOCVD. LiGaO₂ being unstable under the conditions
of MOCVD which should be operated at high temperature and in deoxidize ambience, LiGaO₂ substrate cracks appear easily in the growth process, but no phase changes.

Key words: GaN, LiGaO₂, MOCVD

中图分类号:

O484

杨卫桥,干福熹,邓佩珍,徐军,李抒智,张荣. 用MOCVD法在LiGaO₂(001)上生长GaN的研究[J]. 无机材料学报.

YANG Wei-Qiao,GAN Fu-Xi,DENG Pei-Zhen,XU Jun,LI Shu-Zhi,ZHANG Rong. GaN Growth on LiGaO₂(001) with MOCVD[J]. Journal of Inorganic Materials.

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用MOCVD法在LiGaO₂(001)上生长GaN的研究

GaN Growth on LiGaO₂(001) with MOCVD

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