Tm:YAP晶体生长及光谱特性研究

doi:10.3724/SP.J.1077.2006.00838

摘要/Abstract

摘要： 采用提拉法生长了掺杂浓度分别为4、8与10at%的Tm:YAP晶体. 测定了Tm³⁺在YAP基质中的分凝系数为0.88. 采用同步辐射的方法研究了Tm:YAP晶体的生长条纹和结构应力缺陷. 晶体的吸收峰位于694和795nm; 荧光谱峰值在2.0μm附近, 因此Tm:YAP晶体有望成为一种新型的适合LD泵浦的中红外激光材料.

关键词: Tm:YAP晶体, 提拉法, 分凝系数, 光谱特性

Abstract: YAP single crystals doped with 4at%, 8at% and 10at% Tm3+ ions were grown by the Czochralski method with MF induction heating. The segregation coefficient of Tm³⁺ ion in YAP crystal measured by X-ray fluorescence spectrum technique is about 0.88. Growth striation and structural stress were determined by synchrotron radiation white-beam topography (SRWBT). The absorption spectrum shows two peaks with wavelength of 694nm and 795nm, and the fluorescence peak is about 2.0μm, which suggest that Tm:YAP is one of the most promising mid-infrared laser crystals.

Key words: Tm:YAP crystal, Czochralski method, segregation coefficient, spectral characteristic

中图分类号:

O782

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Czochralski Growth and Spectral Characteristics of Tm:YAP Single Crystals

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