直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

无机材料学报

直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜

姜洪波; 高濂; 李景国

中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室上海 200050

收稿日期:2002-01-11 修回日期:2002-03-11 出版日期:2003-03-20 网络出版日期:2003-03-20

Preparation of Nanocrystalline TiN Film by Direct Nitridation of TiO₂ Film

JIANG Hong-Bo; GAO Lian; LI Jing-Guo

State Key Lab of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure; Shanghai Institute of Ceramics; Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050; China

Received:2002-01-11 Revised:2002-03-11 Published:2003-03-20 Online:2003-03-20

摘要/Abstract

摘要： 首先采用溶胶-凝胶法在Al₂O₃基体上制备了TiO₂纳米晶薄膜,然后在管式气氛炉中,用氨气作为还原剂,直接氮化制备TiO₂纳米晶薄膜;从而成功地在α-Al₂O₃陶瓷基片上制备了纳米晶TiN薄膜.利用XRD、XPS、FE-SEM等分析技术,研究了制备的纳米晶TiN薄膜的相组成及形貌.结果表明最佳工艺条件为:氮化温度为700℃,氮化时间为1h.

关键词: 直接氮化法, 纳米晶TiN薄膜, TiO₂薄膜

Abstract: At first, nanocrystalline TiO2 films were prepared by a sol-gel method on Al₂O₃ substrates. Then, nanocrystalline TiN films were successfully obtained by direct nitridation of the nano TiO₂ films using NH₃ as the reductant agent in a tube furnace. XRD, XPS and FE-SEM were used to study phase compositions and morphologies of the nanocrystalline TiN films. The results indicate that the best condition for preparing nanocrystalline TiN films by direct nitridation of films is nitridation temperature about 700℃ and nitridation duration of about 1h.

Key words: direct nitridation, nanocrystalline TiN film, Ti0₂ film

中图分类号:

O484

姜洪波,高濂,李景国. 直接氮化法制备纳米晶TiN薄膜[J]. 无机材料学报.

JIANG Hong-Bo,GAO Lian,LI Jing-Guo. Preparation of Nanocrystalline TiN Film by Direct Nitridation of TiO₂ Film[J]. Journal of Inorganic Materials.

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