[1] Liufu D, Kao K C. J. Vac. Sci. Technol. A, 1998, 16 (4): 2360--2366. [2] Marc-Alexandre Dubois, Paul Muralt. Appl. Phys. Lett., 1999, 74 (20): 3032?--3034. [3] Wauk M T, Winslow D K. Appl. Phys. Lett., 1968, 13: 286--288. [4] Davis R F. Proc IEEE, 1991, 79 (5): 702--712. [5] Rodriguez-Clemente R, Aspar B, Azema N, et al. J Cryst. Growth, 1993, 133: 59?--70. [6] Yang D, Jonnalagadda R, Rogers B R. Thin Solid Films, 1998, 332: 312?--318. [7] Xu Xiao-Hong, Wu Hai-Shun, Jin Zhi-Hao. Thin Solid Films, 2001, 388: 62?--67. [8] 许小红, 武海顺, 张富强, 等. 稀有材料与工程, 2000, 29 (6): 394--397. [9] 许小红, 武海顺, 张聪杰, 等. 压电与声光, 2000, 22 (4): 256--258. [10] Ishihara M, Li S J, Yumoto H, et al. Thin Solid Films, 1998, 316: 152?--157. [11] Hickernell F J, Yue R X, Hickernell F S. IEEE Trans. Ultrason., Ferroelect., Freq. Contr., 1997, 44 (3): 615?--623. [12] Akiyama M, Xu C N, Nonaka K, et al. Thin Solid Films, 1998, 315: 62?--65. [13] 沈恒范. 概率论与数理统计. 北京: 高等教育出版社, 1995. 113--121. |